Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией – H01L 27/10
Патенты в данной категории
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ СО СТАБИЛИЗИРОВАННЫМ ПОЛИМЕРОМ
Изобретение относится к композиции для уменьшения пожелтения и способу получения такой композиции. Композиция состоит из фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент, поливинилбутирального слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола. Технический результат - получение композиции, пригодной для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр., 1 ил. |
2528397 патент выдан: опубликован: 20.09.2014 |
|
| СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ СВЧ-МОЩНОСТИ
Изобретение относится к СВЧ-монолитным интегральным схемам и предназначено для использования в качестве защитных схем, например в устройствах, содержащих малошумящие усилители. Cхема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности отражательного типа согласно изобретению построена не как фильтр нижних частот, а представляет собой отрезок копланарной линии передач (либо копланарной линии передач с заземляющей плоскостью), сочлененный с планарными распределенными pin-структурами, включенными встречно-параллельно относительно соответствующих проводников копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью). Изобретение обеспечивает возможность повысить значение верхней рабочей частоты и увеличить максимальное значение входной мощности ограничителя. 1 ил. |
2515181 патент выдан: опубликован: 10.05.2014 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ПЛАЗМЫ - "ПЕРИПЛАЗМ"
Использование: полупроводниковая электронная техника. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе с периодическим расположением в кремниевой подложке элементов с инжекционной электронно-дырочной плазмой элементы связаны между собой электрическими полями и носителями тока. В структуре полупроводникового прибора активные элементы содержат периодическую структуру электронно-дырочной плазмы, период собственных колебаний которой соответствует периоду расположения элементов. Техническим результатом изобретения является повышение надежности полупроводниковых приборов, усиливающих и генерирующих сверхвысокочастотные электромагнитные волны, за счет работы на полупроводниковых приборах с инжектированной электронно-дырочной плазмой. 7 з.п. ф-лы, 8 ил.
|
2245590 патент выдан: опубликован: 27.01.2005 |
|
| ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ Использование: в телевизионных измерительных системах, работающих в широком диапазоне выходного сигнала. Сущность: в фоточувствительную микросхему с зарядовой связью, на которой реализован формирователь видеосигнала, состоящую из M строк и N столбцов фоточувствительных элементов 1, светозащищеного выходного регистра 2 и выходного устройства 3, дополнительно введены линия задержки сигнала на основе регистра переноса с зарядовой связью и линейная фоточувствительная микросхема с зарядовой связью, содержащая N фоточувствительных элементов 5, аналогичных строке матрицы, выходной регистр 6 и выходное устройство 7, причем на поверхности фоточувствительных элементов 5 размещен оптический фильтр, а линия задержки 4 подключена между первыми выходным регистром 2 и выходным устройством 3. 2 ил. | 2087051 патент выдан: опубликован: 10.08.1997 |
|
| СХЕМНАЯ СТРУКТУРА С ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ ОДНИМ КОНДЕНСАТОРОМ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: в микроэлектронике, аудио- и видеоаппаратуре. Сущность изобретения: конденсатор выполнен на легированной, монокристаллической кремниевой подложке /1/, снабженной путем электрохимического травления во фторсодержащем, кислом электролите, при котором подложка включена в качестве анода, множеством дырочных отверстий /3/, диэлектрическим слоем /4/ и проводящим слоем /5/ в качестве противоэлектрода. Эти конденсаторы обладают большим удельным сопротивлением. 2 с. и 18 з.п. ф-лы. 3 ил. | 2082258 патент выдан: опубликован: 20.06.1997 |
|
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Использование: в области микроэлектроники в производстве полупроводниковых интегральных схем с большой, сверхбольшой и ультрабольшой степенью интеграции, предназначенных для создания на основе этих узлов и блоков изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры повышенной группы сложности с расширенными функциональными возможностями как специального, так и общепромышленного назначения. Сущность изобретения: элемент памяти содержит МДП-транзистор связи и расположенный под ним накопительный конденсатор, причем физические слои накопительного конденсатора и транзистора связи сформированы на поверхности углубления двух многогранников с числом граней более пяти, разделенных областью полупроводникового материала второго типа проводимости, выполняющей функции области стока транзистора связи. 5 ил. | 2018994 патент выдан: опубликован: 30.08.1994 |
|
| БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ЕЕ ВАРИАНТЫ) Применение: изобретение относится к микроэлектронике, и может быть использовано при производстве интегральных схем, больших интегральных схем, сверхбыстродействующих интегральных схем, а также при создании многокристальных модулей и других типов интегральных гибридных микросборок. Сущность изобретения: большая интегральная схема содержит основание кристаллодержателя, на рабочей поверхности которого сформирована коммутационная система с телами контактирования, образующими в определенных сочетаниях знакомства для монтируемых методом перевернутого кристалла монолитных интегральных схем. На поверхности основания кристаллодержателя выполнены направляющие выступы, представляющие собой усеченные пирамиды, боковая поверхность которых образована кристаллографическими плоскостями { III} , а в объеме материала тела кондуктора, смонтированного на поверхности основания кристаллодержателя, выполнены глухие посадочные отверстия, которые конформно воспроизводят форму направляющих выступов, чем обеспечивают прецизионную сборку конструкции без использования средств технического видения. В объеме тела кондуктора непосредственно над знакоместами соответствующих кристаллов монолитных интегральных схем сформированы сквозные отверстия, конформно воспроизводящие форму кристаллов монолитных интегральных схем, выполненных в виде усеченных пирамид, боковыми поверхностями которых служат кристаллографические плоскости { III} , а основаниями - кристаллографические плоскости { 100} . При этом происходит объединение коммутационных систем монолитных ИС и кристаллодержателя в единое функциональное законченное устройство, расположенное на едином основании. 3 с. п. и 3 з. п. ф-лы. , 1 ил. | 2006991 патент выдан: опубликован: 30.01.1994 |
|
| БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ЕЕ ВАРИАНТЫ) Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых интегральных схем, больших интегральных схем, сверхбыстродействующих интегральных схем, а также для создания многокристальных модулей и других гибридных микросборок. Сущность изобретения: большая интегральная схема содержит основание кристаллодержателя, выполненное из полупроводникового монокристаллического материала с кристаллографической ориентацией (100), на обеих сторонах которого смонтированы многоуровневые коммутационные системы, снабженные телами контактирования, которые в определенных сочетаниях образуют знакомства для монтируемых методом перевернутого кристалла монолитных ИС и других компонентов микроэлектроники. На поверхности основания кристаллодержателя смонтированы кондукторы, представляющие собой пластины монокристаллического полупроводникового материала с кристаллографической ориентацией (100). Основание как кристаллодержателя, так и кондуктора имеет соответствующие выступы и глухие посадочные отверстия, которые конформно воспроизводят форму и размеры направляющих выступов, за счет чего обеспечивается прецизионный монтаж кондукторов на поверхность основания. В объеме материала кондукторов сформированы сквозные отверстия, боковые грани которых представляют собой наборы равнобочных трапеций, образованных кристаллографическими плоскостями { III} и служащих в качестве направляющих при монтаже кристаллов монолитных интегральных схем, имеющих форму усеченных пирамид, боковая поверхность которых также представляет семейство кристаллографических плоскостей { III} , в сквозные отверстия кондукторов. 3 с. и 3 з. п. ф-лы, 1 ил. | 2006990 патент выдан: опубликован: 30.01.1994 |
|