Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ........на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры – H01L 21/8238

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник (КМОП ИС). Изобретение обеспечивает сохранение электрофизических и конструктивных параметров активных и пассивных элементов в интегральных схемах на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник при формировании силицида титана. Сущность изобретения: способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах заключается в формировании активных и пассивных элементов КМОП ИС на основе областей n и р типа проводимости в кремниевой подложке и слое поликристаллического кремния, осаждении блокирующего слоя, формировании фоторезистивной маски, травлении блокирующего слоя, удалении фоторезистивной маски, очистке поверхности кремния, нанесении слоя титана на поверхность кремния и блокирующего слоя, отжиге слоя титана в азоте, удалении не прореагировавшего с кремнием титана и дополнительно отжиге в азоте. В качестве блокирующего слоя используют пленку нитрида титана толщиной 5-20 нм, полученную путем физического распыления титановой мишени в атмосфере азота, а блокирующий слой удаляют в процессе удаления не прореагировавшего с кремнием титана. 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области микроэлектроники и предназначено для изготовления радиационно-стойких БИС. Сущность изобретения: способ изготовления радиационно-стойких БИС включает создание на исходной подложке полевого оксида кремния и активных областей транзисторов, охранных областей, затворного оксида кремния, поликремниевых областей затворов транзисторов и межсоединений, масок для легирования примесями n- и р-типа охранных активных областей и активных областей транзисторов, межслойной изоляции, контактных окон и металлизации БИС. В процессе создания активных областей между каналами, стоками, истоками транзисторов n-типа и охранными областями р-типа формируют дополнительные буферные канальные участки, а затворный оксид кремния создают после образования полевого оксида кремния. При формировании затворов транзисторов создают дополнительные поликремниевые затворные охранные области, полностью перекрывающие буферные канальные участки активных областей. Маска для легирования активных областей n-типа частично открывает полевые области и дополнительные поликремниевые затворные области на участках, примыкающих к каналам транзисторов n-типа. Маска для легирования активных областей р-типа частично открывает дополнительные поликремниевые затворные области на участках, примыкающих к охранным областям р-типа. Изобретение обеспечивает повышение степени интеграции и упрощение способа. 13 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3000 нм. Полупроводниковая подложка может быть выполнена из кремния (Si), на которой выполнен подслой SiQ₂ толщиной 0.1-1 нм. Также предложена структура, изготовленная описанным выше способом. Изобретение обеспечивает управление напряжением переключения полевого транзистора n-типа и уменьшение напряжения переключения полевого транзистора n-типа с увеличением стабильности напряжения переключения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с увеличением стабильности напряжение переключения. Сущность изобретения: в способе формирования полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, включающем осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости, нанесение на него изолирующего слоя и осаждение металлического затвора, поверхность осажденного слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости подвергают отжигу в вакууме при температуре 500-800°С, с давлением остаточных газов менее 10^-5 mbar, при продолжительности отжига 3-10 мин, после отжига осуществляют остывание в вакууме. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Использование: микроэлектроника, технология изготовления МОП и биполярных транзисторов в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП транзисторов с приподнятыми электродами после вскрытия окон под сток-истоковые области и формирования разделительного диэлектрика на стенках окон, формируют на стенках окон аморфный кремний, монокристаллические электроды в сток-истоковых окнах формируются методом гидридной эпитаксии, в результате которой в окнах, вскрытых до монокристаллического кремния, растет монокремний, а над аморфным кремнием - поликристаллический кремний, удаляют поликристаллический кремний химико-механической полировкой и осуществляют селективное травление диэлектрика, расположенного над затворными и изолирующими областями. Техническим результатом изобретения является повышение выхода годных за счет предотвращения повышенных токов утечки p-n-переходов или закоротки затвор - (сток-истоковые области), подложка - (сток-истоковые области). Монокристаллические электроды сток-истоковых областей уменьшают последовательное сопротивление транзистра, что способствует повышению его быстродействия. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. Сущность изобретения: способ увеличения радиационной стойкости элементов КМОП-схем на КНИ подложке включает создание на КНИ подложке рабочих и изолирующих областей схемы, легирование рабочих областей кремния путем ионной имплантации бора, имплантацию ионами фтора границы кремний - скрытый окисел дозой от 10 ¹² до 10¹⁴ ион/см ², химическую очистку поверхности, формирование подзатворного диэлектрика, формирование затворов, легирование и отжиг сток-истоковых областей и формирование металлизации. Изобретение позволяет повысить надежность КМОП-схем на КНИ подложке и упростить их производство. 2 табл.

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей другого типа проводимости с низкой концентрацией примеси, осаждение слоя оксида кремния, формирование в нем разделительных зон между областями стоков, истоков и охранных зон, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с высокой концентрацией примеси, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей другого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, осаждение слоя оксида кремния и его химико-механическую полировку до вскрытия поверхности затворов, вскрытие в упомянутом слое оксида кремния контактных окон к диффузионным областям, нанесение металла и формирование разводки. Технический результат изобретения заключается в повышении процента выхода годных ИС за счет повышения воспроизводимости электрических параметров и характеристик пассивных и активных элементов взаимодополняющих ИС и повышении быстродействия за счет уменьшения величин проходных емкостей МДП транзисторов, при стабилизации величины поверхностной концентрации примеси в областях стоков, истоков и охранных зонах. 12 ил.