Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации – H01L 23/34

Изобретение относится к охлаждающему устройству, использующему искусственные струи. Технический результат - улучшение активного охлаждения посредством принудительной конвекции. Достигается тем, что в устройстве (1) искусственного струйного охлаждения для охлаждения объекта (5), содержащем преобразователь (10), адаптированный так, чтобы производить волны скорости, и камеру (4), выполненную с возможностью принимать волны скорости через задействованное отверстие (8). Камера (4) является достаточно большой для того, чтобы производить у задействованного отверстия (8) внутреннюю искусственную струю внутри камеры (4). Кроме того, камера (4) выполнена с возможностью содержать объект (5), таким образом обеспечивая возможность охлаждения объекта (5) внутренней искусственной струей. Такая компоновка обычно допускает многофункциональное использование существующей камеры, содержащей подлежащий охлаждению объект, и для ее первоначальной цели (например, отражатель в лампе или модуль подсветки СИД), и в качестве камеры, производящей внутренние искусственные струи, поэтому охлаждающее устройство обычно фактически не требует дополнительного пространства и веса и может обеспечиваться по низкой цене. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано для поддержания и регулирования температуры. Изобретение позволяет повысить быстродействие регулирования температуры при сохранении устойчивости микронагревателя к термоудару, его надежностных и ресурсных характеристик. Микронагреватель содержит резистор нагрева, токовводы и контактные площадки, являющиеся продолжением токовводов, резистор нагрева выполнен в виде трехслойного меандра, токовводы и контактные площадки выполнены в едином технологическом цикле методом микроэлектронного напыления всех трех слоев: тугоплавкого химически пассивного токопроводящего слоя металла, напыленного на изолирующую подложку; резистора нагрева, токовыводов и котактных площадок из меди; тугоплавкого химически пассивного токопроводящего слоя металла, причем нанесение первого и второго слоев из тугоплавкого металла выполнено с перекрытием по отношению к слою резистора нагрева, токовводов и контактных площадок, а сверху вся структура защищена слоем из органического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы «окна» для подсоединения к ним внешних электрических проводников. 1 ил.

Группа изобретений относится к охлаждающему блоку мощного полупроводникового устройства (100). Блок содержит теплоотвод с активным охлаждением (102) и контроллер (208; 300), контроллер (208; 300) выполнен с возможностью регулирования эффективности охлаждения теплоотвода (102) в зависимости от температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток, содержащегося в мощном полупроводниковом устройстве (100), причем контроллер (208; 300) выполнен с возможностью приема сигнала температуры, определяющего фактически измеренное значение температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток, при этом контроллер (208; 300) содержит модуль выбора, выполненный с возможностью выбора между режимом управления с обратной связью и режимом управления с упреждением для регулирования эффективности охлаждения. Изобретение обеспечивает регулирование охлаждения в зависимости от температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток. 4 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области теплотехники, в частности к регулировке температурных режимов теплонагруженных устройств, и может быть использовано в твердотельной и вакуумной электронике, в авиационном двигателестроении, а также других областях техники. Тепловой диод содержит, по меньшей мере, два находящихся в контакте теплопроводных материала, причем находящимися в контакте материалами образованы слои, материалы которых имеют разную дебаевскую температуру, при этом, по крайней мере, часть слоев выполнена из материалов, дебаевская температура которых последовательно возрастает от слоя к слою. Технический результат - снижение инерционности работы, повышение эффективности передачи тепла и расширение области применения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерного процессора. Технический результат - получение сверхнизких температур в процессе охлаждения и теплоотвода. Это достигается тем, что применяются светоизлучающие термомодули. Светоизлучающий термомодуль позволяет уменьшить паразитный кондуктивный перенос со стороны горячего спая, который нагревается гораздо меньше за счет того, что часть энергии уходит в виде излучения, а не преобразуется в тепло на горячем спае. Уменьшение кондукции между горячими и холодными спаями позволяет выполнять р-n-переходы и сами спаи в виде тонких пленок. Конструкция термоэлектрического устройства представляет собой каскадный (многослойный) термомодуль, состоящий из термомодулей, в которых в качестве полупроводниковых ветвей р-типа 4 и n-типа 5 выбраны такие материалы, что протекающий ток на одном из спаев 2 будет формировать излучение, а не нагрев, как в обычном термомодуле, причем в другом спае 3 будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье. Каскады разделены электроизолирующими слоями 1 с высокой прозрачностью и теплопроводностью. Питание осуществляется постоянным током от источника 6. 1 ил.

