Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер, включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером – H01L 27/02

Изобретение относится к монолитным интегральным схемам, работающим в миллиметровом диапазоне длин волн, и предназначено для использования в телекоммуникационных и радиолокационных системах. Изобретение позволяет исключить изменение параметров монолитной схемы, содержащей копланарные линии передач на входе и выходе, при монтаже и упростить сам процесс монтажа кристалла. Отличительной особенностью монолитной интегральной схемы миллиметрового диапазона длин волн, выполненной на полуизолирующей подложке и содержащей копланарные линии передачи для ввода и вывода энергии, является то, что металлизация копланарных линий выведена за пределы кристалла. При монтаже монолитной интегральной схемы выступающую за пределы кристалла металлизацию накладывают на металлизацию копланарных линий передач и производят их соединение. При этом на входе и выходе схемы реализуются максимально согласованные переходы с одной линии на другую. Данная конструкция позволяет производить измерение СВЧ-параметров созданных монолитных схем, на пластине еще до разделения на кристаллы, причем результаты измерений будут соответствовать данным для смонтированного в устройство кристалла. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит схему, включающую в себя множество тонкопленочных транзисторов и по меньшей мере один диод, при этом множество тонкопленочных транзисторов имеют одинаковый тип проводимости. Когда тип проводимости множества тонкопленочных транзисторов является N-типом, электрод катодной стороны диода присоединяется к линии, присоединенной к затвору выбранного одного из множества тонкопленочных транзисторов, а когда тип проводимости множества тонкопленочных транзисторов является P-типом, электрод анодной стороны диода присоединяется к линии, присоединенной к затвору выбранного одного из множества тонкопленочных транзисторов. Устройство содержит и другой диод, не сформированный на линии, скомпонованный так, что направление протекания тока через него было противоположно по меньшей мере одному диоду. Схема включает сдвиговый регистр, включающий множество каскадов. Каждый из множества каскадов включает в себя первый транзистор для выдачи выходного сигнала и множество вторых транзисторов, чья область истока или область стока электрически присоединена к электроду затвора первого транзистора. Изобретение позволяет исключить повреждение тонкопленочных транзисторов от электростатического разряда в схеме с уменьшенным размером. 7 з.п. ф-лы, 36 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронному устройству, включающему в себя компоненты, которые изготавливаются интегрально на одной и той же подложке. Электронное устройство данного изобретения содержит электронную схему, сформированную как единое целое с подложкой, первую токопроводящую дорожку, соединенную с соединительной клеммой, которая может электрически подключаться к внешнему устройству, предоставляемому независимо от электронной схемы, вторую токопроводящую дорожку, через которую осуществляется вывод выходного сигнала, и коммутационную секцию, с помощью которой первая токопроводящая дорожка и вторая токопроводящая дорожка переключаются между электрически замкнутым состоянием и электрически разомкнутым состоянием. Изобретение обеспечивает возможность даже в том случае, когда жидкокристаллический дисплей имеет монолитную структуру, исследовать форму выходных сигналов схем управления. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: в устройстве защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных МОП интегральных схем на КНС, КНИ структурах вывод контактной площадки (1) связан с латеральными диодами Д (2) и Д (3), стоком транзистора Т (4) и внутренними электродами схемы (10), латеральные диоды Д (2) и Д (3), анод Д (2) и катод Д (3) связаны с входной шиной, катод Д (2) подключен к шине положительного питания (8), а анод Д (3) - к шине земли (9), сток (исток) n-канального транзистора Т (4) связан с входной шиной, исток (сток) подключен к шине земли (9), а затвор подключен к шине земли через резистор Р (5), между шинами питания (8) и земли (9) включен n-канальный транзистор Т (6), затвор которого подключен к шине земли через резистор Р (7). Латеральные диоды сформированы в одиночных островках эпитаксиальной структуры, имеют развитый (длинный) периметр границы р-n перехода, удаленной от контактов к токоведущим шинам, и не имеют затвора над низколегированными областями базы, а n-канальные транзисторы имеют кольцевые затворы, которые связаны с шиной земли через высокоомные резисторы, области каналов транзисторов не подключены к фиксированным потенциалам. Изобретение обеспечивает быстрое пропускание тока без повреждения эпитаксиальных островков при воздействии разряда статического электричества до 3500 вольт. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к СВЧ интегральным схемам с pin-диодами и предназначено для использования в качестве защитных схем в устройствах, содержащих малошумящие усилители. В интегральной схеме ограничителя, содержащей несколько групп pin-диодов, соединенных через отрезки микрополосковых линий, изменена схема включения pin-диодов. Согласно изобретению, группы входных и выходных диодов через фильтры питания подключены, по крайней мере, к одному источнику постоянного напряжения, смещающего отдельные диоды или все группы диодов в прямом направлении. Ограничение входного сигнала в устройстве происходит при меньшей амплитуде входного СВЧ сигнала за счет того, что диоды смещены в прямом направлении. Таким образом, технический результат, на который направлено изобретение, состоит в уменьшении просачивающейся мощности ограничителя. 