Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп  ,21/06 – H01L 21/48

(57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к гироскопии, и может быть использовано в приборостроении, авиакосмической отрасли и машиностроении. Технический результат - повышение качества и обеспечение технологичности изготовления. Для этого обезгаживание, вакуумирование и герметизацию выполняют в одном операционном цикле в герметичной вакуумной камере с остаточным давлением не более чем 5·10^-5 мм рт.ст. При этом основание с магнитной системой и кремниевым резонатором и крышку размещают в герметичной вакуумной камере раздельно, не соприкасая друг с другом, и обезгаживают одновременно при температуре не менее 150°С в течение не менее 4-х часов, а для вакуумирования и герметизации основание накрывают крышкой и герметизируют, одновременно обеспечивают вакуумирование микрогироскопа, поддерживая внутри герметичной вакуумной камеры остаточное давление не более чем 5·10^-5 мм рт.ст. 1 ил.

Изобретение относится к способу покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки, соответственно, края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки. Способ включает этап, на котором в указанную канавку наносят гибридный материал, содержащий изолирующее связующее со взвешенными частицами полупроводникового материала, и этап, на котором сверху на токопроводящие дорожки и гибридный материал наносят слой изолирующего материала. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения на подступах к токопроводящим дорожкам, повышение порога появления паразитных разрядов, являющихся причиной пробоя изолирующих материалов, а также улучшение условий старения керамики. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. Изобретение направлено на повышение надежности, что обеспечивается за счет использования в защитном корпусе электромеханической микросистемы промежуточного транслятора проводки. Причем, защитный корпус образован стенкой, изготовленной из электроизоляционного материала и формирующей закрытую камеру. Упомянутая стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней средой. Внутренние электрические контакты, располагающиеся на внутренних поверхностях, и наружные электрические контакты, располагающиеся на наружных поверхностях, попарно электрически связаны между собой. Первая поверхность плоской электромеханической микросистемы закреплена на внутренней стенке корпуса, а вторая содержит электрические контакты этой микросистемы. Первый конец проволочного соединения, изготовленного из электропроводного материала, закрепляется на электрическом контакте микросистемы. Промежуточный транслятор изготавливается из электроизоляционного материала, закрепляется, по меньшей мере, на одной внутренней стенке и содержит дорожки, изготовленные из электропроводного материала, причем одна такая электропроводная дорожка электрически связана, по меньшей мере, с одним внутренним электрическим контактом и с одним вторым концом проволочного соединения. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. Изобретение направлено на исключение прогиба фланцев, изготовленных из псевдосплава медь-молибден, которое возникает в процессе пайки корпусов высокотемпературным припоем, и обеспечение контакта всей площади фланцев с теплоотводом для повышения энергетических параметров и надежности транзисторов. Сущность изобретения: при изготовлении фланца корпуса мощного СВЧ транзистора из псевдосплава медь-молибден при вырубке фланцы ориентируют по отношению к направлению проката листа псевдосплава МД-40 таким образом, чтобы длинная сторона фланца была параллельна направлению проката. В результате анизотропии псевдосплава коэффициент термического линейного расширения вдоль фланца находится в пределах 7,6÷8,4×10^-6 1/°С, что соответствует коэффициенту термического линейного расширения бериллиевой керамики 7,6×10^-6 1/°С, которую напаивают на фланец. Коэффициент термического линейного расширения поперек фланца составляет 9,1÷9,9×10^-6 1/°С. Так как длина фланца значительно превосходит его ширину, то несоответствие коэффициента термического линейного расширения псевдосплава и керамики сконцентрировано исключительно на малых поперечных размерах, в результате чего прогиб фланцев в процессе пайки корпусов и эксплуатации транзисторов отсутствует. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области радио- и электротехники и может быть использовано при разработке и изготовлении прецизионных высоковакуумных приборов в авиакосмической и радиотехнической отраслях. Технический результат направлен на повышение качества изготовления и обеспечение высоких технологических и эксплуатационных свойств герметичного корпуса, расширение областей применения. Герметичный корпус высоковакуумного прецизионного прибора содержит кожух, кольцевую керамическую колодку с одиночными и коаксиальными гермовыводами, герметично соединенную по периметру с кожухом, и откачной штенгель, герметично соединенный с колодкой. Причем колодка по внешнему диаметру содержит компенсационное кольцо из сплава 68НХВКТЮ-ВИ, прихваченное точечной лазерной сваркой и герметично соединенное с кожухом и колодкой, откачной штенгель содержит две компенсационные втулки из сплава 68НХВКТЮ-ВИ и нержавеющей стали 12Х18Н10Т-ИД, установленные на его торцах, прихваченные точечной лазерной сваркой и герметично соединенные со штенгелем. Также предложен способ для реализации вышеуказанного устройства. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.