Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле: .блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных основных группах  ,27/00 – H01L 25/16

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой. Изобретение обеспечивает возможность защитить чувствительные к температуре светоизлучающие диоды в случае высокой температуры, полученной, например, при возбуждении светоизлучающих диодов при большом токе. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. Сущность изобретения: светоизлучающий модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле, которое оборудовано для защиты светоизлучающего устройства от перегрева. При повышенной температуре соединение устройства может достигать критического уровня, что приводит к катастрофической поломке устройства. Согласно изобретению термореле оборудовано, чтобы шунтировать полупроводниковое светоизлучающее устройство. Это является особым преимуществом, так как тепловая защита, выполняемая термореле, приведена в соответствие непосредственно с температурой устройства в условиях эксплуатации. Светоизлучающий модуль обеспечивает тепловую защиту, регулируемую и настроенную на температуру соединения полупроводникового светоизлучающего устройства. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов. Блок микроэлектродной матрицы изготовлен с использованием жидкокристаллического полимера и содержит микроэлектродную матрицу. Блок содержит: секцию подложки, содержащую жидкокристаллический полимер, электродную секцию, принимающую и передающую биосигналы, и секцию крышки, изолирующую и защищающую электродную секцию и содержащую жидкокристаллический полимер, причем электродная секция находится в контакте с поверхностью секции подложки, секция крышки соединена с поверхностью секции подложки, на которой расположена электродная секция, и между секцией подложки и соединенной с ней секцией крышки образуется пространство, независимое от окружающей среды. Изобретение также относится к способу изготовления блока микроэлектродной матрицы, содержащему стадии формирования установочных отверстий в секции подложки, содержащей жидкокристаллический полимер, и в секции крышки, содержащей жидкокристаллический полимер, формирование сквозных отверстий (окон) для экспонирования электродной секции в секции крышки, формирование электродной секции на одной из поверхностей секции подложки, выравнивание секции подложки и секции крышки с помощью установочных отверстий и соединение друг с другом секции подложки и секции крышки, и обрезание секции подложки и секции крышки, соединенных друг с другом, для придания внешней формы. Изобретение обеспечивает возможность стабильно и быстро изготавливать блоки микроэлектродных матриц, при этом собранные в единый блок секции могут быть использованы для получения высокоплотных многоканальных систем. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах; кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, расположенные на лицевой стороне подложки и соединенные с топологическим рисунком металлизации, на лицевой поверхности подложки расположен пленочный полимерный носитель, на наружной стороне которого выполнены плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники, которые соединены с контактными площадками активных и пассивных навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через сквозные отверстия, выполненные в полимерном носителе. Толщина полимерного носителя выполнена от 5 до 100 мкм, а диэлектрическая проницаемость полимера - от 1,5 до 8,0. В пленочном полимерном носителе вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации и на расстоянии от него не более 1 мм, а также под внутрисхемными соединительными проводниками выполнены дополнительные отверстия с плотностью от 10 до 90% общей площади полимерного носителя. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.