1 пр., 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к изделиям электронной техники, например микросхемам, содержащим конфиденциальные сведения, записанные в области памяти, которые необходимо защитить от незаконного считывания. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор конструктивно состоит из кристалла, содержащего область топологии с конфиденциальными данными, корпуса, вставки из материала с эффектом памяти формы, размещенной под областью топологии в месте механического ослабления, и полимеризованного наполнителя. При воздействии на него специальными методами обратного проектирования будет разрушена именно та область, которая содержит конфиденциальные данные. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности защиты областей топологии кристалла, содержащих конфиденциальные данные от обратного проектирования, путем механического разрушения именно того участка топологии, который содержит конфиденциальную информацию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к изделиям электронной техники, например микросхемам, содержащим конфиденциальные сведения, которые необходимо защитить от незаконного считывания. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, включающем корпус с кристаллом интегральной схемы, вставку из материала с эффектом памяти формы, расположенную внутри корпуса прибора таким образом, чтобы при обнаружении изменения температуры вследствие нарушения целостности корпуса полупроводникового прибора происходило разрушение кристалла прибора. Вставка из материала с эффектом памяти формы имеет температуру трансформации выше максимальной рабочей температуры прибора, внутренний объем прибора заполняется полимеризованным наполнителем с температурой размягчения выше температуры трансформации упомянутой вставки с эффектом памяти формы, а трансформированная форма вставки выбирается таким образом, чтобы при трансформации происходило разламывание кристалла по крайней мере по двум непараллельным осям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества уничтожения кристалла прибора за счет разламывания кристалла на большое число обломков. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к монолитным интегральным схемам СВЧ, и может быть использовано в твердотельных модулях СВЧ различного функционального назначения. Сущность изобретения: в электронном приборе СВЧ, предназначенном для поверхностного монтажа, содержащем, по меньшей мере, один электронный компонент с выводами, монтажные площадки и металлизированные переходные отверстия, электронный компонент с выводами, монтажные площадки и металлизированные переходные отверстия выполнены в виде единого кристалла, при этом электронный компонент выполнен на лицевой стороне с заданным активным слоем единого кристалла, монтажные площадки - на обратной его стороне, металлизированные переходные отверстия - в объеме единого кристалла, при этом электронный компонент, монтажные площадки и металлизированные переходные отверстия выполнены в монолитном интегральном исполнении, металлизированные переходные отверстия непосредственно соединены одними концами с выводами электронного компонента, а другими концами - с монтажными площадками. Технический результат изобретения - повышение технико-экономических характеристик, а именно расширение диапазона рабочих частот, повышение выходной мощности и надежности за счет уменьшения теплового сопротивления, уменьшение массогабаритных характеристик, повышение воспроизводимости и снижение трудоемкости изготовления. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области электроники, полупроводниковой техники, а именно к полупроводниковым приборам с отрицательной дифференциальной проводимостью и со встроенной защитой от пробоя. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе со встроенной защитой от скачков тока и напряжения в цепях управления и нагрузки, содержащем первый трехэлектродный полупроводниковый прибор с отрицательной дифференциальной проводимостью, имеющий управляющий электрод, и второй полупроводниковый прибор с отрицательной дифференциальной проводимостью, для достижения защиты от скачков тока и напряжения в цепях управления и нагрузки, второй полупроводниковый прибор с отрицательной дифференциальной проводимостью включен последовательно в цепь управляющего электрода первого полупроводникового прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью. Техническим результатом изобретения является повышение надежности работы полупроводниковых управляемых током приборов, в том числе с отрицательной дифференциальной проводимостью. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резистора, конденсатора, диода, транзистора и др., которые могут быть объединены в матричную систему (аналог интегральной схемы). Изобретение обеспечивает повышение эффективности дискретных элементов, таких как резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и создание матричных систем из данных элементов. Технический результат заключается в получении еще одного параметра управления характеристиками и параметрами электронных компонент, а именно площадь контактных областей, за счет перехода от планарной к трехмерной модели построения электронных компонент. Сущность изобретения: сферический многослойный компонент электронной схемы характеризуется наличием ядра размером от 5 нм до 100 мкм органической или неорганической природы с нанесенными на него наноразмерными слоями из материала с различными электрическими свойствами - удельным сопротивлением и типом проводимости, при этом каждый слой имеет проводящее покрытие с отдельным изолированным выводом, проводящие покрытия, расположенные между соседними слоями, выполнены перфорированными. 9 з.п. ф-лы, 5 ил.