Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле: ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе  ,29/00 – H01L 25/07

Изобретение относится к модулю полупроводникового элемента и способу его изготовления. Технический результат изобретения состоит в том, чтобы предоставлять модуль полупроводникового элемента, имеющий высокую надежность, электрическое соединение и термическое соединение и допускающий обеспечение достаточной эффективности охлаждения, а также предоставлять способ для его изготовления. Сущность изобретения: в модуле полупроводникового элемента, по меньшей мере, один полупроводниковый элемент размещается между первой изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и второй изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и внешняя периферийная часть между первой изолирующей подложкой и второй изолирующей подложкой герметизируется с помощью герметизирующего элемента, при этом полупроводниковый элемент монтируется на первой изолирующей подложке и второй изолирующей подложке посредством связывания первой изолирующей подложки с помощью герметизирующего элемента при помощи связывания при комнатной температуре, чтобы тем самым связывать первую поверхность межсоединений с первыми сквозными межсоединениями, и связывания поверхностей электродов полупроводникового элемента с первой поверхностью межсоединений и второй поверхностью межсоединений при помощи связывания при комнатной температуре. 6 н. и 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области преобразовательной техники, а более конкретно к полевым транзисторным ключам на базе силовых МДП-транзисторов, и может найти применение в импульсных высокочастотных преобразователях напряжения. Изобретение обеспечивает повышение КПД за счет одновременного снижения статических и динамических потерь в ключевом элементе. Сущность изобретения: полевой транзисторный ключ содержит схему управления и ключевой элемент, состоящий из параллельно включенных МДП-транзисторов, истоки которых объединены и соединены с выводом схемы управления, один из МДП-транзисторов - быстродействующий средней мощности, а другой - низкочастотный мощный, затворы их соответственно присоединены к первому и второму выводам схемы управления, которая содержит логическое устройство, обеспечивающее необходимые задержки между управляющими импульсами. 5 ил.

Изобретение относится к преобразователям напряжения. Сущность изобретения: многосекционный преобразователь напряжения содержит, по меньшей мере, один фазовый вывод, соединенный с противоположными полюсами постоянного напряжения преобразователя, и последовательное соединение переключающих элементов, причем каждый переключающий элемент имеет с одной стороны, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа, а с другой стороны, по меньшей мере, один запасающий энергию конденсатор, при этом средняя точка последовательного соединения образует фазовый выход, сконфигурированный с возможностью подключения к стороне переменного напряжения преобразователя и разделения фазового вывода на ветвь верхних вентилей и ветвь нижних вентилей. Полупроводниковые чипы переключающих элементов размещены пакетами, содержащими, по меньшей мере, два чипа. Преобразователь содержит компоновку для приложения давления к противоположным концам каждого пакета для получения электрического контакта между чипами в пакете. Чипы имеют пластинчатую структуру и расположены таким образом, что их большие стороны направлены в сторону продолжения пакета. По меньшей мере, два полупроводниковых чипа относятся к одному переключающему элементу, а смежные чипы, относящиеся к одному переключающему элементу, разделены металлической пластиной для получения электрического контакта. Изобретение позволяет создать усовершенствованный преобразователь напряжения с повышенной надежностью соединений. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 11 ил.