Изобретение относится области силовых электронных средств, в частности к шунтирующему модулю, для замыкания ячейки преобразователя. Сущность изобретения: шунтирующий модуль для шунтирования первого и второго входа ячейки преобразователя модульного преобразователя содержит бистабильное механическое реле, силовой электронный переключатель, модуль возбуждения для переключения реле и силового электронного переключателя. Бистабильное механическое реле выполнено с возможностью электрического соединения первого входа со вторым входом, силовой электронный переключатель выполнен с возможностью электрического соединения первого входа со вторым входом. Шунтирующий модуль содержит накопитель энергии для подачи питания к механическому реле, силовому электронному переключателю и модулю возбуждения, причем модуль возбуждения содержит схему пассивного детектирования избыточного напряжения, и, если напряжение превышено, накопитель энергии заряжается за счет избыточного напряжения. Модуль возбуждения содержит дополнительный электронный переключатель, который закрыт, когда напряжение на накопителе энергии превышает заданное значение, и модуль возбуждения подает ток от накопителя энергии к бистабильному реле и/или к силовому электронному переключателю, и модуль возбуждения имеет гистерезис, так что, если напряжение на накопителе энергии недостаточно повышено, к реле и/или силовому электронному переключателю все еще подается ток от накопителя энергии. Изобретение обеспечивает преобразователь, с удобными для технического обслуживания и надежными ячейками преобразователя. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области конструирования радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано в миниатюрных приемопередающих устройствах. Сущность изобретения: в объемном модуле для радиоэлектронной аппаратуры, имеющем жесткую конструкцию с выводами, помещенную в металлический корпус и залитую компаундом, содержащем электрически и механически соединенные между собой прямоугольные печатные платы с экранирующими слоями и установленными радиоэлектронными компонентами, две из которых расположены горизонтально, остальные - вертикально, и образующие своими гранями (в том числе торцевыми) контуры объемной симметричной относительно, как минимум, двух из плоскостей симметрии, проходящих через вертикальную ось модуля, фигуры, причем верхняя горизонтальная плата лежит не ниже уровня верхних торцевых граней всех вертикальных плат, а нижняя - не выше уровня нижних торцевых граней этих плат и имеет внешние выводы, являющиеся выводами модуля, каждая вертикальная печатная плата состоит из двух отдельных половин той же высоты, которые находятся в плоскостях, проходящих через вертикальную ось модуля, а одна из боковых торцевых граней каждой половины максимально приближена и параллельна этой оси, и лежащих зеркально симметрично относительно указанных плоскостей симметрии или вертикальной оси модуля, причем ортогональная проекция верхней или нижней торцевой грани любой из больших или меньших половин хотя бы на одну из плоскостей симметрии находится в пределах контура горизонтальных плат, и содержат контактные площадки вдоль верхней и нижней сторон, горизонтальные платы имеют форму круга с центром, лежащим на оси модуля, на контуре которого находятся концы проекций на этот круг меньших половин вертикальных плат, причем указанные контактные площадки сгруппированы вблизи контура соответственно верхней и нижней горизонтальных плат, на которых находятся ответные контактные площадки, введены дополнительные печатные платы. При этом половины любой вертикальной печатной платы могут находиться в одной плоскости. Большие половины вертикальных печатных плат могут иметь длину, равную длине меньших половин. Заявленное изобретение обеспечивает создание объемного модуля для радиоэлектронной аппаратуры с уменьшенными габаритами при низкой трудоемкости изготовления, хорошей помехоустойчивости и ремонтопригодности. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности конструкции схемы, улучшение электрических характеристик и теплоотвода от кристаллов транзисторов. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, расположенную обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании, в диэлектрической подложке выполнено отверстие, а на металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристаллов транзисторов, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания с двух сторон кристалла одного из транзисторов выполнены монтажные площадки, снабженные хорошо теплопроводящей пластиной, в хорошо теплопроводящей пластине выполнена канавка, в которой расположен и закреплен один кристалл другого транзистора. Хорошо теплопроводящая пластина выполнена единой для кристаллов транзисторов каждой пары, при этом расстояние между парами транзисторов S и теплопроводность материала пластины определены согласно заявленному условию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона приемопередающего модуля активной фазированной антенной решетки, а также повышение ее технологичности. