Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ..отличающиеся материалом или его электрическими параметрами – H01L 23/14
Патенты в данной категории
ПОДЛОЖКА ПАНЕЛИ СОЛНЕЧНОЙ БАТАРЕИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к солнечным батареям, служащим для преобразования солнечной энергии в электрическую. Подложка панели солнечной батареи состоит из сетчатого материала, изготовленного из струн, пропитанных связующим составом, согласно изобретению струны выполнены из арамидного шнура. Способ изготовления подложки панели солнечной батареи осуществляют путем пропитывания струн сетчатого материала связующим составом и обезгаживания в вакууме. Струны выполняют из арамидного шнура, сначала его обезгаживают, потом нарезают в требуемый размер, пропитывают связующим составом, например кремнийорганическим лаком, выполняют закрутку, повторяют пропитку, растягивают пропитанный шнур, затем сушат. Изготовленная таким образом подложка панели солнечной батареи является универсальной, позволяющей компенсировать воздействие температурных деформаций на алюминиевом или углепластиковом каркасах, значительно снижает вес панели. 2 н.п. ф-лы, 1 ил. |
2449226 патент выдан: опубликован: 27.04.2012 |
|
МНОГОСЛОЙНОЕ МЕТАЛЛИЗАЦИОННОЕ ПОКРЫТИЕ АЛМАЗА ИЛИ АЛМАЗОСОДЕРЖАЩИХ МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ И СПОСОБ ЕГО НАНЕСЕНИЯ
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к металлизационным покрытиям алмаза, и может быть использовано при выполнении соединений элементов электровакуумных и твердотельных изделий. Покрытие представляет собой последовательность слоев титан - железо или титан - никель общей толщиной 0,3-0,5 мкм при соотношении компонентов 55:45 об.% соответственно и молибдена или вольфрама толщиной 1,0-1,3 мкм. Способ нанесения покрытия включает обработку поверхности в расплаве щелочи при температуре 250-300°С, активацию поверхности путем нагрева до температуры 750-800°С в течение 1-1,5 ч в воздушной среде и последующее напыление на поверхность соответствующих слоев. При этом напыление осуществляют плазменно-дуговым методом в два этапа. На первом этапе с первой мишени-катода при токе на ней 120-130 А в течение 80-100 с напыляют слой титана - железа или титана - никеля общей толщиной 0,3-0,5 мкм при соотношении компонентов 55:45 об.% соответственно. На втором этапе со второй мишени-катода при токе на ней 200-230 А в течение 250-280 с напыляют слой молибдена или вольфрама толщиной 1,0-1,3 мкм. Технический результат - повышение прочности и надежности покрытия, расширение функциональных возможностей. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2399693 патент выдан: опубликован: 20.09.2010 |
|
МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛАСТИНА АЛМАЗА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой адгезии металла к алмазу. Сущность изобретения: в металлизированной пластине алмаза, содержащей промежуточный слой между пластиной алмаза и металлизацией в виде слоя материала промежуточного слоя и слоя соединения его с углеродом, обеспечивающий адгезию металла к алмазу, промежуточный слой выполнен в виде слоя кремния толщиной 0,04-0,1 мкм и слоя соединения кремния с углеродом с концентрацией кремния в нем 1019-1021 ат/см2 , а формируют промежуточный слой нанесением слоя кремния на пластину алмаза с последующим облучением его ускоренными ионами с массой, равной или большей массы атомов кремния, с энергией 30-200 кэВ и дозой облучения 100-1000 мкКл/см2. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.,, 1 табл. |
2285977 патент выдан: опубликован: 20.10.2006 |
|