Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .испытания или измерения в процессе изготовления или обработки – H01L 21/66

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li₂O в монокристалле LiNbO₃. В качестве монокристалла LiNbO₃ выбирают монокристалл в виде плоскопараллельной пластинки с кристаллографической осью Z, расположенной в плоскости входной грани кристалла, перпендикулярной оси оптической системы. Технический результат - повышение точности определения мольной доли Li ₂O в монокристалле LiNbO₃ при низких значениях мольной доли Li₂O и расширение функциональных возможностей. 3 ил.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники, а именно к устройствам для сортировки на группы по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотопреобразователей (ФП) в спутниках, и может быть использовано при производстве фотоэлектрических панелей. Устройство содержит вертикальный пенал для сортируемых ФП с механизмом выгрузки и подачи изделий по транспортирующему горизонтальному каналу в узел контактирования, солнечный имитатор, измеритель ВАХ, узел позиционирования в виде горизонтального поворотного диска с приемными гнездами для изделий, приемные вертикальные пеналы в количестве N групп сортировки и загрузочные толкатели для загрузки последних. Приемные пеналы выполнены с возможностью загрузки изделий снизу вверх, толкатели установлены оппозитно их входным отверстиям. Приемные сквозные гнезда выполнены в количестве N плюс одно для загрузки изделия на диск узла позиционирования. Узел позиционирования установлен между приемными пеналами и толкателями и снабжен приводом поворота с фиксированным шагом, равным углу 360°/(N+l). Технический результат - повышение производительности и сокращение брака за счет механических повреждений ФП. 2 ил.

Изобретение относится к различным технологическим процессам, а именно к контролю электрических свойств алмазных пластин на промежуточных стадиях технологического процесса изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений. Сущность изобретения заключается в том, что способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений, включает регистрацию люминесценции в двух полосах с максимумами при 420 нм и 520 нм, принятие решения об отнесении алмазной пластины к группе низковольтных детекторов при одновременном наблюдении двух полос люминесценции и принятие решения об отнесении алмазной пластины к группе высоковольтных детекторов при отсутствии свечения в полосе 520 нм и наличии свечения в полосе 420 нм, при этом измерение проводят при температуре, выбранной из интервала -40 ÷ -10°C, к алмазной пластине с электродами прикладывают электрическое поле и медленно повышают напряжение, одновременно регистрируют ток через пластину, при появлении скачка тока, сопровождаемого свечением в полосе с максимумом при 520 нм, делают вывод об отнесении алмазной пластины к группе низковольтных детекторов, при отсутствии свечения в полосе с максимумом при 520 нм делают вывод об отнесении алмазной пластины к группе высоковольтных детекторов. Технический результат - упрощение применяемого оборудования для контроля и уменьшение времени контроля.

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными БИС считывания вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов, наносят слой индия, формируют области индия в виде изолированных друг от друга полос, ориентированных в направлении, перпендикулярном стоковым шинам, которые закорачивают истоки МОП транзисторов между собой в каждой полосе. Проводят контроль функционирования мультиплексора с выявлением стоков со скрытыми дефектами путем закорачивания индиевых полос на подложку с последующим формированием индиевых микроконтактов. Производят поиск дефекта в пределах только той полосы, где зафиксирована утечка, тем самым уменьшается время определения координат дефекта, так как нет необходимости проверять все истоки, принадлежащие данной стоковой шине, в которой обнаружен дефект. 4 ил.

Изобретение относится к устройствам, используемым для климатических испытаний полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров. Изобретение обеспечивает получение нормированных условий климатических испытаний электронных изделий путем равномерной подачи рециркуляционного воздуха на все полки термокамеры, что обеспечивает необходимую надежность электрических испытаний электронных изделий. Термокамера для испытания электронных изделий содержит корпус с рабочей камерой, вентилятор, установленный в рабочей камере между вытяжным и нагнетательным патрубками, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора с винтообразными канавками на внутренней поверхности и расширяющегося сопла, в котором размещено осушивающее устройство в виде емкости, предназначенной для заполнения адсорбирующим веществом. На внутренней поверхности расширяющегося сопла выполнены винтообразные канавки, касательная которых имеет направление против хода часовой стрелки, а касательная винтообразных канавок на внутренней поверхности суживающегося диффузора имеет направление по ходу часовой стрелки. В корпусе в угловых соединениях вертикальных и горизонтальных элементов воздухопровода расположены завихрители, причем каждый завихритель выполнен в виде лопасти, торцевые поверхности которых повернуты на 90° относительно друг друга. 6 ил.

