Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле: ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе  ,27/00 – H01L 25/065

Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении. Поперечное рассеивание тепла может проходить вдоль всей длины слоя, а проводящий тепло материал может быть электрически изолирующим. Сквозные соединения сквозь кремний могут быть сконструированы в определенных областях, чтобы способствовать рассеиванию тепла от проблемных тепловых областей. Изобретение обеспечивает улучшение рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к многоуровневым интегральным схемам, более точно к системам и методам активного терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: в устройстве интегральной схемы, содержащем уровень с активными схемами и термоэлектрическим устройством, термоэлектрическое устройство сформировано внутри сквозных соединений в слое упомянутого уровня и облегчает тепловой поток между областью интегральной схемы и термоэлектрическим устройством. В одной реализации термоконтроллер представляет собой термоэлектрическое устройство (ТЕ), такое как элемент Пельтье. Активные термоконтроллеры могут представлять собой р-n-переходы, созданные в многоуровневой интегральной схеме, и могут служить для переноса тепла в горизонтальном и вертикальном направлениях, по желанию. Изобретение позволяет усовершенствовать систему терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: устройство трехмерной (3-D) многоуровневой интегральной схемы содержит первый и второй полупроводниковые кристаллы, наложенные друг на друга, множество сквозных переходных отверстий, сформированных, чтобы проходить, по существу, между активными слоями первого и второго полупроводниковых кристаллов, и выполненных с возможностью обеспечения связи между первым и вторым полупроводниковыми кристаллами, и активную схему, сформированную, по меньшей мере, частично внутри, по меньшей мере, одного из множества сквозных переходных отверстий, причем первый и второй полупроводниковые кристаллы совместно используют активную схему, по меньшей мере, для защиты от электростатического разряда. Изобретение позволяет осуществить экономию пространства и сократить площадь кристалла, требуемую для схемы ESD-защиты. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к сборке интегральных схем, а более конкретно к мостиковым межсоединениям между прилегающими интергальными схемами в корпусе с подложкой. Сущность изобретения: система мостиковых межсоединений интегральных схем включает в себя первый кристалл и второй кристалл, предоставленные в прилегающей конфигурации и электрически соединенные друг с другом с помощью мостикового кристалла. Мостиковый кристалл включает в себя сквозные отверстия через кремний для соединения проводящих линий межсоединений на мостиковом кристалле с первым кристаллом и вторым кристаллом. Активные схемы, иные чем линии межсоединений, могут быть предусмотрены на мостиковом кристалле. По меньшей мере, один или более дополнительных кристаллов могут быть уложены в стопку на мостиковом кристалле и соединяться с мостиковым кристаллом. Техническим результатом изобретения является упрощение процесса монтажа, снижение затрат на материалы межсоединений и обеспечение соединения между микросхемами с меньшим шагом, чем обычно допустимо при проволочном монтаже и эквивалентных межсоединениях с балочными выводами. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к многослойным интегральным схемам, в которых обеспечено рассеивание тепла от проблемных тепловых областей. Сущность изобретения: трехмерное устройство интегральной схемы содержит первый кристалл, уложенный с образованием слоистой структуры на второй кристалл, причем каждый из кристаллов имеет сконструированные в нем элементы, и кристаллы соединены друг с другом множеством межслоевых соединений, которые создают промежуток между первым и вторым кристаллами. Устройство также содержит сквозное отверстие через подложку, заполненное первым проводящим тепло материалом, расположенное в первом кристалле. Второй кристалл содержит проводящий тепло слой, при этом проводящий тепло слой обеспечивает физическое межсоединение между вторым кристаллом и сквозным отверстием через подложку, расположенным в первом кристалле. Техническим результатом изобретения является усовершенствование отвода тепла от проблемных областей трехмерного устройства интегральной схемы. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для преобразования энергии между источниками напряжения (питающей электрической сетью) и, по меньшей мере, одним источником тока, в частности нагрузкой. Преобразователь содержит матрицу ключей, подключающих источники напряжения к источникам тока. Матричный преобразователь отличается тем, что каждый из указанных ключей имеет два контакта, расположенных в соответствующих отдельных параллельных плоскостях, и фотопроводящую алмазную подложку, размещенную между указанными двумя контактами ключа. Каждый ключ управляется посредством источника света, облучающего алмазную подложку, размещенную между двумя контактами. Для каждого ключа источник света расположен обращенным к одному из двух контактов ключа, который снабжен множественными отверстиями для прохождения излучения от указанного источника в подложку. Технический результат - обеспечение возможности работы на высоких напряжениях при малых габаритах. 8 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к конструктивному элементу. Сущность изобретения: конструктивный элемент, в частности полупроводниковый компонент, содержит первую микросхему, размещенную на второй микросхеме, причем первая и вторая микросхемы имеют соответственно на одной из своих основных поверхностей первую, соответственно, и вторую металлизации, которые обращены друг к другу. Первые участки металлизации предусмотрены для выполнения электрического соединения между первой и второй микросхемами. Вторые участки металлизации в соответствии с изобретением предусмотрены как дополнительная электрическая функциональная поверхность, выполненная не в подложках первой и второй микросхем. Техническим результатом изобретения является создание конструктивного элемента, в котором дополнительные электрические функции можно реализовать простым способом. 9 з.п. ф-лы, 11 ил.