Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы – H01L 23/48

Изобретение относится к модулю полупроводникового преобразователя электроэнергии. Технический результат - создание модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии с охлаждаемой ошиновкой (8) по меньшей мере двух модулей (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, который можно нагружать электрически сильнее по сравнению со стандартным модулем полупроводникового преобразователя электроэнергии, при этом может выдерживаться допустимая температура для изоляционного слоя (32) и материала ламинирования ошиновки (8). Достигается тем, что модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии, содержащий по меньшей мере два модуля (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, которые механически соединены с обеспечением теплопроводности с жидкостным теплоотводом (6), и которые с помощью ошиновки (8), которая имеет по меньшей мере два изолированных друг от друга с помощью изоляционного слоя (32) шинопровода (26, 28; 28, 30), соединенных электрически с контактами (10, 12, 14) модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии, изоляционный слой (32) имеет два изолирующих слоя (36, 38), которые соединены с замыканием по материалу друг с другом так, что между этими обоими изолирующими слоями (36, 38) имеется полое пространство (40) заданной формы, которое на стороне входа и выхода заканчивается по меньшей мере в одной боковой поверхности (48, 50) этого изоляционного слоя (32), и это полое пространство (40) на стороне входа и выхода снабжено соответствующим патрубком (42), которые соединены каждый с возможностью прохождения жидкости с жидкостным теплоотводом (6). 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, к структурам взаимного соединения в многокристальных корпусах. Сущность изобретения: многокристальный корпус включает в себя подложку, имеющую первую сторону, противоположную вторую сторону и третью сторону, которая продолжается от первой стороны до второй стороны, первый кристалл, закрепленный на первой стороне подложки, и второй кристалл, также закрепленный на первой стороне подложки, и мост, расположенный рядом с третьей стороной подложки и соединенный с первым кристаллом и со вторым кристаллом. Никакой из участков подложки не находится под мостом. Мост формирует соединение между первым кристаллом и вторым кристаллом. В качестве альтернативы мост может быть расположен в полости на подложке или между подложкой и слоем кристалла. Мост может составлять активный кристалл и может быть закреплен на подложке с использованием проводных соединений. Изобретение позволяет получить структуры взаимных соединений между кристаллами в корпусах с большой плотностью, более высокими рабочими характеристиками и пониженной стоимостью. 10 н. и 13 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к вычислительным системам, в частности к системной плате. Сущность изобретения: вычислительная система содержит системную плату, кристалл интегральной схемы, непосредственно закрепленный на системной плате, модуль, закрепленный на системной плате и перекрывающий, по меньшей мере, один участок непосредственно закрепляемого на системной плате кристалла, а также, по меньшей мере, один другой компонент, закрепленный на системной плате, которая включает, по меньшей мере, один электрический канал, соединяющий непосредственно закрепляемый на системной плате кристалл с модулем и, по меньшей мере, один электрический канал, соединяющий непосредственно закрепляемый на системной плате кристалл с указанным другим компонентом. Изобретение позволяет осуществить электрическое соединение для объединения различных компонентов на системной плате вычислительной системы. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик за счет оптимизации конфигурации выводов и, как следствие, снижение потерь мощности сигнала на СВЧ. Сущность изобретения: в выводной рамке для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящей из нескольких выводов, с внешними и внутренними концами, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, равна 0,1-1,5 мм, места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными, по крайней мере, два плоских вывода имеют клиновидный участок, причем ширина его узкой части Wн совпадает с размером внутреннего конца, а ширина широкой части Wк и длина 1 соответствуют условию: L/ C=1,15±0,75, где: L - относительное изменение паразитной индуктивности плоского вывода L в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм; С - относительное изменение паразитной емкости плоского вывода С в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм, при этом

L=0,05+[0,66-0,04(Wк/Wн)]1,

C=[0,008+0,0002f Wк/Wн)]1,

Wн больше или равна 0,03 мм, a Wк изменяется в пределах от 0,04 до 1 мм. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 5 ил.

