Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: .....структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой – H01L 27/11
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 27/00 Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
H01L 27/11 .....структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой
Патенты в данной категории
| КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. Ячейка памяти согласно изобретению содержит первый транзисторный инвертор, имеющий первый вход и первый выход, и второй инвертор, имеющий второй вход и второй выход. Первый и второй транзисторы связаны с первым и вторым пересекающимися соединениями. Первое пересекающееся соединение соединяет первый вход со вторым выходом. Второе пересекающееся соединение соединяет второй вход с первым выходом. Два пересекающихся соединения содержат разные проводящие слои в процессе изготовления полупроводника. Данное изобретение выполняет пересечения в разных материалах на разных слоях устройства. Поэтому пересечения могут размещаться вертикально друг над другом, тем самым сокращая площадь ячейки памяти. Технический результат: снижение себестоимости за счет уменьшения размера элемента, повышение надежности ячейки памяти в запоминающих устройствах. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил. | 2156013 патент выдан: опубликован: 10.09.2000 |
|