Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ...содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется – H01L 27/06
Патенты в данной категории
| БЕЗЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Изобретение относится к микроэлектронике. В безэпитаксиальной структуре биполярного транзистора, включающей области коллектора, базы и эмиттера в пластине кремния, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, при этом контакты к областям базы и эмиттера осуществляются через электроды из поликристаллического кремния, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы и контакта к коллектору, первую высоколегированную область одного с областью коллектора типа проводимости, расположенную под полевым окислом, окружающим области базы с четырех сторон, вторую высоколегированную область одного с коллектором типа проводимости, располагаемую в коллекторе под областью активной базы, электрод эмиттера сформирован на окисле кремния по типу затвора МОП транзистора, при этом реальный размер области эмиттера определяется величиной торцевого травления слоя окисла кремния под электродом эмиттера, область эмиттера заполнена поликристаллическим кремнием, контакт к базе выполнен с помощью электрода из поликристаллического кремния, а вторая высоколегированная область одного с коллектором типа проводимости размещена только под областями активной базы на участках между областью эмиттера и полевым окислом. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и степени интеграции биполярного транзистора. 3 ил. |
2368036 патент выдан: опубликован: 20.09.2009 |
|
| БиКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом проводимости областей, противоположным типу проводимости первого МОП-транзистора; первый биполярный транзистор, содержащий эмиттерный электрод из третьего слоя поликристаллического кремния над эмиттерной областью, базовый электрод к области пассивной базы из первого и второго слоев поликристаллического кремния и коллекторный электрод к коллекторной области из третьего слоя поликристаллического кремния; второй биполярный транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый биполярный транзистор, с типом проводимости областей, противоположным типу проводимости первого биполярного транзистора. Также представлен способ изготовления БиКМОП-прибора. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение степени интеграции, быстродействия и процента выхода годных БиКМОП-приборов за счет усовершенствованной конструкции, позволяющей реализовать комплексный принцип самосовмещения областей и усовершенствованной технологии изготовления БиКМОП-прибора. 2 н.п. ф-лы, 12 ил. |
2282268 патент выдан: опубликован: 20.08.2006 |
|
| СТРУКТУРА КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэлектрика структура содержит слои первого металлида, возникающего в процессе сращивания пластин, и второго металлида, обладающего свойствами барьера для первого металлида и кремния, используемых в качестве скрытых низкоомных слоев в подложке полевого и в коллекторе биполярного транзисторов. Слой второго металлида обладает свойствами барьера не только для слоев первого металлида и кремния, но и для элементов, ухудшающих свойства областей кремния и параметры полевых и биполярных транзисторов, изготавливаемых в них. Техническим результатом изобретения является наличие в структуре эффективного барьера между слоем первого металлида и приборным кремниевым слоем как для атомов первого металлида и кремния, так и для примесей, ухудшающих свойства кремниевого слоя и параметры транзисторов в приборном слое. 7 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл. | 2230393 патент выдан: опубликован: 10.06.2004 |
|
| СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СОСТАВЕ БИКМОП ИС Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы и контакта к коллектору, высоколегированную область одного с областью коллектора типа проводимости, расположенную под полевым окислом, окружающим область базы, высоколегированная область одного с областью коллектора типа проводимости под изолирующим полевым окислом окружает область базы с четырех сторон и при этом контакт к области базы осуществляется через электрод из поликристаллического кремния, а другая высоколегированная область одного с коллектором типа проводимости располагается в коллекторе под областью активной базы. Техническим результатом изобретения является снижение сопротивления коллектора за счет введения новой структуры биполярного транзистора с шунтом, охватывающим эмиттер с четырех сторон. 2 с.п. ф-лы, 3 ил. | 2210838 патент выдан: опубликован: 20.08.2003 |
|
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС. Целью изобретения является сокращение занимаемой площади и повышение быстродействия. Элемент содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, зону питания, зону нулевого потенциала, две входные зоны, транзистор второго типа проводимости, входную поликремниевую шину, выполненную в виде буквы S, выходную зону, выполненную в виде буквы S . Зона транзита содержит транзитную поликремниевую шину, выполненную в виде буквы S в зеркальном отображении. Входные, выходная и транзитная зоны имеют одинаковые размеры. Условные границы входных зон, транзитной зоны, зон питания и нулевого потенциала пересекают контактные окна. 1 ил., 1 табл. | 2115998 патент выдан: опубликован: 20.07.1998 |
|
| БИКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии формирования биополярных и полевых транзисторов. В предлагаемой конструкции первый вертикальный биполярный транзистор включает эммитерный электрод из второго слоя поликремния над эммитерной областью, базовые электроды к двум областям пассвной базы и коллекторный электрод из тертьего слоя поликремния, самосовмещенные металлические силицидные слои к базовым, эмиттерному и коллекторному электродам, металлические электроды, выполненные к базовым, к эмиттерному и коллекторному электродам, при этом второй биполярный транзистор имеет такую же структуру, как и первый вертикальный биполярный транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого вертикального биполярного транзистора, первый МОП-транзистор содержит истоковую и стоковую области, разделенные канальной областью, затвор из первого и второго слоя поликремния и металлического силицилового слоя, нанесенные на подзатворный диэлектрик, электроды из третьего слоя поликремния к области стока и истока, введенные на полевой окисел и покрытые металлическим силицидным слоем, металлические электроды, контактирующие к областям истока и стока через электроды из третьего слоя поликремния, выведенные на полевой окисел, второй МОП-транзистор имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого МОП-транзистора. 2 с.п. ф-лы, 12 ил. | 2106719 патент выдан: опубликован: 10.03.1998 |
|