Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ....интегральные схемы на основе базового кристалла – H01L 27/118
Патенты в данной категории
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ "НЕ" НА КВАНТОВЫХ ЭФФЕКТАХ
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Техническим результатом является сокращение занимаемой площади кристалла, повышение быстродействия и снижение энергии переключения. Устройство содержит полуизолирующую GaAs-подложку, входную металлическую шину, расположенную под ней и образующую с ней переход Шоттки первую AlGaAs-область второго типа проводимости, расположенную под ней первую AlGaAs-область спейсера собственной проводимости, расположенную под ней GaAs-область первого канала собственной проводимости, вторую AlGaAs-область второго типа проводимости, вторую AlGaAs-область спейсера собственной проводимости, выходную область второго типа проводимости, металлические шины выходную, питания, нулевого потенциала, области разделительного диэлектрика, AlGaAs-область туннельного барьера собственной проводимости, InGaAs-область второго канала собственной проводимости, AlGaAs-область второго барьера собственной проводимости, область питания второго типа проводимости с поперечным сечением в виде символа L, область нулевого потенциала второго типа проводимости с поперечным сечением в виде символа Г, при этом GaAs-область первого канала собственной проводимости и InGaAs-область второго канала собственной проводимости имеют вертикальное взаимное расположение. 3 ил. |
2272353 патент выдан: опубликован: 20.03.2006 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Использование: в аналоговых системах. Сущность: интегральная микросхема содержит решетку (А) из аналоговых ячеек с изменяемой конфигурацией (CL), каждая из которых может соединяться с другими ячейками решетки при помощи цепей соединения (HB, VB). Каждая из ячеек может быть выборочно и отдельно отобрана с помощью сигналов отбора (SS) и (DD), поступающих с регистров сдвига (DSR, PSRV). После отбора ячейка (CL) формируется данными конфигурации (DD, AD), которые устанавливают ячейку к принятию конкретной электрической конфигурации, определяемой цифровыми данными (DD), и определяют различные программируемые резисторы и конденсаторы (P/res, P/cap) в ячейках с определенными параметрами при помощи аналоговых сигналов (AD). Данные конфигурации хранятся в оперативном запоминающем устройстве (RAM). Часть этих данных преобразовывается в цифровую форму с помощью цифроаналогового преобразователя (DAC). Схема управляется центральным устройством управления (CC) и способна принимать конфигурацию для определенного аналогового функционального назначения из всего множества возможных. Применение в схемотехнике делает возможным автоматическую компенсацию отклонений (допусков) изготовленных компонентов. 17 з.п. ф-лы, 31 ил. | 2104601 патент выдан: опубликован: 10.02.1998 |
|
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Использование: в вычислительной технике и интегральной электронике, а именно при проектировании БИС и СБИС на основе арсенида галлия. Сущность изобретения: логический элемент содержит полупроводниковую полуизолирующую подложку собственного типа проводимости 1, металлическую шину питания 2 и первую металлическую шину нулевого потенциала 3, нормально открытый нагрузочный транзистор 4 с каналом 5. Затвор 6 транзистора 4 соединен с его истоком. Элемент также содержит две входные зоны с нормально закрытыми ключевыми транзисторами 7, каналами 8 и затворами 9, выходную зону с первой металлической выходной шиной 10, вторую металлическую шину нулевого потенциала, перпендикулярную первой металлической шине нулевого потенциала, транзитную зону с металлической транзитной шиной 12, вторую металлическую выходную шину 13, перпендикулярную первой металлической выходной шине. Штриховые линии условны и обозначают границы зон. 3 ил., 1 табл. | 2062528 патент выдан: опубликован: 20.06.1996 |
|
| ЯЧЕЙКА БАЗОВОГО МАТРИЧНОГО КРИСТАЛЛА Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: ячейка содержит набор компонентов, выполненных в полупроводниковой подложке, n-слоев металлизации с размещенными шинами питания, причем шины питания расположены в нижнем слое металлизации. Входные и выходные контакты соответствующих дифференциальных сигналов логического элемента выведены по крайней мере в один из вышележащих слоев металлизации и расположены в соседних по диагонали дискретах координатной сетки автоматической трассировки. Вторые входы питания входных эмиттерных повторителей нижнего уровня подключены к второй шине питания. 4 ил. | 2035088 патент выдан: опубликован: 10.05.1995 |
|
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ Применение: относится к микроэлектронике. Сущность: содержит полупроводниковую подложку, в которой сформированы два ряда параллельно расположенных n - канальных МОП - транзисторов, а в кармане n - типа проводимости сформированы два ряда параллельно расположенных p - канальных МОП - транзисторов. Каждая пара рядов включает общие электроды затворов в виде токопроводящих дорожек, расположенных перпендикулярно направлению общих рядов. Дополнительно введены третий ряд n - канальных и p - канальных МОП-транзисторов, расположенных параллельно соответствующей паре рядов транзисторов с n и p - каналами, при этом затворы первого и второго рядов транзисторов каждой пары одновременно являются затворами дополнительно введенных рядов. Ширина каналов транзисторов дополнительно введенных рядов по крайней мере равна утроенной ширине каналов первого и второго рядов транзисторов каждой пары. 1 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2025829 патент выдан: опубликован: 30.12.1994 |
|