Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .корпусы, уплотнения – H01L 23/02

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу. С целью повышения надежности и времени сохранения герметичности в корпусе, содержащем основание с внешними выводами, крышки, присоединенные к основанию пайкой по контуру, внешняя поверхность, по крайней мере, одной из крышек, вне зоны пайки содержит систему неровностей правильной формы, выполненных в виде пуклевок, а внутренняя поверхность крышки с пуклевками вне зоны пайки содержит слой геттера. 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания, герметичное соединение их высокотемпературной пайкой, последующее расположение в корпусе, по меньшей мере, одного кристалла активного элемента и, по меньшей мере, одной согласующей интегральной схемы, по меньшей мере, одного полупроводникового прибора и соединение их низкотемпературной пайкой. Высокотеплопроводное основание изготавливают, по меньшей мере, с одним выступом на его лицевой стороне, дополнительно изготавливают компенсаторный элемент из металла или сплава металлов с заданным температурным коэффициентом линейного расширения. При совмещении рамки с выводами и высокотеплопроводного основания высокотемпературный припой располагают только между высокотеплопроводным основанием и рамкой с выводами, а упомянутое герметичное соединение осуществляют одновременно с соединением компенсаторного элемента с высокотеплопроводным основанием при температуре 650-1100°C. Технический результат - улучшение отвода тепла и снижение потерь СВЧ в корпусе и соответственно повышение выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ, повышение надежности, выхода годных и технологичности. 7 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю. Технический результат - предложение силового полупроводникового модуля, обладающего высокой взрывоустойчивостью и изготавливаемого с особенно оптимальными затратами. Достигается тем, что в силовом полупроводниковом модуле (1), включающем в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и у которого имеются электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), предлагается построить изолирующие боковые стенки (13) в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14, 15, 16) прилегают друг к другу контактными областями. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области светотехники, в частности к светодиодным лампам с круговым обзорным освещением. Заявленная светодиодная лампа содержит корпус-радиатор с продольными наружными и внутренними элементами охлаждения, образующими транспортные каналы для прохождения конвекционных потоков воздуха, и корпуса-радиатора в виде шестигранника из трех, одинакового размера, больших граней, выполненных с внутренними элементами охлаждения, расположенных через 120°, и расположенных между большими гранями трех малых граней, выполненных с наружными элементами охлаждения. Кроме того, на больших гранях шестигранника, выполненные за одно целое с ними, размещены установочные элементы для светодиодов, а в нижней части корпуса, для предохранения блока питания от замыкания и перегрева - три кольцеобразных элемента. С торцовых сторон корпуса-радиатора установлены две торцовые крышки со сквозными отверстиями, одна из которых через соединительное кольцо соединяет корпус-радиатор с блоком питания. Технический результат - создание светодиодной лампы с круговым обзорным освещением с эффективной системой охлаждения светодиодов и надежной в конструктивном выполнении. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для производства корпусов биполярных и полевых мощных многокристальных ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на повышение надежности СВЧ-транзисторов в процессе их сборки и эксплуатации за счет снижения внутренних напряжений, возникающих в паяном шве между керамическим основанием и фланцем при пайке корпусов. Сущность изобретения: в металлокерамическом корпусе многокристального полупроводникового прибора на металлизации обратной стороны керамического основания создан рисунок, который представляет собой набор прямоугольников, разделенных изолирующими дорожками. По форме прямоугольники соответствуют проекции кристаллов, напаянных на монтажные площадки лицевой стороны, а размеры их совпадают с расширенным эффективным сечением теплового потока, площадь которого больше площади кристалла на толщину керамического основания. 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы, включающем присоединение к лицевой стороне исходной кремниевой пластины со сформированным кристаллом интегральной микросхемы другой кремниевой или стеклянной пластины-крышки, утонение исходной пластины, формирование на обратной утоненной стороне металлизированных контактных площадок, имеющих с соответствующими контактными площадками интегральной микросхемы низкоомное электрическое соединение, формирование на базе контактных площадок обратной стороны столбиковых выводов интегральной микросхемы, разделение на отдельные кристаллы-корпуса, низкоомное электрическое соединение между контактными площадками лицевой и обратной стороны исходной кремниевой пластины формируют с помощью сквозных низкоомных каналов в исходной кремниевой пластине перед процессом изготовления кристалла интегральной микросхемы путем локального травления канавок с обратной стороны исходной кремниевой пластины на глубину несколько большую толщины активных структур будущего кристалла интегральной микросхемы, термического окисления обратной стороны исходной пластины и стенок протравленных канавок до создания требуемой толщины изолирующего диоксида кремния, заполнения канавок сильнолегированным поликристаллическим кремнием, после чего к планарезированной обратной стороне исходной кремниевой пластины приклеивают опорную кремниевую пластину, затем лицевую сторону исходной кремниевой пластины сошлифовывают до появления поликремниевых областей локальных сквозных канавок и на этой поверхности формируют интегральную микросхему, затем к ней по всей площади лицевой поверхности присоединяют кремниевую или стеклянную пластину-крышку, устраняют опорную пластину и на вскрытой обратной стороне исходной кремниевой пластины в местах выхода локальных областей поликремния формируют столбиковые вывода микросхемы. Изобретение обеспечивает высокий процент выхода годных, низкую материалоемкость и себестоимость процесса корпусирования, высокие надежность и технические характеристики. 4 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на снижение теплового сопротивления и повышение надежности транзисторов большой мощности, а также повышение процента выхода при их производстве. Сущность изобретения: корпус полупроводникового прибора содержит керамическое основание с последовательно нанесенными на него методом вакуумного напыления слоями из тугоплавких материалов, слоем никеля толщиной 1,5-2,0 мкм и слоем золота толщиной 1,5-2,0 мкм, поверх которых припаяны выводы прибора и фланец, а на спаянный корпус одним слоем без подслоя нанесено золотое покрытие толщиной 3-4 мкм. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке керамических корпусов интегральных схем с устройствами для съема тепла. Сущность изобретения: в корпусе интегральной схемы, содержащем многослойное основание с матрицей шариковых выводов и расположенные на нем интегральную схему, теплоотвод, крышку и радиатор, крышка выполнена в виде тонкостенной гофрированной пластины, а толщина теплоотвода, закрепленного на интегральной схеме, превышает расстояние между внутренними поверхностями крышки и интегральной схемы на величину h, обеспечивающую постоянный тепловой контакт крышки и теплоотвода в условиях ударных нагрузок в диапазоне ускорений от 0 до 100 g, которая может быть определена по предложенной формуле, в зависимости от ударного ускорения и частоты собственных колебаний. Изобретение обеспечивает улучшение теплорассеивающих характеристик корпуса, эксплуатационную надежность в условиях больших температурных перепадов и высоких линейных нагрузок. 2 ил.

