Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ......комплементарные полевые МДП-транзисторы – H01L 27/092
Патенты в данной категории
| КМОП-ТРАНЗИСТОР С ВЕРТИКАЛЬНЫМИ КАНАЛАМИ И ОБЩИМ ЗАТВОРОМ
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от каналов диэлектриком и сформирован на непроводящей области, расположенной между транзисторами. Стоки каналов МОП-транзисторов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры, а истоки транзисторов имеют отдельные выводы на верхней стороне. Изобретение позволяет упростить конструкцию, уменьшить размеры и повысить быстродействие КМОП-транзистора. 1 ил. |
2504865 патент выдан: опубликован: 20.01.2014 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ХАРАКТЕРИСТИКОЙ ЛЯМБДА-ДИОДА
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе с характеристикой лямбда-диода объединены два комплементарных полевых транзистора в единую вертикальную структуру с параллельно расположенными каналами, между которыми образуется электрический переход, при этом ток в каналах проходит во встречных направлениях. Затворы образованы дополнительными областями на другой боковой стороне каналов. Истоки каналов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры. Сток n-канала соединен с затвором р-канала, а сток р-канала - с затвором n-канала с помощью двух общих металлических шин. Прибор может содержать несколько единичных структур, при этом затворы являются общими для соседних структур, а каналы с одинаковым типом проводимости размещены симметрично по отношению к затворам. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 ил. |
2466477 патент выдан: опубликован: 10.11.2012 |
|
| КМОП УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ СУРЬМЫ
КМОП устройство с материалами из элементов III-V групп может иметь n-МОП и р-МОП участки, которые по существу выполнены одинаково в нескольких своих слоях. Это позволяет просто изготовлять КМОП устройство для получения и предотвращения несоответствия коэффициентов теплового расширения между р-МОП и n-МОП участками. 3 н. и 22 з.п. ф-лы, 14 ил. |
2419916 патент выдан: опубликован: 27.05.2011 |
|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ, И СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА
Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3000 нм. Полупроводниковая подложка может быть выполнена из кремния (Si), на которой выполнен подслой SiQ2 толщиной 0.1-1 нм. Также предложена структура, изготовленная описанным выше способом. Изобретение обеспечивает управление напряжением переключения полевого транзистора n-типа и уменьшение напряжения переключения полевого транзистора n-типа с увеличением стабильности напряжения переключения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2393587 патент выдан: опубликован: 27.06.2010 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА С ЧАСТИЧНО ПРОХОДЯЩЕЙ В ПОДЛОЖКЕ РАЗВОДКОЙ, А ТАКЖЕ ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ЭТИМ СПОСОБОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу. Согласно этапам способа изготовления предусмотрено выполнение, по меньшей мере, одного проходящего в полупроводниковой подложке и, по меньшей мере, одного проходящего на полупроводниковой подложке проводящего соединения. В результате полупроводниковый элемент, изготовленный согласно изобретению, позволяет использовать его в тех случаях, когда речь идет о высокой надежности против внешних манипуляций. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 7 ил. | 2214649 патент выдан: опубликован: 20.10.2003 |
|
| КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Изобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике, классу многофункциональных приборов. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей прибора. Предложен полупроводниковый прибор, структура которого в зависимости от коммутации выводов прибора может выполнять функции комплементарных n-МОП и р-МОП транзисторов, или комплементарных биполярных транзисторов n-p-n и р-n-р типов, или двух новых комплементарных элементов, каждый из которых имеет по два управляющих электрода, а также может работать в качестве двухэмиттерного транзистора, тиристора и элемента инжекционной логики И2Л. 10 ил. | 2192691 патент выдан: опубликован: 10.11.2002 |
|
| КМОП-СТРУКТУРА Изобретение относится к КМОП-структуре. КМОП-структура содержит по меньшей мере одну n-МОП-область и по меньшей мере одну р-МОП-область, а также снабжена на своей поверхности множеством расположенных по меньшей мере частично в виде равномерной сетки контактов подложки, посредством которых соответствующие участки подложки КМОП-структуры могут быть нагружены напряжением с заданными значениями. Среднее число контактов подложки на единицу площади и/или средняя площадь контактов подложки на единицу площади по меньшей мере в одной n-МОП-области значительно меньше, чем по меньшей мере в одной р-МОП-области. Число контактов подложки на единицу площади по меньшей мере в одной n-МОП-области на границе областей может быть выше, чем в центре области. В результате такого выполнения повышается степень миниатюризации КМОП-структуры при сохранении ее сопротивления к фиксации состояния за счет уменьшения контактов подложки и/или занимаемой ими площади, более плотной упаковки. 2 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2170475 патент выдан: опубликован: 10.07.2001 |
|
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ДВУМЯ ТИПАМИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ Использование:изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Сущность изобретения: предлагается в конструкции интегральных схем на полупроводниковой подложке, частично покрытой маскирующим слоем, последний выполнять в виде локальных областей, отделенных друг от друга определенной ширины зазорами, протяженными вдоль взаимно перпендикулярных направлений, которые в результате образуют односвязную область. В непокрытой маскирующим слоем части подложки - в зазорах между маскирующими областями - формируются все элементы интегральной схемы. Маскирующие области остаются свободными от проводников. Выбором толщины маски, большей ширины проводников, обеспечивается возможность независимого формирования двух взаимно перпендикулярных слоев проводников. 2 з. п. ф-лы, 2 ил. | 2100874 патент выдан: опубликован: 27.12.1997 |
|
| КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КЛЮЧ Использование: в электронной технике при создании аналоговых интегральных схем с КМОП-структурами. Сущность изобретения: комплементарный ключ содержит внешние выводы, nМОП- и pМОП-компоненты, содержащие n- и p-канальные МОП-транзисторы, включенные параллельно между его внешними выводами. Одна из МОП-компонент расположена в отдельном кармане с типом проводимости, противоположном типу проводимости подложки, в котором расположена другая МОП-компонента. МОП-компонента, которая расположена в отдельном кармане, имеет два последовательно соединенных МОП-транзистора, включенных между внешними выводами ключа, а общий исток-стоковый узел этой пары подключен к отдельному карману, в котором расположена эта МОП-компонента. 4 ил. | 2054752 патент выдан: опубликован: 20.02.1996 |
|