Изобретение относится к способу выявления наличия дефектов в светодиодной структуре. Способ контроля качества светодиодной структуры заключается в регистрации излучения светодиодной структуры, обработке излучения для получения характеристик светодиодной структуры, на основе которых судят о качестве светодиодной структуры, при этом для каждой светодиодной структуры из партии изделий регистрируют спектр электролюминесценции, проводят построение зарегистрированного спектра в полулогарифмическом масштабе, разделяют коротковолновую область полученного спектра на участки, которые аппроксимируют определенной зависимостью, и выбирают аппроксимированные участки с максимальным и минимальным наклоном, определяют максимальную и минимальную температуры светодиодной структуры на выбранных участках, вычисляют среднее значение разницы температур, проводят сравнение значения разницы температур для каждой светодиодной структуры со средним, если значение разницы температур больше среднего, делают вывод о низком качестве структуры. Способ позволяет снизить его стоимость, использовать менее громоздкое и дорогое оборудование и определять качество корпусированных светодиодов, в том числе входящих в состав изделий на их основе. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка». Способ определения электропроводности и толщины полупроводникового слоя включает облучение слоя электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, согласно решению, используют одномерный волноводный СВЧ фотонный кристалл, в котором создают нарушение периодичности в виде измененной толщины центрального воздушного слоя. Предварительно помещают измеряемый полупроводниковый слой внутрь центрального слоя на заданном расстоянии от его границы, дополнительно измеряют частотную зависимость коэффициента прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, затем помещают измеряемый полупроводниковый слой внутри центрального слоя на новом расстоянии от его границы или изменяют толщину центрального слоя, измеряют частотные зависимости коэффициента отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, взаимодействующего с фотонным кристаллом, при новом положении исследуемой полупроводниковой структуры или при новом значении толщины центрального слоя, рассчитывают с помощью ЭВМ значения толщины и электропроводности, при которых теоретические частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения, полученные при двух расстояниях от границы центрального слоя до исследуемой полупроводниковой структуры или при двух значениях толщины центрального слоя, наиболее близки к измеренным в этих положениях из решения системы уравнений. 8 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность измерений и достоверную оценку концентрации дефектов в объеме эпитаксиального слоя кремния на границе «кремний-сапфир». В способе контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках, включающем подготовку поверхности образца, воздействие излучением с длиной волны =380÷630 нм на образец, вращающийся вокруг вертикальной оси и перемещающийся в горизонтальном направлении относительно падающего излучения, регистрацию амплитуд регистрируемого сигнала, расчет относительной дефектности эпитаксиального слоя N_деф и сравнение рассчитанного значения N_деф с известным значением N_{деф (эт)} эталона сравнения, воздействие на образец осуществляют импульсами длительностью ₁=50÷100 мкс и скважностью ₂=250÷500 мкс, в качестве регистрируемого сигнала используют амплитуду U_вых наведенной в эпитаксиальном слое кремния фотоЭДС, а относительную дефектность эпитаксиального слоя рассчитывают из соотношения:

,

где U_вых(min) - минимальное из зарегистрированных значений U_вых. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей. Сущность способа заключается в том, что при изготовлении высокоплотных электронных модулей на основе формирования встроенных пассивных элементов, прямого монтажа активных элементов (чипов) и послойного формирования межсоединений до изготовления и монтажа электронных модулей разрабатывают видоизменение схемы, которое предназначено только для ее тестируемости, а за счет технологических операций после формирования пассивных и монтажа активных элементов и перед формированием межсоединений проводят многофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента. Технический результат: расширение арсенала способов снижения стоимости изготовления высокоплотных электронных модулей, увеличение выхода годных. 7 ил.

