Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства – H01L 27/115

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП). Сущность изобретения: способ регулирования сопротивления твердотельных приборов на основе ПЭМП позволяет регулировать сопротивление металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, электрическим сигналом во всем интервале физически возможных значений сопротивления как в сторону уменьшения сопротивления, так и в сторону увеличения сопротивления с сохранением выставленного состояния энергонезависимо с повышенной стойкостью к внешним воздействиям. Техническим результатом изобретения является возможность регулирования сопротивления металлической перемычки прибора до заданной величины во всем интервале физически возможных значений. Техническим результатом резистивной матрицы памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии является возможность в каждой ячейке резистивной матрицы памяти осуществлять многократную запись, стирание и энергонезависимое хранение информации в смешанной системе счисления. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает проводящую шину первого уровня, соединенную с ней полупроводниковую структуру (например, диод или транзистор), обеспечивающую электрическую развязку ячеек в матрице и содержащую область с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n⁺- или р⁺ -типа, перекрещивающуюся с шиной первого уровня проводящую шину второго уровня, расположенный непосредственно под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Под изолирующей щелью между слоем диэлектрика и областью с высокой концентрацией носителей тока полупроводниковой структуры расположен дополнительный проводящий элемент из нитрида титана, электрически изолированный от всех других элементов ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является уменьшение напряжения питания, увеличение радиационной стойкости и улучшение технологичности изготовления ячейки памяти методами традиционной кремниевой технологии. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке между истоком и стоком выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя (выполненного из SiO₂). Запоминающий слой выполнен в виде матрицы проводящих нанокластеров размером от 1,0 до 50 нм. В результате обеспечивается: уменьшение влияния проводящих пор в туннельном оксиде на хранение заряда, увеличение окна памяти (до 7 В), возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени (до 10^-7 с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка включает полупроводниковую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других шин первого уровня, перекрещивающуюся с ней металлическую шину второго уровня, расположенный под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика в областях перекрещивания шин первого и краев шин второго уровней, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду над поверхностью изолирующей щели, обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Между слоем диэлектрика и шиной первого уровня под изолирующей щелью расположен слой с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n⁺- или p ⁺-типа проводимости, противоположного типу проводимости полупроводника шины первого уровня, а его размеры в плоскости подложки таковы, что не нарушается электрическая изоляция шин первого уровня матрицы друг от друга. Техническим результатом изобретения является улучшение выпрямляющих свойств ячейки и в резкое уменьшение токов по полупроводниковой шине. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. Сущность изобретения: в ячейке памяти, запоминающий элемент которой включает первый электрод, второй электрод и слой диэлектрика, расположенный между указанными электродами, слой диэлектрика выполнен из N>1 отдельных полимерных пленок по существу равной толщины d<80 мкм, полученных из одного и того же материала одинаковым способом, объединенных в стопу. Техническим результатом изобретения является увеличение способности диэлектрика к заряжению и длительному сохранению электрических зарядов между электродами. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. Техническим результатом является минимизация усталостных процессов в запоминающих устройствах, основанных на органических и, в частности, полимерных электретах и ферроэлектриках. Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур содержит ячейку памяти с ферроэлектрическим или электретным запоминающим материалом и два электрода, причем один из электродов содержит, по меньшей мере, один функциональный материал, способный физически и/или химически встраивать в свой объем атомные или молекулярные частицы, содержащиеся в электродном или в запоминающем материале ячейки памяти. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 11 ил.

Использование: изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка матрицы памяти включает проводящую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других проводящих шин первого уровня матрицы, перекрещивающуюся с ней проводящую шину второго уровня, разделяющий шины первого и второго уровней слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика в областях перекрещивания шин первого и краев шин второго уровней, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду над поверхностью изолирующей щели, обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Проводящая шина одного из уровней выполнена из полупроводника р- или n-типа. Технический результат изобретения состоит в том, что ячейка обладает и свойствами элемента энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, и выпрямляющими свойствами с характеристиками, обеспечивающими электрическую развязку ячейки в матрице, при этом размеры ячейки не увеличиваются. 5 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. Сущность изобретения: устройство памяти выполнено из запоминающих ячеек с запоминающим транзистором, в котором на верхней стороне полупроводниковой подложки между областями истока и стока расположен электрод затвора, отделенный от полупроводникового материала диэлектриком, имеющим запоминающий слой между ограничительными слоями. Электрод затвора расположен в канавке, выполненной в полупроводниковом материале между областью истока и областью стока, а запоминающий слой расположен по меньшей мере между областью истока и электродом затвора и между областью стока и электродом затвора. Каждый из электродов затворов находится в электропроводящем соединении с предусмотренной в качестве шины слов проводящей дорожкой. Область истока и область стока одной запоминающей ячейки одновременно служат в качестве соответственно области стока и области истока соседней запоминающей ячейки. Шины слов проходят поперек канавок. Техническим результатом изобретения является создание устройства памяти из запоминающих ячеек с предельно малой потребностью в площади. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 13 ил.