Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием – H01L 21/477

Настоящее изобретение относится к термической обработке монокристаллической подложки ZnTe с оптической характеристикой, подходящей для применения в элементе модуляции света с толщиной 1 мм или более. Способ включает первую стадию увеличения температуры монокристаллической подложки ZnTe до первой температуры термической обработки Т1 и поддержание температуры подложки в течение заданного времени и вторую стадию постепенного снижения температуры подложки от первой температуры термической обработки Т1 до второй температуры термической обработки Т2, более низкой, чем Т1 с заданной скоростью, в котором Т1 устанавливают в диапазоне 700°С T1 1250°С, Т2 - в диапазоне Т2 Т1-50, и первую и вторую стадии выполняют в атмосфере Zn, при давлении, по меньшей мере, 1 кПа или более, не менее чем 20 циклов или не менее 108 часов. Изобретение позволяет эффективно устранить часть отложений Те без заметного ухудшения производительности и улучшения светопропускания монокристаллической подложки ZnTe. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной стадии обжига лазерным уплотнением поверхности. Достигается тем, что подложка после низкотемпературного обжига и лазерного фрезерования канавок для пасты подвергается сканированию лазерным лучем с площадью

Использование: при изготовлении светоизлучающих устройств на основе селенида цинка. Сущность изобретения: способ термической обработки полупроводникового соединения ZnSe включает формирование пленки алюминия на поверхности, по меньшей мере, одного кристалла ZnSe, размещение, упомянутого по меньшей мере одного кристалла ZnSe в камере для термической обработки, имеющей внутреннюю поверхность, сформированную по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы, состоящей из пиролитического нитрида бора, нитрида бора с гексагональной решеткой, сапфира, окиси алюминия, нитрида алюминия и поликристаллического алмаза; вакуумирование камеры и термическую обработку упомянутого по меньшей мере одного кристалла в газовой атмосфере, содержащей пары цинка. Также предложен кристалл полупроводникового соединения ZnSe, подвергнутый термической обработке с помощью указанного выше способа, и устройство для термической обработки полупроводникового соединения ZnSe, которое включает в себя компоненты для осуществления указанного выше способа. Техническим результатом изобретения является понижение удельного сопротивления полупроводникового соединения ZnSe без понижения степени кристалличности. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.