Изобретение относится к модулю полупроводникового преобразователя электроэнергии. Технический результат - создание модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии с охлаждаемой ошиновкой (8) по меньшей мере двух модулей (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, который можно нагружать электрически сильнее по сравнению со стандартным модулем полупроводникового преобразователя электроэнергии, при этом может выдерживаться допустимая температура для изоляционного слоя (32) и материала ламинирования ошиновки (8). Достигается тем, что модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии, содержащий по меньшей мере два модуля (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, которые механически соединены с обеспечением теплопроводности с жидкостным теплоотводом (6), и которые с помощью ошиновки (8), которая имеет по меньшей мере два изолированных друг от друга с помощью изоляционного слоя (32) шинопровода (26, 28; 28, 30), соединенных электрически с контактами (10, 12, 14) модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии, изоляционный слой (32) имеет два изолирующих слоя (36, 38), которые соединены с замыканием по материалу друг с другом так, что между этими обоими изолирующими слоями (36, 38) имеется полое пространство (40) заданной формы, которое на стороне входа и выхода заканчивается по меньшей мере в одной боковой поверхности (48, 50) этого изоляционного слоя (32), и это полое пространство (40) на стороне входа и выхода снабжено соответствующим патрубком (42), которые соединены каждый с возможностью прохождения жидкости с жидкостным теплоотводом (6). 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии, в агрегатах на основе силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в устройстве для интенсивного охлаждения силовых полупроводниковых приборов, включающем конденсатор, выполненный из отрезка прессованного профиля с внешним оребрением и внутренним каналом конденсации, соединенный с испарителем, заполненным полностью жидким промежуточным теплоносителем, испаритель пароконденсаторопроводом жестко соединен с конденсатором, который частично заполнен антифризом 65, в испарителе расположен интенсификатор кипения, выполненный в виде вертикальных ребер, которые выполнены из высокотеплопроводного металломатричного композиционного материала AlSiC. Размеры интенсификатора кипения в виде вертикальных ребер определены диаметром основания силового полупроводникового прибора. В качестве жидкого промежуточного теплоносителя используется перфтортриэтиламин. Изобретение позволяет повысить эффективность охлаждающего устройства, улучшить технологичность его изготовления, снизить материалоемкость, дифференцировать конструкцию устройства в зависимости от уровней мощностей тепловых потерь охлаждаемых силовых полупроводниковых приборов (СПИ). 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковой преобразовательной технике и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии, в агрегатах на основе силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в устройстве для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, включающем конденсатор, выполненный из отрезка прессованного профиля с внешним оребрением и внутренними каналами конденсации, соединенный с испарителем, внутри которого располагается интенсификатор кипения, автономный конденсатор располагается на расстоянии 1-3 метров сверху от испарителя, наполненного жидким промежуточным теплоносителем, и соединен с испарителем паропроводом и конденсатопроводом, который соединен с испарителем через сопла. Изобретение позволяет повысить эффективность охлаждающего устройства, улучшить технологичность его изготовления, снизить материалоемкость, дифференцировать конструкцию устройства в зависимости от уровней мощностей тепловых потерь охлаждаемых силовых полупроводниковых приборов (СПП). 