Изобретение относится к области испытаний сложно-функциональной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что используют трехпараметрическое распределение Вейбулла или доверительный интервал, внутренние границы которого (U - нижняя и V - верхняя) получают на основе обработки экспериментальных данных по облучению выборки размером n, внешние границы (U - нижняя и V - верхняя) задают из общих физических представлений, определяющими из которых является уровень отсутствия наблюдаемых критических изменений и незначительное, на 20-30%, превышение требований по стойкости объектов к воздействию ИИ, в выбранных границах (U, V) вводят экспериментально полученную интегральную функцию распределения нижних допустимых уровней стойкости к различным видам ИИ, определяют скорость изменения вероятности параметрических или функциональных отказов (интенсивность изменения параметрического ресурса), затем строят семейство графиков зависимости функции распределения F(U, x) от различных видов ионизирующих излучений (флюенса нейтронов (F_n); мощности дозы гамма-рентгеновского излучения (P _-X-Rey); полной поглощенной дозы (D _-X-Ray); флюенса тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) Ф_ион; величины линейных потерь энергии (LET) (для аппаратуры, размещаемой на космическом аппарате (КА) и т.п.) при фиксированных значениях , по построенным графикам определяют уровень радиационной нагрузки , при котором вероятность отказа прибора составляет F _CRIT, или ресурс сохранения работоспособности R_СОХР =1-F_CRIT. Технический результат - повышение достоверности определения стойкости электронных компонентов и блоков РЭА к воздействию ионизирующего излучения. 3 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники - инфракрасным (ИК) фотодетекторам - и может быть использовано для контроля технологического процесса и материала. Способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках заключается в том, что в тестовой структуре, выполненной на общем базовом слое, на поверхности p-n или n-p переходов фотодиодов изготавливают контактные электроды, которые изолируют от базового слоя диэлектрическим слоем. Радиусы контактных электродов больше радиусов p-n или n-p переходов фотодиодов и имеют общую ось симметрии. На поверхности базового слоя изготавливают контакт. Освещение тестовой структуры осуществляют в спектральном диапазоне поглощения базового слоя, со стороны контактных электродов непрозрачных для потока ИК-излучения. Проводят измерение фототоков фотодиодов и вычисляют отношения фототоков двух фотодиодов в тестовой структуре. Осуществляют теоретически расчет фототоков разных фотодиодов тестовой структуры и построение графиков зависимости отношения фототоков фотодиодов от диффузионной длины неосновных носителей заряда. Найденные из измерений отношения фототоков сравнивают с теоретически рассчитанными по графикам и определяют величину диффузионной длины неосновных носителей заряда. Техническим результатом изобретения является повышение процента выхода годных матричных ИК-фотоприемников, упрощение способа и повышение его точности. Предлагается также тестовая структура для реализации способа. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области проектирования контактирующих устройств для бескорпусных электронных компонентов и микроплат для трехмерных сборок и может быть использовано при производстве интегральных схем для их функционального контроля и электротренировки (ЭТТ). Изобретение обеспечивает низкую стоимость операций функционального контроля и ЭТТ электронных компонентов. Сущность изобретения: контактирующее устройство выполняют в виде рамки с растянутой на ней гибкой печатной платой, имеющей выступ с внешним разъемом, на гибкой печатной плате ориентировано закреплены шаблоны, имеющие сквозные окна для размещения в них контролируемых электронных компонентов, на поверхности гибкой печатной платы проводники своими выступами образуют ламели с контактными зонами в соответствии с топологией контактных площадок контролируемых элементов, при этом суммарный зазор между окном шаблона и электронным компонентом не должен превышать расстояние между смежными ламелями, между основанием контактирующего устройства и гибкой печатной платой расположена эластичная прокладка, материал которой обладает свойством упругой деформации, электронные компоненты, размещенные в окнах шаблонов, со своей обратной стороны имеют тепловой контакт с теплоотводом, который одновременно служит механическим прижимом, на поверхности теплоотвода и рамки, контактирующих с гибкой печатной платой, нанесено электроизоляционное покрытие. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского луча, использование рентгеновской однокристальной дифрактометрии с немонохроматическим, квазипараллельным пучком рентгеновских лучей и позиционно-чувствительным детектором, рентгеновскую трубку и детектор устанавливают относительно углового положения характеристического пика от одной из систем кристаллографических плоскостей гетероструктуры на угол ₁= ±(0.5°÷4°), по отклонению положения интерференционного пика тормозного излучения на шкале детектора от угла падения рентгеновского луча определяют погрешность положения образца, с учетом полученной погрешности независимым перемещением устанавливают трубку в положение , при котором ось симметрии между трубкой и детектором перпендикулярна к выбранной системе кристаллографических плоскостей, при таком положении трубки проводят пошаговое сканирование в диапазоне углов, характеризующих выбранную систему кристаллографических плоскостей, независимым перемещением устанавливают трубку на угол ₁= ±(0.2°÷1°), выводя максимум тормозного пика за границы характеристического пика, затем проводят пошаговое сканирование всех слоев гетероструктуры, оставляя неизменным угловое положение характеристического пика от системы кристаллографических плоскостей путем перемещения шкалы детектора, и определяют угловые положения пиков от всех слоев гетероструктуры. Техническим результатом изобретения является повышение разрешения и точности измерения углов Брэгга наблюдаемых максимумов интенсивности при исследовании широкозонных гетероструктур AlGaN/GaN и КНИ-структур с субмикронными и нанометровыми слоями и, следовательно, более точное определение фазового состава и свойств слоев, формирующих гетероструктуры. 1 табл., 5 ил.