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, представляющая собой приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, имеющий два приемных и один передающий каналы, выполнена в виде многослойной платы с навесными компонентами, установленной и закрепленной на металлическом теплоотводящем основании и закрытой диэлектрической крышкой. Диэлектрические подложки многослойной платы выполнены керамическими, топологический рисунок металлизации выполнен по толстопленочной технологии, в качестве навесных компонентов использованы гибридно-монолитная схема усилителя мощности, монолитные полупроводниковые интегральные схемы. Микрополосковые входные и выходные СВЧ-выводы расположены на отдельных тонкопленочных платах и установлены на металлическом теплоотводящем основании в специальных выемках по два с двух противоположных сторон многослойной платы. Крышка выполнена выпуклой, на ее внутреннюю поверхность методом толстопленочной технологии нанесена экранная заземляющая металлизация, а на наружной поверхности выполнены низкочастотные выводы с контактными площадками. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к пакету светового модуля со светоизлучающим диодом. Сущность изобретения: Пакет светового модуля (1), содержащий: монтажную подложку (10) для монтажа и электрического контакта, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода (20), керамический слой (40), расположенный на пути света, излучаемого светоизлучающим диодом (20), при этом керамический слой (40) содержит материал, преобразующий длину волны, светоизлучающий диод (20), расположенный между керамическим слоем (40) и монтажной подложкой (10), светочувствительный датчик (30), расположенный на монтажной подложке (10) и обнаруживающий световую отдачу светоизлучающего диода (20) для управления яркостью и/или цветом света, исходящего от светового модуля (1), где чувствительная область светочувствительного датчика (30) обращена прямо к керамическому слою (40), и где керамический слой (40) является лишь частично прозрачным для защиты светочувствительного датчика (30) от окружающего света. Техническим результатом изобретения является усовершенствование упомянутого выше пакета светового модуля, обеспечение пакета светового модуля простой начальной установкой, в которой может применяться стабилизированный поток, управляющий яркостью и/или цветом излучаемого света. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, соединенную с экранной заземляющей металлизацией, по меньшей мере, один транзистор, по меньшей мере, два конденсатора с разных сторон транзистора, при этом, по меньшей мере, один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, по меньшей мере, два другие его вывода электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, нижние обкладки конденсаторов электрически соединены с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранной заземляющей металлизацией. Транзистор с выводами, два конденсатора и электрические соединения одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов выполнены в виде, по меньшей мере, одного кристалла монолитной интегральной схемы, расположенного на одной металлизированной посадочной площадке, при этом оба конденсатора выполнены пленочными, верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и электрические соединения одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов выполнены в одном слое металлизации кристалла монолитной интегральной схемы, при этом в кристалле монолитной интегральной схемы непосредственно под нижними обкладками конденсаторов выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой. Технический результат - повышение электрических и массогабаритных характеристик, повышение надежности, снижение трудоемкости изготовления. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение теплоотвода от кристаллов транзисторов, улучшение электрических и массогабаритных характеристик, а также повышение технологичности мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит транзисторы, которые выполнены в виде кристаллов с плоскими балочными выводами. На металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке и расположен в нем, при этом высота выступа обеспечивает расположение его верхней плоскости заподлицо с лицевой стороной диэлектрической подложки. На верхней плоскости выступа выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристалла одного из транзисторов, соединенных с топологическим рисунком металлизации. На верхней плоскости выступа металлического теплоотводящего основания, по крайней мере, с одной стороны кристалла одного из транзисторов выполнена, по крайней мере, одна монтажная площадка, которая снабжена металлической хорошо электро- и теплопроводящей пластиной и соединена с ней. В этой металлической пластине выполнена, по крайней мере, одна канавка, в которой расположен кристалл другого транзистора, при этом она выполнена сквозной со стороны его плоских балочных выводов, соединенных с топологическим рисунком металлизации, соразмерна ему. Другие плоские балочные выводы кристаллов транзисторов соединены с выступом на металлическом теплоотводящем основании. Ширина кристалла транзистора равна ширине выступа металлического теплоотводящего основания и ширине хорошо теплопроводящей пластины, а толщина дна канавки и расстояние от края канавки до ближайшего края пластины выбраны такими, что обеспечивается минимальная разность максимальных температур нагрева кристаллов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно гибридным интегральным схемам СВЧ диапазона. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик, повышение технологичности при расширении функциональных возможностей гибридной интегральной схемы СВЧ диапазона, при сохранении ее прочности. