Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ..с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика – H01L 27/12

МПК Раздел H H01 H01L H01L 27/00 H01L 27/12

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 27/00 Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее

H01L 27/12 ..с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Патенты в данной категории

	ПЛАНАРНАЯ СОВМЕЩЕННАЯ НЕЙРОСТРУКТУРА ДЛЯ УБИС КНИ Использование: при конструировании устройств и структур интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектроники, в частности интегральных нейроподобных структур нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Сущность изобретения: предлагается планарная совмещенная нейроструктура для УБИС КНИ, содержащая в основании центральную сильнолегированную p⁺-область, поверх которой расположен p-слой с проводимостью, близкой к собственной проводимости полупроводника, и отделенные этим слоем приповерхностную р⁺-область и n⁺-области общего центрального комбинированного стока с соответствующим электродом, а также р⁺-области первого и второго истока с соответствующими электродами, и содержащая также первый и второй затворы, нанесенные на подзатворные слои диэлектрика, сформированные на соответствующих разделяющих низколегированных р-областях между р⁺-областями истока и n⁺-областями стока; центральная р⁺-область в основании структуры окружена с двух сторон смежными сильнолегированными n⁺-областями и размещена на нижнем диэлектрическом слое, а первый и второй затворы выполнены в виде плавающих затворов, на каждый из которых нанесен второй тонкий слой диэлектрика, на котором сформированы изолированные друг от друга и поглощающего центрального электрода стока n входных контактов с соответствующими площадями и емкостями входных контактов относительно плавающего затвора, определяющими весовые значения и формирующими функцию взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающем затворе нейроструктуры и соответствующую пороговую функцию, причем соответствующие входные контакты попарно соединены друг с другом. Кроме того, в зависимости от напряжения на плавающих затворах при реализации функции взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающих затворах, когда веса будут определяться емкостями соответствующих входных контактов относительно этого затвора, в совмещенных слаболегированных каналах могут перемещаться от основания структуры к его комбинированному центральному стоку либо основные, либо неосновные носители, передающие информацию на общий для нейроструктуры выход-контакт истока. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, кардинальное уменьшение межэлементных линий связи, увеличение плотности упаковки и быстродействия. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. .	2175460 патент выдан: опубликован: 27.10.2001
	СТРУКТУРА - КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС (ВАРИАНТЫ) Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном для размещения элементов СБИС, полевые транзисторы в изолированных областях кремния, изолированные области кремния содержат слой силицидов металлов, а в изолированных областях кремния над слоем силицидов металлов размещают как полевые транзисторы, так и биполярные транзисторы, причем в качестве скрытого низкоомного слоя, имеющего омический контакт к подложке полевых транзисторов и к области коллектора биполярных транзисторов, используют вышеуказанный слой силицидов металлов. Упомянутые биполярные транзисторы содержат области эмиттера, базы, коллектора и контакты к ним и слой силицидов металлов, используемый в качестве скрытого низкоомного слоя в области коллектора, а также локальные высоколегированные области с типом проводимости коллектора между областью базы и слоем силицидов металлов и между контактом к области коллектора и слоем силицидов металлов, обеспечивающие омический контакт к слою силицидов металлов. Техническим результатом изобретения является создание структуры, включающей как полевые, так и биполярные транзисторы, имеющие скрытый низкоомный слой в области коллектора. 2 с. и 5 з.п.ф-лы, 4 ил.	2149482 патент выдан: опубликован: 20.05.2000
	МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Многокристальный модуль содержит несколько полупроводниковых кристаллов, контактные площадки которых расположены на одном уровне, а межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, не выступающей за лицевую поверхность, которая формирует монолитный модуль с планарно-мозаичной структурой, при этом ее толщина составляет 1,0-1,5 толщины полупроводниковых кристаллов, элементы внутримодульной межкристальной коммутации размещены в одной или нескольких плоскостях параллельно над лицевой поверхностью полупроводниковых кристаллов. Технический результат изобретения заключается в создании прочного многокристального модуля с планарно-мозаичной структурой и надежной многослойной коммутацией при простоте изготовления. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.	2140688 патент выдан: опубликован: 27.10.1999

	ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала. На подложке расположены буферный слой с расположенными на нем проводящим каналом и затвором, выполненным из диэлектрического материала. К затвору выполнен металлический электрод. Канал выполнен из сверхпроводящего материала. Между каналом и затвором может быть расположен второй буферный слой. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.	2029415 патент выдан: опубликован: 20.02.1995