Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки – H01L 23/12

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00H01L 23/12
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H01L 23/12 .крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки

Патенты в данной категории

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, УСТРОЙСТВО ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА И СИСТЕМА ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК

Предложено устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик включает в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на промежуточной подложке и выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона через диэлектрик, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, два корпусированных полупроводниковых прибора, включающих литой блок полимерного компаунда, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл и антенную структуру, и диэлектрический тракт передачи сигналов, расположенный между двумя корпусированными полупроводниковыми приборами передачи сигналов миллиметрового диапазона. Указанные корпусированные полупроводниковые приборы установлены так, что между их антенными структурами расположен указанный диэлектрический тракт передачи сигналов. Изобретение обеспечивает создание конструктивно простой схемы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, которая не зависит ни от соединителей, имеющих некоторое число клемм, ни от кабелей, требующих относительно большой площади для монтажа. 7 н. и 18 з.п. ф-лы, 39 ил.

2507631
патент выдан:
опубликован: 20.02.2014
КОРПУСЫ С МНОГОСЛОЙНОЙ УКЛАДКОЙ КРИСТАЛЛОВ В УСТРОЙСТВЕ ТИПА КОРПУС НА КОРПУСЕ, СПОСОБЫ ИХ СБОРКИ И СИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ИХ

Изобретение относится к полупроводниковым микроэлектронным устройствам и к процессам их сборки. Устройство с многослойной укладкой кристаллов включает в себя подложку корпуса и промежуточный блок с укладкой микросхем, расположенной в зазоре, который соответствует промежуточному блоку. Устройство типа корпус на корпусе с многослойной укладкой кристаллов включает в себя верхний корпус, расположенный на промежуточном блоке. Изобретение обеспечивает получение оптимальных многослойных структур кристаллов. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 ил.

2504863
патент выдан:
опубликован: 20.01.2014
ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Группа изобретений относится к электронной технике, в частности к конструкции и технологии изготовления печатной платы на металлической подложке (основании). Технический результат - обеспечение возможности изготовления в условиях традиционного сборочного производства как жесткой, так и гибко-жесткой печатной платы на металлической подложке, обладающей повышенной прочностью, устойчивостью к механическим воздействиям, улучшенными теплоотводящими и экранирующими свойствами. Достигается тем, что используют фольгированный с двух сторон диэлектрик (например, в виде гибкого полимера) и металлическую подложку с плакировочным слоем, причем между ними размещается слой припоя. В металлической подложке печатной платы могут быть выполнены сквозные отверстия для соединения с другими печатными платами. Причем облуживание печатной платы осуществляют одновременно с облуживанием плакировочного слоя металлической подложки, после чего заготовку печатной платы припаивают к заготовке металлической подложки. Возможно одновременное припаивание радиоэлементов к контактным площадкам печатной платы. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

2481754
патент выдан:
опубликован: 10.05.2013
МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к модулю полупроводникового элемента и способу его изготовления. Технический результат изобретения состоит в том, чтобы предоставлять модуль полупроводникового элемента, имеющий высокую надежность, электрическое соединение и термическое соединение и допускающий обеспечение достаточной эффективности охлаждения, а также предоставлять способ для его изготовления. Сущность изобретения: в модуле полупроводникового элемента, по меньшей мере, один полупроводниковый элемент размещается между первой изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и второй изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и внешняя периферийная часть между первой изолирующей подложкой и второй изолирующей подложкой герметизируется с помощью герметизирующего элемента, при этом полупроводниковый элемент монтируется на первой изолирующей подложке и второй изолирующей подложке посредством связывания первой изолирующей подложки с помощью герметизирующего элемента при помощи связывания при комнатной температуре, чтобы тем самым связывать первую поверхность межсоединений с первыми сквозными межсоединениями, и связывания поверхностей электродов полупроводникового элемента с первой поверхностью межсоединений и второй поверхностью межсоединений при помощи связывания при комнатной температуре. 6 н. и 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