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству для рассеяния тепла для выделяющего тепло электрического компонента. Технический результат - обеспечение экономически эффективного устройства, обеспечивающего эффективное рассеяние тепла, а также облегчение монтажа/демонтажа и предотвращение деформации, вызываемой различиями в коэффициенте теплового расширения. Достигается тем, что устройство для рассеяния тепла для выделяющего тепло электрического компонента (10) содержит выделяющий тепло электрический компонент (10), размещенный на печатной плате (20), в тепловом контакте с теплопроводным слоем (23) печатной плате (РСВ). Теплопроводный установочный элемент (40) прикреплен к теплопроводному слою (23) посредством пайки и имеет соединительную часть (43), выполненную с возможностью зацепления с углублением (31) в радиаторе (30); обеспечивая, таким образом, крепление печатной платы (20) к радиатору (30); при этом обеспечен тепловой канал от выделяющего тепло электрического компонента (10) через теплопроводный слой (23) и установочный элемент (40) к радиатору (30). Вследствие применения теплопроводного установочного элемента, можно добиваться рассеяния тепла с РСВ, снабженной одним теплопроводным слоем, а не многослойной РСВ, требуемой в устройствах предшествующего уровня техники. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных схем СВЧ и в том числе мощных путем повышения эффективности отвода тепла. Достигается тем, что в гибридной интегральной схеме СВЧ на лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление, в дне которого выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное электро- и теплопроводящим материалом, при этом упомянутое углубление предназначено для расположения, по меньшей мере, одного активного тепловыделяющего компонента, контактные площадки которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия на лицевой стороне подложки проволочными соединениями, при этом глубина углубления обеспечивает расположение лицевых поверхностей активного тепловыделяющего компонента и диэлектрической подложки в одной плоскости. Дополнительно введена теплорассеивающая пластина на дне углубления, а активный тепловыделяющий компонент расположен на лицевой - противоположной стороне теплорассеивающей пластины, сквозное отверстие заполнено электро- и теплопроводящим материалом и расположено в плане равномерно, перепад температуры t по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, толщина теплорассеивающей пластины h, отношение площади сквозного отверстия в дне углубления ко всей его площади W, коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины , удельная плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания q, площадь теплорассеивающей пластины S в плане находятся в предложенной полиномиальной зависимости. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к средствам защиты микроэлектронного оборудования от внешних разрушающих факторов, таких как высокотемпературные огневые воздействия, ударные перегрузки, статические давления, а также от длительного воздействия повышенной температуры, и может быть использовано при создании защищенных бортовых накопителей полетной информации для самолетов и вертолетов, а также защищенных накопителей информации для других транспортных средств. Технический результат - создание нового устройства тепловой защиты электронного модуля памяти, обеспечивающего повышение эксплуатационных характеристик в условиях аварийных ситуаций за счет возможности нахождения электронного модуля памяти в допустимом диапазоне температур в течение необходимого периода времени. Достигается тем, что устройство тепловой защиты электронного модуля памяти содержит корпус 1 с крышкой 2, выполненные из металла, при этом внутренние поверхности корпуса 1 образуют полость для размещения в ее центре электронного модуля памяти 3 с соединительным кабелем 4, пассивную теплоизоляционную прокладку, прилегающую к внутренней поверхности корпуса 1 и выполненную в форме стакана 5 с крышкой 6, активную теплозащитную оболочку, выполненную из композиционной смеси в виде разъемной детали, при этом активная теплозащитная оболочка состоит из корпуса 7 с размещенным внутри электронным модулем памяти 3 и крышки 8, соединенных между собой поверхностями, имеющими форму усеченного конуса, при этом корпус 7 и крышка 8 активной теплозащитной оболочки выполнены в герметичных упаковках 9, 10, изготовленных из полиэтилена для защиты внутренней поверхности и из фольгированного алюминием полиэтилена для защиты наружной поверхности активной теплозащитной оболочки. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от электронных компонентов. Технический результат - разработка радиатора для электронного компонента, в котором используются все теплопоглощающие части поверхности радиаторных пластин и основания, обеспечивая эффективный отвод тепла. Достигается тем, что устройство для отвода тепла от электронных компонентов включает скрепленные друг с другом радиаторные пластины, связанные с основанием и образующие теплораспределительную поверхность, при этом по периметру каждой радиаторной пластины в местах их контакта с основанием и для создания теплоотводящих от устройства потоков выполнены отгибы, на отгибах внутренней стороны каждой пластины выполнены окна, а на трапецеидальных отгибах, перпендикулярных продольной оси устройства, выполнены замковые соединения, состоящие из двух элементов, один в виде отверстия на отгибе, другой в виде выступа на этом же отгибе, выполненном напротив отверстия, при этом устройство снабжено наружной обечайкой, контактно связанной с выступом, выполненным на наружной стороне каждой пластины. Окна, выполненные на отгибах, по высоте выполнены равными 0,4-0,9 высоты отгиба. Для равномерного распределения тепловых потоков в теле каждой радиаторной пластины выполнены отверстия. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора. Решение поставленной задачи заключается в том, что используются биметаллические электроды, место спая которых находится в непосредственном контакте с тепловыделяющим кристаллом, причем при пропускании тока через этот спай от первого биметаллического электрода ко второму биметаллическому электроду можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла. Конструкция термоэлектрических электродов представляет собой биметаллические проводники и разделенные диэлектриком и спаянные непосредственно над участком кристалла, предназначенным для охлаждения. Технический результат - повышение эффективности процесса охлаждения тепловыделяющих компонентов радиоэлектронной аппаратуры. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, более конкретно к устройству измерения перемещений, имеющих большое значение в робототехнике, прецизионных механизмах при эксплуатации сооружений и металлоконструкций и т.д. В качестве датчика перемещений используется кремниевый монокристаллический микронагреватель, а измеряемым сигналом служит величина тепловых потерь от микронагревателя к приемнику тепла. Микронагреватель имеет форму балки переменного сечения, широкая часть которой является резистором и содержит область противоположного типа проводимости, а узкая токовводами, в которых сформированы области низкоомного кремния и имеется силицидное покрытие, причем окончания токовводов выполняются в виде площадок для формирования на них металлических контактов. Величина перемещений находится в пределах 5-800 микрометров, точность измерения составляет ±20 нм. Технический результат - повышение точности и стабильности показаний датчика. 1 ил.

Изобретение относится к области электроники, в частности к устройству отвода теплоты от кристалла полупроводниковой микросхемы, и может быть использовано для охлаждения кристаллов процессоров и полупроводниковых микросхем, выделяющих при работе тепловую энергию. Технический результат изобретения - минимизировать контактное термическое сопротивление в устройстве отвода теплоты от кристалла полупроводниковой микросхемы, выделяющей при работе тепловую энергию, и снизить его массово-габаритные характеристики. Сущность изобретения: в устройстве отвода теплоты от кристалла полупроводниковой микросхемы, выделяющей при работе тепловую энергию, согласно изобретению развитая поверхность кристалла полупроводниковой микросхемы представляет собой шипы или трубки охлаждения в виде монокристаллов, выращенных на подложке кристалла полупроводниковой микросхемы, образуя монолитную конструкцию с кристаллом. Изобретение позволяет создать развитую поверхность теплообмена с минимальным контактным термическим сопротивлением, тем самым существенно интенсифицировать теплоотвод от кристаллов полупроводниковых микросхем и снизить массово-габаритные характеристики устройства. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для монтажа и одновременно для отвода тепла от активных элементов как отдельных изделий электронной техники, так и радиоэлектронных устройств различного назначения. Сущность изобретения: металлизированная пластина алмаза для изделий электронной техники содержит, по меньшей мере, на одной из поверхностей промежуточный слой между пластиной алмаза и металлизационным слоем, выполненный в виде материала промежуточного слоя и слоя его соединения с углеродом приповерхностного слоя пластины алмаза и обеспечивающий адгезию металлизационого слоя. При этом металлизированная пластина алмаза дополнительно содержит электрически проводящий слой алмаза, непосредственно прилегающий к промежуточному слою. Электрически проводящий слой алмаза выполнен с заданным удельным электрическим сопротивлением, равным 0,3-2,5 Ом/см, толщиной не менее 0,05 мкм, а более - ограничен заданной толщиной пластины алмаза. Изобретение обеспечивает снижение теплового сопротивления, расширение функциональных возможностей при сохранении высокой адгезии металлизационного слоя и высокой надежности металлизированной пластины алмаза. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от электронных компонентов. Технический результат - разработка такого радиатора для электронного компонента, в котором бы более эффективно использовалась противолежащая теплопоглощающей части часть поверхности радиаторных пластин при сохранении возможности собирать из одинаковых элементов устройства с различной мощностью теплоотвода. Достигается тем, что радиатор (1) для электронного компонента содержит множество отдельных радиаторных пластин (2), имеющих по меньшей мере две параллельные кромки (3), (4). Вблизи кромок (3), (4) пластины (2) скреплены через теплопроводящие прокладки (5) друг с другом, образуя соответственно теплопоглощающую часть (6), контактирующую с выделяющей тепло поверхностью электронного компонента, и теплораспределительную часть (7), противолежащую теплопоглощающей части (6). 10 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в комплексе бортового оборудования летательных аппаратов при компоновке модулей, содержащих большое количество электрических связей. Технический результат - создание надежного трехмерного электронного модуля посредством повышения универсальности конструкции, более плотного размещения модулей с обеспечением высокой ремонтопригодности и повышения эффективности теплоотвода. Достигается тем, что трехмерный электронный модуль, содержащий стандартные корпусированные компоненты и/или микроплаты с бескорпусными активными и пассивными компонентами, внешнюю систему теплоотвода и внешние выводы, причем корпусированные компоненты и указанные микроплаты имеют двухстороннее расположение выводов и находятся между параллельно размещенными печатными коммутационными платами с металлизированными отверстиями, между параллельно размещенными печатными коммутационными платами, торцевыми поверхностями к ним расположена соединительная плата, имеющая электрическое и механическое соединение с печатными коммутационными платами, на печатной коммутационной плате и на соединительной плате сформирован трехмерный электрический соединитель, при этом трехмерные электрические соединители коммутационных плат и соединительных плат соединены между собой с образованием кубической и/или трубчатой трехмерной ячейки, образующей из множества трехмерных ячеек трехмерную разъемную электрическую связь, внешняя система теплоотвода активных элементов обеспечивается трубчатой трехмерной ячейкой, снабженной коаксиально расположенными теплоотводящими трубами, где активные элементы имеют тепловой контакт со стенками трубы. 19 ил.