Изобретение относится к области диагностики полупроводниковых структур нанометрового размера и может быть использовано для обнаружения и классификации квантовых точек. Сущность изобретения: в способе обнаружения квантовых точек, расположенных на диагностируемом образце, образец пошагово сканируют по координатам XY с помощью электропроводящей нанометрового размера иглы с пикосекундным разрешением и производят анализ электродинамических характеристик. Анализ осуществляется следующим образом: электрически воздействуют стимулирующим прямоугольным импульсом на полупроводниковую квантовую точку, принимают аналоговый сигнал отклика, преобразуют его в дискретный сигнал, выделяют информационную часть отклика, идентифицируют ее на принадлежность заданному классу разброса динамических характеристик, осуществляют запоминание координат XY в память и выполняют отображение топологий обнаруженных квантовых точек с параметрами, входящими в заданные допусковые зоны. Изобретение обеспечивает повышение достоверности обнаружения квантовых точек. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области измерений неоднородностей поверхностей гетероструктур. Способ заключается в измерении в геометрии на отражение сигнала второй гармоники от поверхности образца, облучаемой пикосекундными лазерными импульсами мощностью, необходимой для генерации второй оптической гармоники, но не превосходящей мощности пробоя. При этом направление поляризации линейно-поляризованного излучения накачки плавно изменяется с помощью вращения полуволновой пластины. Одновременно с изменением направления поляризации излучения накачки вращается анализатор, пропускающий излучение второй гармоники, для определения морфологических особенностей составляющих слой полупроводниковых кристаллов. Сканирование слоя микрокристаллов при изменении расстояния от фокусирующей линзы до образца в условиях жесткой фокусировки позволяет определить качество гетероструктуры по толщине. Изобретение обеспечивает повышение качества наносимых слоев гетероструктур за счет измерения интенсивности распределения локальных электромагнитных полей на поверхности микрослоя и определения кристаллографических и морфологических характеристик составляющих слой микрокристаллов. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины. Способ включает облучение объекта в n-точках непрерывным зондирующим ИК-излучением L₁ с длиной волны ₁ 5,0 мкм, регистрацию интенсивности I_n прошедшего через объект излучения L₁ и математическую обработку результатов регистрации. При этом объект дополнительно облучают пересекающим излучение L₁ импульсным ИК-излучением L₂ с длиной волны ₂=1,0÷1,3 мкм, длительностью импульса ₂=0,8÷1,0 мс и частотой следования импульсов ₂=0,6÷1,0 мкс, регистрацию интенсивности I_n осуществляют в период между импульсами излучения L₂. Визуализацию распределения структурных дефектов в объеме объекта осуществляют по отношению I_n/I _max, где I_max - максимальное из зарегистрированных значений I_n. Изобретение обеспечивает прямую визуализацию распределения структурных дефектов в объеме кремния. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает повышение точности и увеличение производительности метода измерения времени жизни неосновных носителей заряда в процессе неразрушающего послойного исследования его распределения в слитках кремния. В способе контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния, включающем нагрев объекта, освещение объекта импульсным возбуждающим лучом L₁ (длина волны ₁=1,15÷1,28 мкм) и зондирующим лучом L ₂ (длина волны ₁< ₂ 6,0 мкм), пересечение лучей L₁ и L₂ , внутри объекта, регистрацию прошедшего через объект луча L ₂, измерение временной зависимости интенсивности прошедшего через объект луча L₂ с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда для координаты точки пересечения лучей L₁ и L₂, сканирование объема объекта указанной областью пересечения и определение времени жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей, освещение объекта лучом L₁ осуществляют со стороны боковой поверхности объекта, причем освещение осуществляют через фокусирующую линзу, луч L₁ фокусируют в объеме объекта, а сканирование объема объекта осуществляют областью пересечения луча L₂ с фокусом луча L₁. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает увеличение производительности метода измерения времени жизни неосновных носителей заряда в процессе неразрушающего послойного исследования его распределения в слитках кремния. В способе измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающем нагрев слитка кремния до температуры не менее 80°С, освещение торца слитка импульсным возбуждающим лучом L₁ длиной волны ₁=1,15÷1,28 мкм и освещение боковой поверхности слитка зондирующим лучом L₂ с длиной волны ₁< ₂ 6,0 мкм, пересечение лучей L₁ и L₂ внутри слитка, регистрацию прошедшего через слиток луча L ₂, измерение временной зависимости интенсивности прошедшего через слиток луча L₂ с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда для координаты точки пересечения лучей L₁ и L₂ и сканирование объема слитка указанной областью пересечения и определение времени жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей. Освещение слитка лучом L₁ осуществляют через плоскую фокусирующую линзу, плоский фокус луча L₁ располагают в плоскости пересечения лучей L₂, a сканирование объема слитка осуществляют областью пересечения лучей L₂ с фокусом луча L ₁. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к аналитической химии, в частности к методам создания стандартных образцов химического состава наноматериалов. Для получения наноразмерного тонкопленочного стандартного образца химического состава неорганического вещества или материала методом масс-спектрометрии с искровым источником ионов осуществляют последовательное удаление нанослоев образца и определение толщины и химического состава каждого удаленного слоя до образования нанослоя, химический состав которого идентичен химическому составу предыдущего удаленного нанослоя, этот химический состав нанослоя метрологически аттестуют и используют образовавшийся поверхностный нанослой в качестве тонкопленочного стандартного образца наноматериала для калибровки приборов и контроля правильности химического анализа. Изобретение позволяет получить стандартный тонкопленочный образец, который может быть использован для количественного измерения примесного состава различных наноразмерных пленок. 4 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области измерительной техники. Технический результат - получение в реальном масштабе времени величины коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения, что позволяет по известной зависимости для транзисторов оценить радиационное изменение амплитудных и временных параметров. В способе определения коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения в состав каждой БИС вводят встроенные дозиметры сопровождения в виде независимых тестовых n- и p-канальных транзисторных структур МДП, включенных в режиме конденсатора, эти структуры независимо облучают в составе разных БИС импульсным излучением рентгеновского источника или излучением гамма-квантов нуклидного источника Co ⁶⁰, электрофизические параметры структур МДП до и в процессе облучения определяют с использованием способа кулонометрического измерения и по изменению импульсного падения напряжения на измерительном резисторе R_H, включенном последовательно между телом структуры МДП, сформированной по единой базовой технологии, что и для основной БИС, и его приращения при воздействии ионизирующих излучений различной природы получают значение RDEF результата воздействия на БИС технологии КМОП/КНД излучения импульсного рентгеновского источника по сравнению с гамма-излучением эталонного нуклидного источника Co⁶⁰ с использованием определенного соотношения. 3 з.п. ф-лы, 8 ил., 3 табл.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники. В устройстве для климатических испытаний полупроводниковых приборов накопитель с неподвижной винтовой направляющей, установленной внутри транспортирующего приводного ротора с продольными направляющими в виде лотков с поперечными пазами для загрузки и выгрузки приборов, дополнительно снабжен вертикальной направляющей приборов на выходе приемного канала в виде плоского кольца с поддерживающими сегментами, закрепленными на его внутренней образующей и размещенными между кромками приемных пазов соседних лотков с образованием кольцевой поверхности, и гибкой ленты, подпружиненной концами относительно приемного канала и охватывающей приемные пазы лотков и поддерживающие сегменты. Размещен накопитель на опорных стойках, установленных на плите, консольно закрепленной на корпусе камеры. Опорная стойка, установленная на свободном конце плиты, жестко связана с приемным каналом, который дополнительно жестко связан с направляющим лотком узла загрузки. Последний выполнен с возможностью продольного перемещения. Другая опорная стойка выполнена регулируемой по высоте и с возможностью поворота вокруг своей оси. Узел контактирования жестко соединен с корпусом камеры, а его приемный лоток жестко соединен с плитой накопителя со стороны закрепленного конца. Изобретение обеспечивает универсальность работы устройства при переходах с низкотемпературных рабочих режимов на высокотемпературные и наоборот, снижение механического повреждения приборов и не производительных затрат в процессе эксплуатации. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и контактное окно к подложке. Наносят слой или слои металла. Проводят фотолитографическую обработку по слою или слоям металла для создания металлической площадки. Проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии. Контролируют функционирование годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток. Удаляют слой (слои) металла вне контактных окон в органических растворителях методом «взрыва» с оставлением адгезионных слоев в области контактных окон. Формируют индиевые микроконтакты. Режут пластины на кристаллы. Предложен простой и экономичный способ тестирования кремниевых МОП мультиплексоров в процессе их изготовления на предмет обнаружения электрических дефектов. 5 ил.

Изобретение относится к способу определения температуры активной области полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), который может быть использован для контроля качества СИД на всех этапах производства. В предложенном способе определения температуры активной области СИД при температурной градуировке светодиода получают ряд зависимостей длины волны от температуры для выбранных точек в заданной длинноволновой части спектра излучения светодиода. Затем проводят измерение спектра светодиода при определенном значении прямого тока и из этого спектра определяют значение длин волн в выбранных точках в заданной длинноволновой области спектра, далее по градуировочным зависимостям определяют температуру для каждой выбранной точки и для расчета точной температуры активной области светодиода получают ее среднее значение. Технический результат - предложенный способ позволяет повысить достоверность определения температуры, что обеспечивает надежный, качественный, неразрушающий, дешевый и автоматизированный контроль готовых СИД, дисплеев, ламп и матриц на их основе. 4 ил., 3 табл., 1 пр.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП). Сущность изобретения: способ регулирования сопротивления твердотельных приборов на основе ПЭМП позволяет регулировать сопротивление металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, электрическим сигналом во всем интервале физически возможных значений сопротивления как в сторону уменьшения сопротивления, так и в сторону увеличения сопротивления с сохранением выставленного состояния энергонезависимо с повышенной стойкостью к внешним воздействиям. Техническим результатом изобретения является возможность регулирования сопротивления металлической перемычки прибора до заданной величины во всем интервале физически возможных значений. Техническим результатом резистивной матрицы памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии является возможность в каждой ячейке резистивной матрицы памяти осуществлять многократную запись, стирание и энергонезависимое хранение информации в смешанной системе счисления. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающем анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в водном растворе электролита и последующее визуальное определение мест расположения неоднородностей на поверхности твердого тела, согласно изобретению в качестве водного раствора электролита используют водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией от 0,05 до 0,1 М, процесс электролиза ведут в течение от 0,5 до 5,0 с при постоянном напряжении от 30 до 130 В, при этом о местах расположения неоднородностей в твердом теле из полупроводникового материала судят по местам расположения на его поверхности участков, цвет или цветовой тон которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности твердого тела. При реализации изобретения не используются агрессивные химические агенты.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: тестовая структура состоит из проводника металла с двумя выводами для подключения источника тока и двумя потенциальными выводами для измерения падений напряжения при протекании тока через проводник. К проводнику металла присоединен сбоку дополнительный проводник из металла, при этом у этого проводника есть токовый и потенциальный выводы на свободном конце и потенциальный вывод в области его подсоединения к проводнику. На данной тестовой структуре проводятся испытания металлических проводников на надежность. Изобретение обеспечивает повышение информативности о допустимой плотности тока металлизации при учете особенностей металлической разводки в интегральной микросхеме. 5 ил., 3 табл.

