Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: .содержащие пьезоэлектрические компоненты, содержащие электрострикционные компоненты, содержащие магнитострикционные компоненты – H01L 27/20
Патенты в данной категории
| МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ДАТЧИК МИКРОПЕРЕМЕЩЕНИЙ С МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ
Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей способности. Технический результат достигается благодаря тому, что микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем содержит консоль 1, сформированную в кремниевом кристалле 2 с образованием зазора 3, магниточувствительный элемент 4 и постоянный магнит 5. При этом поверхность кристалла 1 покрыта изолирующим слоем 6. На поверхности изолирующего слоя 6, по меньшей мере, на части консоли 1 и, по меньшей мере, на части поверхности кристалла 1, включая край зазора 3, противолежащий концу консоли 1, на изолирующем слое размещен магнитопровод 7 из пленки магнитомягкого материала. Постоянный магнит 5 размещен на магнитопроводе 7. Магниточувствительный элемент 4 размещен в области изменения магнитного поля, формируемого постоянным магнитом 5, при перемещении консоли 1. 2 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2506546 патент выдан: опубликован: 10.02.2014 |
|
| ПРИЕМНИК НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОЛЕБАНИЙ ДАВЛЕНИЯ В ВОДНОЙ СРЕДЕ
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: приемник содержит основной и дополнительный пьезоэлементы, корпус, выполненный из теплопроводящего материала, например из металла. Основной пьезоэлемент прикреплен снаружи корпуса и воспринимает колебания давления водной среды, а также флуктуации температуры воды и смещения корпуса как составляющих помехи. Дополнительный пьезоэлемент, идентичный основному, прикреплен к корпусу в воздушной полости внутри корпуса, где он изолируется от колебаний давления водной среды, но воспринимает флуктуации температуры водной среды и смещения корпуса. Оба пьезоэлемента включены параллельно друг другу с встречным направлением знаков поляризации и выполнены из идентичного пьезоматериала. Технический результат: эффективная компенсация помех в сигнале, регистрируемом приемником, обусловленных воздействием на приемник флуктуации температуры водной среды и смещений. 4 ил. |
2498251 патент выдан: опубликован: 10.11.2013 |
|
| ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ИЗ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СВЯЗАННЫХ С ПРИВОДОМ ЗЕРКАЛ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ПРОЕКЦИОННЫХ СИСТЕМ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Структура относится к проекционным системам. Периодическая структура из М x N связанных с приводом зеркал для использования в оптической проекционной системе содержит активную матрицу, периодическую структуру из М x N упругих элементов, периодическую структуру из М x N пар рабочих структур, периодическую структуру из М x N зеркал и периодическую структуру из М x N пар поддерживающих элементов. Каждый упругий элемент имеет дальний и ближний концы, ближний конец включает первый и второй выступающие участки, причем первый и второй выступающие участки разделены между собой выемкой, а дальний конец включает выступ. Выступ от каждого упругого элемента входит в углубление последующего упругого элемента в периодической структуре. Каждая активная структура находится на первом и втором выступающих участках на каждом упругом элементе соответственно, при этом каждая рабочая структура включает электрод смещения, сигнальный электрод и находящийся между ними слой, индуцирующий перемещение. Каждое зеркало сформировано сверху упругого элемента. Каждая пара поддерживающих элементов используется для удержания каждого упругого элемента на месте. Когда пара рабочих структур деформируется в ответ на электрический сигнал, первый и второй выступающие участки на упругом элементе вместе с прикрепленными к ним рабочими структурами наклоняются, а оставшаяся часть упругого элемента и зеркало, сформированное на нем, остаются плоскими, благодаря этому все зеркало отражает световые пучки. Техническим результатом является уменьшение КПД структуры. 2 с. и 20 з. п. ф-лы, 16 ил. | 2129759 патент выдан: опубликован: 27.04.1999 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ Полупроводниковый датчик упругих деформаций. Использование: в датчиках, в состав которых входят полевые транзисторы. Сущность: датчик по данному изобретению содержит кольцевой генератор, составленный из нечетного числа КМОП-инверторов, расположенных в зоне, чувствительной к упругим деформациям. Чтобы повысить чувствительность датчика, канал n-типа МОП-транзистора с каналом n-типа в каждом КМОП-инверторе расположен перпендикулярно каналу p-типа МОП-транзистора с каналом p-типа. 6 з.п. ф-лы. 4 ил. | 2075796 патент выдан: опубликован: 20.03.1997 |
|
| МАГНИТОУПРАВЛЯЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА Использование: микроэлектроника, магнитоуправляемые интегральные схемы, ячейки памяти. Сущность изобретения: магнитоуправляемая логическая ячейка содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, восемь легированных областей второго типа проводимости, попарно образующих стоковые и истоковые области четырех полевых транзисторов, диэлектрическую пленку на поверхности подложки с отверстиями над каждой стоковой и истоковой областями, восемь проводящих контактных областей, расположенных над стоковыми и истоковыми областями на их поверхности и поверхности диэлектрической пленки, четыре проводящих затворных области, каждая из которых расположена на поверхности диэлектрической пленки между стоковой и истоковой областями каждого транзистора, четыре токопроводящих шины, размещенные на поверхности диэлектрической пленки, первая из которых примыкает к истоковым областям первого и второго транзисторов и является шиной питания, вторая примыкает к истоковым и затворным областям третьего и четвертого транзисторов и является шиной питания, третья примыкает к затворной области первого транзистора и стоковым областям второго и четвертого транзисторов и является шиной выхода, четвертая примыкает к затворной области второго транзистора, истоковым областям первого и третьего транзистора и является шиной выхода, скрытую в подложке диэлектрическую область, изолирующую область, размещенную по периметру скрытой диэлектрической области и примыкающую к ней и к диэлектрической пленке, четыре сильнолегированных области первого типа проводимости, примыкающие к изолирующей области и скрытой диэлектрической области и расположенные попарной симметрично относительно друг друга у противоположных сторон области первого типа проводимости, образованной скрытой диэлектрической областью и изолирующей областью, четыре проводящих контакта к сильнолегированным областям первого типа проводимости, и соединенных токопроводящими дорожками с шинами питания и шинами выхода таким образом, что первая дорожка примыкает к шине питания и контакту к одной из сильнолегированных областей первого типа проводимости, вторая примыкает к другой шине питания и к противолежащему контакту к другой сильнолегированной области первого типа проводимости, третья прилегает к шине выхода и к контакту второй пары сильнолегированных областей первого типа проводимости, четвертая примыкает к противолежащему контакту второй пары сильнолегированных областей и к другой шине выхода. 3 ил. | 2072590 патент выдан: опубликован: 27.01.1997 |
|