Изобретение предназначено для охлаждения и стабилизации температуры постоянно работающей радиоэлектронной аппаратуры с большим ресурсом работы, использующей в составе конструкции тепловыделяющие элементы (процессор, видеокарты, блок питания и т.д.). Изобретение может быть использовано в бытовых ЭВМ различной конструкции и в промышленных установках. Технический результат - повышение ресурса работы блоков электронной аппаратуры за счет обеспечения стабильности отвода тепла и поддержания их температуры в требуемых пределах, а также снижение шума. Устройство для охлаждения электронных блоков включает радиатор и, по меньшей мере, один термоэлектрический модуль охлаждения, размещенный между электронными блоками и радиатором и соединенный с блоком питания, а также охлаждающий теплообменник, взаимодействующий с радиатором через газорегулируемую тепловую трубу. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для охлаждения тепловыделяющих элементов микропроцессорного устройства. Сущность изобретения: устройство отвода теплоты выполнено в виде группы герметичных ячеек, размещенных на поверхности микропроцессорного кристалла со стороны тепловыделяющих элементов, противоположная сторона ячеек размещена на поверхности пластины, выполненной из материала с высокой теплопроводностью, внутренние поверхности ячеек изготовлены из материала, хорошо смачиваемого жидким рабочим телом, или покрыты тонким слоем такого материала, при этом верхняя часть стенок изготовлена из материала, плохо смачиваемого жидким рабочим телом, внутренний объем ячеек частично заполнен жидким рабочим телом, остальной объем заполнен парами рабочего тела. Устройство позволяет передавать теплоту, выделяемую электронным элементом, сформированным на поверхности полупроводникового кристалла, теплоотводящему рабочему телу непосредственно или через тонкий слой разделяющего их инертного материала, смачиваемого жидким рабочим телом. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к способу установки приборов на термостатируемых панелях космических аппаратов. Сущность изобретения: способ установки приборов на термостатируемых панелях включает нанесение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита на контактирующую поверхность прибора и/или термостатируемую панель и установку прибора контактирующей поверхностью на термостатируемой панели при помощи крепежных элементов с последующей подпрессовкой теплопроводящего слоя, причем в зонах крепежных элементов между контактирующей поверхностью прибора и термостатируемой панелью устанавливают жесткие прокладки, толщина Н которых определяется по формуле: H=(S-A)×(1- /100), где S - минимальная исходная толщина теплопроводящей прокладки, мм; А - суммарная неплоскостность контактирующей поверхности прибора и термостатируемой панели под ним, мм; - минимально требуемая величина подпрессовки теплопроводящей панели, %. Техническим результатом изобретения является предохранение теплопроводящего слоя от появления остаточных деформаций под действием на прибор статических и динамических нагрузок и уменьшение диапазона степени подпрессовки теплопроводящего слоя.

Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано при проектировании и производстве электронных микросхем, требующих для обеспечения заданных технических эксплуатационных параметров поддержания рабочих температур как отдельных элементов в составе электронной микросхемы, так и целых функциональных блоков на криогенном уровне. Технический результат - повышение технической и экономической эффективности процесса криостатирования активных элементов электронных микросхем. Достигается тем, что в предложенном способе отвод теплоты производится непосредственно от элементов электронной микросхемы, требующих охлаждения, и осуществляется криогенной системой, конструктивные элементов которой образованы наноструктурами и размещенной в пределах конструкционно-технологического пространства электронной микросхемы. В качестве варианта предлагается способ, в котором отвод теплоты производят элементами криогенной системы, конструктивно совмещенными с активными элементами электронной микросхемы. 2 н.п. ф-лы.

Изобретение относится к охлаждающим системам и может быть использовано для централизованного охлаждения различного рода устройств. Устройство содержит секции радиаторов, подводящие участки, регуляторы подачи охлаждающего агента, связывающие термочувствительные элементы с заслонками, источники питания, насос и холодильник, связанные подводящими участками через тройники и запорные устройства с теплопроводящими трубками, помещенными между пластин радиатора. Заслонки установлены на входе в секцию радиаторов и связаны с термочувствительными элементами, закрепленными на теплопроводящих трубках каждой секции радиаторов. Запорные устройства, связывающие тройники и теплопроводящие трубки, выполнены в виде телескопических звеньев, фиксируемых друг в друге шариками и стопорным кольцом, а каждое звено снабжено центратором, пружиной, внешней и внутренней перегородками, запорным клапаном с прокладкой с совмещенными радиальными отверстиями, которые смещены относительно радиальных отверстий внутренней перегородки. Центраторы, жестко закрепленные на запорных клапанах звеньев, выполнены в виде стержней с выпуклой и вогнутой полусферами на концах, а в качестве охлаждающего агента используют раствор калийно-натриевых хлоридов. Технический результат заключается в повышении эффективности охлаждения блоков аппаратуры, снижении шума охлаждающего устройства при работе, расширении области применения устройства. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в электронной промышленности, в компьютерах, имеющих повышенное тепловыделение кристалла процессора. Сущность изобретения: устройство для охлаждения кристалла компьютерного процессора включает радиатор с радиальными ребрами, тепловыми трубами, расположенными по всей ширине радиатора и по его периметру, имеющему форму окружности, основание радиатора, на котором укреплен кристалл процессора, осевой вентилятор, расположенный на продольной оси радиатора. Благодаря периферийному размещению тепловых труб и ребер радиатора обеспечивается быстрая передача теплового потока от основания радиатора в периферийную зону радиатора, где поступательная скорость потока охлаждающего воздуха, нагнетаемого осевым вентилятором, имеет максимальную величину. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности использования потока охлаждающего воздуха, нагнетаемого осевым вентилятором в радиатор, и повышение интенсивности теплопередачи между тепловой трубой и ребрами радиатора. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим поддержание температуры образцов в широком диапазоне при измерении и других технологических операциях в сканирующих зондовых микроскопах (СЗМ). Предлагаемое изобретение целесообразно использовать в вакуумном оборудовании. Сущность изобретения заключается в том, что устройство поддержания температуры объекта для сканирующего зондового микроскопа, содержащее корпус с экраном и нагревательным элементом в виде спирали, носитель объекта с прижимом и объектом, манипулятор с осевым перемещением, содержащий захваты, сопряженный с носителем объекта с возможностью размыкания с ним, а также блок измерения температуры, установленный с противоположной стороны носителя объекта относительно нагревательного элемента, снабжено криогенным вводом, соединенным тепловодами с корпусом, манипулятор имеет вращательное перемещение вокруг оси своего продольного перемещения и один из его захватов содержит выступ, расположенный с возможностью взаимодействия с носителем объекта, корпус содержит зацеп и первую пружину, установленные с возможностью взаимодействия с носителем объекта, кроме этого на корпусе закреплена вторая пружина с электроподводом, сопряженным с объектом. Подобное выполнение устройства поддержания температуры расширяет его функциональные возможности. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: в электротехнике, а именно в полупроводниковой технике, в статистических преобразователях электрической энергии. Технический результат заключается в увеличении рабочих токов силовых полупроводниковых модулей за счет интенсификации теплоотвода от полупроводниковых структур. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый модуль с испарительным охлаждением состоит из пластмассового корпуса, заполненного жидким диэлектрическим промежуточным теплоносителем, в который погружены силовые полупроводниковые структуры, собранные в трехфазную мостовую электрическую схему выпрямления с помощью трех медных токосъемных шин переменного тока, оребренных медными квадратными штырьками, и двух медных токосъемных шин постоянного тока, также оребренных квадратными штырьками. Пластмассовый корпус герметично соединен с алюминиевым конденсатором, имеющим внешнее оребрение и внутренние каналы конденсации. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электротехнической промышленности, в частности к охлаждению радиоэлектронной аппаратуры. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности отвода тепла и точности термостабилизации элементов радиоэлектронной аппаратуры. Устройство содержит тонкостенный металлический контейнер, заполненный рабочим веществом, имеющим стабильную температуру плавления, выполненный в виде прямоугольного параллелепипеда с выступами в верхней части. Элемент радиоэлектронной аппаратуры устанавливается на верхнюю поверхность тонкостенного металлического контейнера с обеспечением хорошего теплового контакта и изолируется от внешних теплопритоков теплоизоляцией. Внутри тонкостенного металлического контейнера с рабочим веществом, в верхней его части, ограниченной выступами, на жестких подвесах размещена гибкая мембрана. Мембрана имеет ребристую поверхность, образованную двумя группами ребер. Ребра образованы пластинами, вырезанными в мембране и отогнутыми под углом 30 к горизонтальной плоскости, причем группы ребер расположены под углами, противоположными друг другу. В непосредственной близости от краев мембраны в выступах тонкостенного металлического контейнера расположены электромагниты, питаемые от источника электроэнергии и обеспечивающие вибрацию мембраны с частотой колебания 50-100 Гц. 2 ил.