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию на обратной. Диэлектрическая подложка обратной стороной расположена на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним, в диэлектрической подложке выполнено отверстие, в котором расположена металлическая тепло- и электропроводящая вставка, на торце которой с лицевой стороны диэлектрической подложки расположен и соединен с ней кристалл полупроводникового прибора, а с двух противоположных его сторон на расстоянии не более 0,5 мм расположены кристаллы конденсаторов. Высота металлической тепло- и электропроводящей вставки в местах расположения кристаллов полупроводникового прибора и конденсаторов меньше толщины диэлектрической подложки на их высоту соответственно, а зазор между стенками отверстия в диэлектрической подложке и двумя другими сторонами кристалла полупроводникового прибора не более 0,2 мм. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность изобретения: корпус силового модуля содержит два электроизолированных элемента корпуса, которые прикреплены друг к другу. Первый элемент из числа указанных элементов корпуса содержит, по меньшей мере, два отверстия для электрических силовых выводов и углубление в виде прорези. Между отверстиями, по меньшей мере, две изолирующие стенки выполнены на поверхности корпуса и перпендикулярно к ней. Одна изолирующая стенка является частью второго элемента из числа указанных элементов корпуса и вставлена в углубление в указанном первом элементе корпуса; при этом, по меньшей мере, одна вторая стенка из числа указанных изолирующих стенок является частью первого элемента корпуса. Изолирующие стенки между отверстиями для силовых выводов позволяют осуществление компактной компоновки выводов. Техническим результатом изобретения является создание корпуса модуля и силового полупроводникового модуля, обладающих повышенной электрической прочностью диэлектрика и улучшенными характеристиками запирающего напряжения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к гибридным интегральным схемам СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение надежности гибридной интегральной схемы СВЧ как за счет повышения механической прочности соединений, так и за счет улучшения теплоотвода от кристалла полупроводникового прибора. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона в металлическом теплоотводящем основании непосредственно под отверстием в диэлектрической подложке выполнено отверстие, соразмерное по сечению отверстию в диэлектрической подложке, в котором расположена часть металлической теплоотводящей вставки, а соединена металлическая теплоотводящая вставка боковыми поверхностями с боковыми поверхностями отверстий в диэлектрической подложке и металлическом теплоотводящем основании, при этом зазор между ними менее или равен 0,4 мм, а высота металлической теплоотводящей вставки равна или меньше на высоту кристалла полупроводникового прибора суммарной толщины металлического теплоотводящего основания и диэлектрической подложки. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: в области микроэлектроники при изготовлении многослойных структур на подложках из различных материалов, а именно, многоуровневых тонкопленочных интегральных микросхем с многоуровневой коммутацией. Технический результат - упрощение техпроцесса и повышение производительности изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем, повышение степени их интеграции и эффективности использования проводникового слоя, расширение ассортимента изделий за счет обеспечения работоспособности предлагаемой технологии в широком интервале толщин слоев изготавливаемых многоуровневых интегральных микросхем, универсализация и расширение области применения способа за счет его совместимости с традиционной технологией изготовления микросхем, а также удешевление изготовления в результате снижения затрат на материалы и оборудование для изготовления многоуровневых микросхем. Сущность изобретения: в способе изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем, включающем получение в проводниковых слоях рисунка проводников и выполнение в диэлектрических слоях окон методом фотолитографии и формирование из проводниковых и диэлектрических слоев многослойной интегральной микросхемы, имеющей межуровневую коммутацию в виде электрических соединений, созданных в окнах диэлектрических слоев, микросхему формируют путем последовательного совмещения отдельных одноуровневых тонкопленочных плат между собой и создания в окнах диэлектрических слоев этих плат неразъемных соединений, сочетающих в себе функции межуровневой коммутации - электрического соединения и конструкционного скрепления - механического соединения, посредством, например, микросварки приведенных в положение взаимного контакта участков проводниковых слоев, предварительно топологически предусмотренных над окнами во время получения рисунка проводников, и в случае недостаточности конструкционной прочности микросхемы ее формирование сопровождают созданием в дополнительных окнах диэлектрических слоев плат неразъемных соединений, несущих функцию только конструкционного скрепления, посредством, например, микросварки, приведенных в положение взаимного контакта участков проводниковых слоев, предварительно топологически предусмотренных над дополнительными окнами во время получения рисунка проводников без включения этих участков в него, при этом формирование микросхемы производят через оба типа окон, выполненных с осями, совпадаемыми при совмещении плат, и при увеличении числа соединяемых плат - через окна с осями, разнесенными в совмещаемых платах для уменьшения прогиба соединяемых участков проводниковых слоев, включая при топологической необходимости создание неразъемных соединений контактируемых участков проводниковых слоев в сквозных окнах в промежуточных платах. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.