Изобретение относится к межсоединениям по методу перевернутого кристалла. Сущность изобретения: акустический блок содержит пакет интегральной схемы, содержащий двумерную сетку электропроводящих сквозных отверстий, выполненных так, чтобы идти от активной части схемы, расположенной только на верхней стороне подложки пакета интегральной схемы через нижнюю часть пакета интегральной схемы, причем нижняя часть является нижней стороной подложки пакета интегральной схемы, и двумерную решетку акустических элементов, расположенную на нижней стороне подложки, и электрически соединенную с электропроводящими сквозными отверстиями, причем сквозные отверстия устроены так, чтобы электрически соединять активную часть пакета интегральной схемы с двумерной решеткой акустических элементов, и при этом акустические элементы нарезаны посредством двумерной нарезающей сетки. Техническим результатом изобретения является улучшение тепловых и акустических характеристик акустического блока, улучшение и упрощение соединений. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит полупроводниковую подложку, слой межсоединений, расположенный на полупроводниковой подложке, межслойную изоляционную пленку и проводящий слой, которые расположены на слое межсоединений так, что проводящий слой образует сотовую структуру относительно плоскости, параллельной главной плоскости полупроводниковой подложки, а межслойная изоляционная пленка заполняет шестиугольные столбики сотовой структуры так, чтобы она была электрически соединена со слоем межсоединений, и самый верхний слой межсоединений, расположенный на межслойной изоляционной пленке и проводящем слое так, чтобы он был электрически соединен со слоем межсоединений посредством проводящего слоя. Изобретение направлено на то, чтобы предложить полупроводниковое устройство, имеющее структуру, способную ослабить механическое напряжение, прикладываемое к контактной площадке. 19 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. Сущность изобретения: индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы соединяют две части гибридной микросхемы, которая состоит из первой и второй частей гибридной микросхемы. На внутренних поверхностях первой и второй частей гибридной микросхемы нанесены металлические слои, между которыми расположен слой индия. Внутри слоя индия выполнен слой олова, таким образом, что на интерметаллических границах индий - олово отсутствует индиевая окисная пленка. Техническим результатом изобретения является повышение прочности индиевых микроконтактов за счет исключения индиевой окисной пленки в интерметаллическом соединении микроконтактов, а также упрощение и удешевление технологии изготовления микроконтактов за счет исключения использования слоя золота при их формировании. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, их гибридной сборке и преимущественно предназначено для сборки фотоприемных модулей. Сущность изобретения: в способе формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения на подложке литографически изготавливают заготовки контактных столбов из индия, затем помещают в вакуум, в котором формируют поток атомарного водорода с концентрацией, обеспечивающей протекание реакции полного восстановления индия из его поверхностного окисла. Проводят одновременно очистку от поверхностного окисла и оплавление заготовок контактных столбов. За счет высокой реакционной способности атомов водорода, взаимодействующих с поверхностью, использования химического, более мягкого, механизма удаления окислов посредством реакции восстановления, стимулированного прогревом с целью оплавления, обеспечивается расширение технологической области применения способа и повышение выхода годных изделий. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (R_th ). Техническим результатом изобретения является уменьшение и стабильность значений падения напряжения во включенном состоянии Von и теплового сопротивления прибора R_th путем обеспечения фиксированного положения полупроводниковой пластины относительно верхнего и нижнего термокомпенсаторов. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе с полностью прижимными контактами, содержащем полупроводниковую пластину со слоями n- и р-типа проводимости, расположенную между катодным и анодным термокомпенсаторами с фланцами с диаметром большим, чем диаметр полупроводниковой пластины, размещенными внутри изолирующего кольца, края изолирующего кольца охватывают фланцы термокомпенсаторов, заходя на наружные поверхности катодного и анодного термокомпенсаторов не менее чем на 1 мм, при этом изолирующее кольцо выполнено из упругого материала. 1 ил., 1 табл.