Изобретение может быть использовано как в технологии изготовления ППИ, так и для анализа изделий у потребителей. Устройство для контроля полупроводниковых изделий по вторым производным вольт-амперных и вольт-кулонных характеристик содержит аналого-цифровой преобразователь (АЦП), электронно-вычислительную машину (ЭВМ), монитор, цифроаналоговый преобразователь (ЦАП), схему управления, блок формирования бигармонического сигнала, выход которого подключен к входу ППИ, а вход подключен к первому выходу схемы управления, управляемый источник напряжения (УИН), выход которого также подключен к входу ППИ, а вход подключен ко второму выходу схемы управления, блок измерений информационного сигнала, вход которого подключен к выходу ППИ, а выход соединен с входом АЦП. Изобретение позволит повысить чувствительность к выявлению скрытых дефектов и увеличить функциональные возможности контроля ППИ с использованием дополнительной первичной диагностической информации в виде второй производной вольт-кулонной характеристики. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП. Устройство для кулонометрического измерения электрофизических параметров наноструктур транзистора n-МОП в технологиях КМОП/КНД включает генератор прямоугольных импульсов напряжения положительной полярности, тестовый конденсатор МДП, токоограничивающий резистор нагрузки R_H и осциллографический регистратор формы импульса, соединенные последовательно конденсатор МДП и резистор нагрузки со стороны затвора конденсатора МДП одним концом подключены к резистору R_Н, согласующему волновое сопротивление измерительной линии, в месте присоединения R1 к сигнальному концу измерительной линии, а вторым концом, со стороны R_H, соединены с узлом соединения R1 с общей шиной нулевого потенциала измерительной линии, сигнальный конец которой с другой стороны соединен с входной цепью генератора прямоугольных импульсов, а к узлу соединения конденсатора МДП и резистора нагрузки R_H подключены входные цепи осциллографического регистратора. Технический результат изобретения - измерение таких ЭФП, среди которых: профиль распределения концентрации носителей заряда в буферных слоях структур КНД; их подвижности; величины стационарного встроенного заряда в структуре МДП; сопротивление утечки подзатворного диэлектрика при синхронизации воздействия на структуру МДП импульсного ионизирующего излучения (ИИИ) и прямоугольного импульса напряжения при длительности цикла измерения менее 1 мс в процессе или непосредственно после воздействия ИИИ. 5 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых пластинках. В способе используется дифференциальная оптическая схема, при помощи которой луч зондирующего лазера сначала разделяется на два луча, один из которых проходит через образец в той точке, где проводятся измерения, а другой в точке, расположенной на расстоянии, много большем диффузионной длины носителей заряда от нее. После этого оба луча собираются в одну точку, в которой расположен фотоприемник. Вследствие изменения показателя преломления в окрестности точки образца, в которой проводятся измерения, между этими лучами изменяется разность хода. Благодаря интерференции интенсивность излучения, попавшего на фотоприемник, изменяется. Рассчитав изменение показателя преломления по изменению интенсивности падающего на фотоприемник излучения и зная параметры коротковолнового инжектирующего излучения, расчетным путем определяют время жизни носителей заряда. Применение такой схемы позволяет увеличить чувствительность метода примерно в пять раз. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании как полупроводниковых материалов, так и полупроводниковых приборов, созданных на их основе. Изобретение обеспечивает расширение области применения за счет получения возможности измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с неизвестными значениями параметров и повышение точности измерения. Сущность изобретения: устройство для бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках, содержащее источник света с энергией фотонов, большей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, источник зондирующего излучения с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, а также фотоприемник, регистрирующий прошедшее через образец или отраженное им зондирующее излучение, дополнительно содержит модулятор излучения оптического инжектора, который входит как самостоятельный узел в оптический инжектор, обеспечивающий калиброванную частоту модуляции, и измеритель разности фаз, один вход которого соединен с выходом фотоприемника, регистрирующего прошедшее через полупроводниковый образец или отраженное им зондирующее излучение, а другой вход соединен с модулятором оптического инжектора. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.