Использование: электронная техника. Сущность изобретения: корпус интегральной схемы содержит основание 1 с проводящей структурой 2 и внешние выводы 12 с изогнутыми концами. Внешние выводы 12 закреплены на контактных площадках 14, которые установлены на основание 1 на двух уровнях. Каждая площадка 14 одного уровня расположена между двумя площадками другого уровня с допуском смещения осей площадок не более 0,1 мм. Прямые участки внешних выводов 12 каждой из сторон основания закреплены на изоляторах 13, которые установлены с зазором по отношению к наружным сторонам основания и выполнены из керамической ленты с проводящими слоями. Изобретение обеспечивает уменьшение габаритных размеров корпуса за счет геометрии внешних выводов и их расположения с минимальным шагом на изоляторах. 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в корпусе для полупроводникового прибора СВЧ, в котором теплоотводящее основание и рамка выполнены монолитно, последняя - в виде бортика по его периметру, толщиной, равной не более 2,0 мм, металлокерамические вводы/выводы выполнены также монолитно в виде проводника из металла или сплава металлов, имеющих низкое электрическое сопротивление, расположенного внутри трубки с размером внутреннего сечения, равным 0,2-1,0 мм, выполненной из предварительно обожженной керамики, металлокерамические вводы/выводы и соответственно сквозные отверстия для них в рамке выполнены круглого сечения, размер сечения которых, длина металлокерамических вводов/выводов, а также размеры сечений их проводников и размер их контактных площадок определяются заданными параметрами полупроводникового прибора, а контактные площадки выполнены на концах металлокерамических вводов/выводов параллельно и/или перпендикулярно их оси. Заявлен также способ изготовления корпуса полупроводникового прибора СВЧ. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и долговечности, увеличение выходной мощности СВЧ, повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления, уменьшение массогабаритных характеристик. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса для полупроводникового прибора СВЧ при изготовлении рамки металл или сплав металлов берут в виде ленты заданной толщины, изготавливают из нее заготовки частей рамки длиной, равной половине периметра рамки, из которых изготавливают части рамки заданной высотой, с толщиной стенки, равной толщине ленты, и, по меньшей мере, с одним пазом для расположения металлокерамических выводов обработкой давлением, проводят механическую доводку размера частей рамки по высоте групповым методом посредством шлифования их на магнитной плите, осуществляют очистку поверхности частей рамки, а металлическое покрытие наносят на поверхность частей рамки в виде меди толщиной 10-100 мкм высаживанием из раствора, осуществляют сборку рамки посредством осесимметричного соединения двух ее частей с последующей их пайкой посредством упомянутого металлического покрытия в виде меди, а соединение рамки с металлокерамическими выводами и основанием выполняют герметичным, твердым припоем с температурой плавления 700-1000°С. Технический результат - повышение надежности, выхода годных, технологичности, снижение трудоемкости изготовления, экономия используемого материала. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Использование: электронная техника, при конструировании планарных металлокерамических корпусов. Сущность изобретения: корпус интегральной микросхемы содержит керамическое основание и структуру планарных выводов, концы которых припаяны к контактным площадкам и изолирующим пластинам многовыводной рамки. Рамка содержит четыре уголка, связанные с внешней стороны наружными пластинами, в центральной части которых расположены группы планарных выводов, выполненные в виде полос с шагом, равным шагу расположения контактных площадок, изолирующих пластин, припаянных к уголкам. Предложенная конструкция корпуса интегральной микросхемы надежна в эксплуатации и обеспечивает целостность внешних выводов при проведении сборочных операций входного контроля. 4 ил.

Использование: электронная техника, в частности конструкции корпусов интегральных схем. Сущность изобретения: корпус интегральной схемы состоит из основания с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов. В центральной зоне основания выполнено отверстие, в котором размещена установочная площадка для интегральной схемы, состоящая из диэлектрической пластины, соединенной посредством паянного шва с поверхностью металлической пластины. Диэлектрическая пластина выполнена из нитрида алюминия с коэффициентом теплового линейного расширения, равным коэффициенту теплового линейного расширения кремния. Предложенный корпус интегральной схемы удобен в эксплуатации, позволяет производить подключение полупроводниковых устройств к источнику энергии с высокими нагрузками, обеспечивая при этом эффективный отвод тепла от интегральной схемы. 2 ил.