Изобретение предназначено для группового механического и/или электрического соединения функциональных устройств, размещенных на разных подложках, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: в многоконтактном гибридном соединении, содержащем, по крайней мере, один гибкий элемент, в отдельно взятом жестко связанном с подложками контактном соединении, кроме гибкого элемента, выполнен контактирующий элемент, контактирующий элемент выполнен в виде соединенных сплавлением двух микростолбов из проводящего материала или одного микростолба из проводящего материала, при этом гибкий элемент выполнен обеспечивающим возможность пространственного перемещения для контактирующего элемента, и расположен между контактирующим элементом и одной из соединяемых подложек. Контактирующий элемент может быть выполнен в виде соединенных сплавлением двух микростолбов из проводящего материала или одного микростолба из проводящего материала, например из In или Ga, или сплава InSb, или ZnSn. Гибкий элемент может быть связан с подложкой через якорь, расположенный на контактной площадке. За счет выполнения многоконтактного соединения с жесткой связью, опосредованной гибкими элементами, повышается надежность соединения. 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Многоконтактное гибридное соединение предназначено для группового механического и/или электрического соединения функциональных устройств микроэлектроники и микромеханики, размещенных на разных подложках. В контактном соединении выполнены расположенные на соединяемых подложках встречные упругие контактирующие элементы, имеющие связанные части - якорь и оболочку. Якорь жестко прикреплен к подложке. Оболочка - часть упругого контактирующего элемента, освобожденная от связи с подложкой, выполненная в виде балки консольного типа, изгибающаяся за счет градиента внутренних механических напряжений в ней. Упругие контактирующие элементы ориентированы друг относительно друга, сопряжены и жестко соединены поверхностями оболочек друг с другом сварным соединением. В отдельно взятом контактном соединении может быть более, чем одна пара упругих контактирующих элементов. За счет встречного выполнения упругих контактирующих элементов, сопряжения и соединения поверхностей оболочек с достижением заданной площади контактирования повышается надежность соединения. 12 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводникового приборостроения, а именно - к способам и составам для технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности - к технологии создания клеевых электропроводящих композиций. Технической задачей изобретения является создание полимерного анизотропного электропроводящего композиционного клеевого материала с повышенной надежностью воспроизведения положительных характеристик, высокой электропроводностью и высокой анизотропией электропроводности в направлении, перпендикулярном плоскости склеивания. Поставленная задача решается тем, что материал, состоящий исключительно из органических веществ, по крайней мере, одно из которых является полимером в исходном материале и/или в материале после его отверждения в процессе склеивания или формирования клеевого слоя, и включающий, по крайней мере, один активный компонент, обеспечивающий анизотропную электропроводность, и, по крайней мере, одну целевую добавку в эффективном количестве, отличающийся тем, что он содержит в качестве активного компонента, обеспечивающего анизотропную электропроводность, диэлектрический компонент, обладающий высокой поляризуемостью и/или бистабильной электронной энергетической структурой по отношению к процессу захвата избыточного электрона благодаря наличию фталидной, сульфофталидной, фталимидиновой, о-кетокарбоксильной групп, производных о-кетокарбоксильных групп и/или лабильной триарилметановой группы. 4 н. и 32 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем, по меньшей мере, одну полупроводниковую микросхему из полупроводникового материала с первым и вторым главными электродами, первый и второй главные выводы и контактную пластинку в электрическом контакте с первым главным электродом и первым главным выводом, контактная пластинка содержит легирующий элемент, а между легирующим элементом и полупроводниковым материалом может быть образована эвтектика. Контактная пластинка покрыта электропроводящим защитным слоем, который содержит, по меньшей мере, один электропроводящий базовый слой, нанесенный на контактную пластинку, и электропроводящий поверхностный слой, образующий внешнюю контактную поверхность, при этом базовый и поверхностный слои состоят, в основном, из разных материалов. Изобретение обеспечивает создание стойкого к короткому замыканию силового полупроводникового модуля. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый модуль содержит два электрических главных вывода, расположенных на противолежащих, по существу параллельных главных поверхностях модуля, первый из которых выполнен в виде верхней закрывающей электропроводящей платы, электроизолирующий корпус, соединенный с верхней закрывающей платой и расположенный между обоими главными выводами силового полупроводникового модуля, по меньшей мере два субмодуля, которые содержат каждый два электрических главных вывода и каждый, по меньшей мере, один полупроводниковый чип с двумя главными электродами, электрически соединенными с главными выводами субмодуля. Субмодули расположены друг возле друга, нагружены усилием прижатия и одной из обеих главных поверхностей прижаты к верхней закрывающей электропроводящей плате. По меньшей мере, два субмодуля соединены электрически последовательно. Благодаря последовательному соединению расположенных рядом субмодулей достигается удвоение максимального запирающего напряжения модуля. В результате сокращается длина и стоимость пакета высоковольтного выключателя, так как при тех же запирающих напряжениях требуется меньше компонентов, в частности, модулей и охлаждающих элементов. 14 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность: по меньшей мере один контактируемый с приложением давления полупроводниковый кристалл (4) электрически соединен через контактный элемент (8) с одним главным вводом (30). Контактный элемент (8) имеет две плоские контактные поверхности (81, 82), между которыми находится пружинный элемент (7). Независимо от положения и высоты отдельных кристаллов (4) соответствующий пружинный элемент (7) обеспечивает одинаковую силу контактирования. Опорный элемент (10) предотвращает механические перегрузки полупроводниковых кристаллов (4) при сжимании модуля. Технический результат изобретения состоит в создании силового полупроводникового модуля, в котором на все полупроводниковые кристаллы, независимо от их расстояния до второго главного ввода, действует одинаковое давление и в котором улучшена проводимость средств, предусмотренных для контактирования. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.