Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .........динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ) – H01L 21/8242
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/8242 .........динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ)
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. Предотвращающий окисление слой, такой как слой нитрида, формируют на разрядных шинах или в контактных отверстиях, чтобы исключить диффузию кислорода в структуру разрядной шины. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 13 ил. | 2234763 патент выдан: опубликован: 20.08.2004 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Использование: в устройствах записи и хранения информации. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство (ЗУ) содержит узел ЗУ, образованный затвором транзистора, сформированного на полупроводниковой подложке, и многослойную структуру, которая состоит из полупроводниковых слоев и запирающих слоев в качестве изоляторов и которая сформирована на узле ЗУ, при этом запись информации в узел ЗУ или ее стирание из узла ЗУ осуществляются за счет инжекции зарядов в узел ЗУ через многослойную структуру, соответственно за счет удаления зарядов из узла ЗУ через многослойную структуру. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового ЗУ, обладающего хорошей долговременной памятью и одновременно работающего устойчиво и с высокой скоростью. 2 с. и 7 з.п. ф-лы, 35 ил. | 2216819 патент выдан: опубликован: 20.11.2003 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С КОНДЕНСАТОРАМИ, ОБРАЗОВАННЫМИ НАД И ПОД ТРАНЗИСТОРОМ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ (ВАРИАНТЫ), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: динамические оперативные запоминающие устройства. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти, содержит первый и второй транзисторы, образованные на первом уровне; первый электрод хранения, соединенный с первым транзистором и выполненный под первым уровнем, и второй электрод хранения, соединенный со вторым транзистором и выполненный над первым уровнем. Первый и второй электроды хранения соединены с каждым истоком через прокладку, образованную на боковых стенках каждого истока, и между электродами хранения и транзистором выполнены подтравливания. Техническим результатом изобретения является увеличение емкости вдвое или больше, достижение стабильной характеристики транзистора ячейки памяти и уменьшение эффекта укорачивания каналов. 3 с. и 13 з.п.ф-лы, 10 ил. | 2194338 патент выдан: опубликован: 10.12.2002 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, ИМЕЮЩЕГО САМОВЫРАВНЕННЫЙ КОНТАКТ Использование: в технологии изготовления полупроводниковых запоминающих устройств. Сущность изобретения: предложен способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства, в котором разрядная шина и электрод хранения конденсатора соединяются с активной зоной полупроводниковой подложки соответственно через контактную площадку, образованную самовыравнивающим образом. Способ включает в себя этапы образования на полупроводниковой подложке управляющих электродов, причем управляющие электроды покрываются нитридной прокладкой. Затем на обнаженной поверхности полупроводниковой подложки между управляющими электродами формируют тепловой оксидный слой. После этого прекращающий травление слой формируют на всей поверхности результирующей структуры, имеющей тепловой оксидный слой с соответствующей толщиной, чтобы не было спрятано пространство между управляющими электродами. Затем формируют первую пленку межслойного диэлектрика (ILD), покрывающую пространство между управляющими электродами и верхней частью управляющих электродов с последующим структурированием первой пленки ILD с целью образования отверстия контактной площадки, которое обнажает прокладку и прекращающий травление слой. Затем прекращающий травление слой и тепловой оксидный слой удаляют, чтобы обнажить поверхность полупроводниковой подложки, после чего отверстие контактной площадки заполняют проводящим материалом, чтобы образовать контактные площадки. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового запоминающего устройства с обеспечением большого предела выравнивания. 2 с. и 24 з.п.ф-лы, 28 ил. | 2190897 патент выдан: опубликован: 10.10.2002 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА Использование: для изготовления полупроводникового запоминающего устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле". Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле", накопительный контакт в области матрицы ячеек и металлический контакт для локального межсоединения в области периферийной схемы формируют одновременно. Способ включает формирование разрядной шины, подсоединенной к активной области полупроводниковой подложки. Полупроводниковая подложка имеет транзистор, выполненный в области матрицы ячеек и области периферийной схемы и покрытый диэлектрическими пленками, разделяющими проводящие слои. На полученной структуре формируют первый защитный слой из первого электроизоляционного материала для покрытия разрядной шины. На всей поверхности полученной структуры формируют первую диэлектрическую пленку, разделяющую проводящие слои, предназначенную для экспонирования верхней поверхности первого защитного слоя, используя при этом второй электроизоляционный материал, который имеет отношение скоростей травления, отличающееся от отношения скоростей травления первого электроизоляционного материала. После этого на первом защитном слое и первой диэлектрической пленке, разделяющей проводящие слои, формируют второй защитный слой из третьего электроизоляционного материала. Первое контактное окно для накопительного контакта, электрически связанного с активной областью полупроводниковой подложки, и второе контактное окно для металлического контакта, предназначенного для локального межсоединения, последовательно формируются в области матрицы ячеек и области периферийной схемы с помощью фотолитографии. Затем формируется проводящий слой посредством осаждения металла на всю поверхность полученной структуры для заполнения первого и второго контактных окон. В первом контактном окне формируется штырек путем удаления проводящего слоя за исключением части, заполняющей первое контактное окно в области матрицы ячеек. На верхней части второго контактного окна формируется слой разводки посредством формирования рисунка проводящего слоя в области периферийной схемы. После этого только в области периферийной схемы полученной структуры из четвертого электроизоляционного материала формируется вторая диэлектрическая пленка, разделяющая проводящие слои. Отношение скоростей травления четвертого электроизоляционного материала отличается от отношения скоростей травления третьего электроизоляционного материала. На верхней части штырька в области матрицы ячеек формируется электрод накопления из первого проводящего материала. Затем на поверхности электрода накопления формируется диэлектрическая пленка, а на ней - плоский электрод из второго проводящего материала. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления полупроводникового устройства со структурой типа "конденсатор на металле". 5 з.п. ф-лы, 10 ил. | 2176423 патент выдан: опубликован: 27.11.2001 |
|