2458431
патент выдан:
опубликован: 10.08.2012
ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к печатным платам с высокой плотностью размещения компонентов, которые используются, например, в устройствах для определения местоположения и азимута. Технический результат - создание надежного электронного модуля с высокой плотностью монтажа за счет установки дополнительных подложек для электронных компонентов. Достигается тем, что в электронном модуле, содержащем подложку с печатной схемой проводников, расположенной на лицевой и оборотной сторонах подложки, контактными площадками и электронными компонентами, расположенными на лицевой поверхности подложки и электрически соединенными в соответствии со схемой, электронные компоненты расположены и на оборотной стороне подложки. Причем имеется, по меньшей мере, одна дополнительная подложка, установленная с любой из сторон подложки, а электрическое соединение между подложкой и дополнительной подложкой производится посредством, по меньшей мере, одного электронного компонента, выводы которого расположены как на подложке, так и на дополнительной подложке. При этом в качестве, по меньшей мере, одной дополнительной подложки используется гибкая печатная плата. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2438209
патент выдан:
опубликован: 27.12.2011
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: полупроводниковый модуль содержит базовый элемент, изоляционный элемент с двухсторонним металлизированным покрытием, расположенный с помощью первого из обоих металлизированных покрытий на базовом элементе, и по меньшей мере один полупроводниковый элемент, расположенный на другом из обоих металлизированных покрытий. На краевом участке изоляционного элемента расположен электроизоляционный слой, причем поверхность этого изоляционного слоя образует с поверхностью второго металлизированного покрытия общую плоскую поверхность. Предложен также способ изготовления полупроводникового модуля. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового модуля, характеризующегося повышенной диэлектрической прочностью и одновременно простотой изготовления. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

2314596
патент выдан:
опубликован: 10.01.2008
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К ИЗЛУЧЕНИЮ КОМПОЗИЦИИ С ИЗМЕНЯЮЩЕЙСЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ И СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат. Описывается чувствительная к излучению композиция с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащая расщепляющееся соединение (А), нерасщепляющееся соединение (В), представляющее собой соединение, устойчивое к кислоте, вызываемой источником кислоты веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, или соединение, устойчивое к основанию, вызываемому источником основания веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, в количестве 5-90 мас.ч. по отношению к 100 мас.ч. компонента (А) и компонента (В) вместе. Предложенная композиция обеспечивает достаточно большое различие между исходной и измененной диэлектрической проницаемостью, при этом полученные на основе этой композиции модель диэлектрической проницаемости и оптический материал обладают значительной стабильностью независимо от условий применения. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 табл.

2281540
патент выдан:
опубликован: 10.08.2006
СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ МИКРОСБОРКА

Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок с внутренними согласующими цепями. Сущность изобретения: в СВЧ-транзисторной микросборке, содержащей полупроводниковый кристалл, кристалл МДП-конденсатора с встроенным резистором, группу проволочных перемычек, согласно изобретению, на кристалле МДП-конденсатора дополнительно сформировано тонкопленочное термосопротивление, первый электрод которого металлизацией соединен с планарным электродом встроенного резистора, а второй электрод термосопротивления проволочными перемычками соединен с элементами транзисторной структуры и шиной нулевого потенциала. 2 ил., 1 табл.
2101804
патент выдан:
опубликован: 10.01.1998
СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ МИКРОСБОРКА

Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок. Сущность изобретения: в СВЧ-транзистоpной микросборке, включающей первый полупроводниковый кристалл с транзисторными структурами, второй полупроводниковый кристалл с МПД-конденсатором и встроенным резистором и группу проволочных перемычек, соединяющих соответственно контактные площадки активных элементов транзисторных структур, верхнюю обкладку МДП-кондесатора, электроды встроенного резистора и электроды корпуса, согласно изобретению, во втором кристалле между низкоомным поверхностным слоем и подложкой дополнительно сформирован высоомный слой одного с подложкой типа проводимости толщиной 5oC20 мкм и удельным сопротивлением 0,1oC5 Омсм, при этом удельное сопротивление монокристаллической подложки не превышает 0,01 Омсм. 1 з. п. ф-лы, 2 ил, 1 табл.
2101803
патент выдан:
опубликован: 10.01.1998
КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА

Область использования изобретения: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что в корпусе для интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание 5 корпуса, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину 1 с микрополосковыми линиями 2 на ее противоположной стороне по периферии, которые электрически соединены с внешними выводами 4 посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине 1, интегральную схему СВЧ-диапазона 4, размещенную на диэлектрической пластине 1 и электрически соединенную с ее микрополосковыми линиями 2, и крышку 6 корпуса, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной 1, в центре диэлектрической пластины 1 выполнено отверстие 2, диаметр поперечного сечения сквозных металлических проводников 3 диэлектрической пластины 1 составляет 0,1 - 1,0 от ширины микрополосковой линии 2 диэлектрической пластины 1, металлическое основание 5 корпуса расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03 - 1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия 7 диэлектрической платины 1, величина которого составляет 0,1 - 1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной 1, причем интегральная схема СВЧ-диапазона размещена в отверстии 7 диэлектрической пластины 1 с зазором между ней и стенками отверстия, величина которого составляет не более 250 мкм, заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины 1 с микрополосковыми линиями 2 с возможностью теплового контакта с основанием 5 корпуса. 6 з.п. ф., 4 ил.
2079931
патент выдан:
опубликован: 20.05.1997
Наверх