Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: .содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла, в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля – H01L 27/22

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Ток базы и кармана задается через полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода, а два другие полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода служат коллекторными нагрузками. Магнитное поле, перпендикулярное подложке, с помощью полоскового трансформера преобразуется в магнитное поле, параллельное подложке. Часть полоскового трансформера расположена над активной частью магнитотранзистора. Полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода заданы с соотношением ширины канала более 2:1 в задающем ток базы и кармана полевом транзисторе и в полевых транзисторах нагрузки коллекторов. Полевые транзисторы нагрузки коллекторов соединены по схеме токового зеркала. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь согласно изобретению в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик содержит два чувствительных элемента, два усилителя, выполненные в виде двух токовых зеркал на МОП транзисторах и схему сравнения с двумя входами. Чувствительные элементы с усилителями выполнены в виде интегральных токомагнитных датчиков на основе биполярных магнитотранзисторов, расположенных на постоянном расстоянии друг от друга с возможностью определения градиента распределения магнитного поля по разности сигналов с датчиков. Каждый из указанных датчиков связан через токовое зеркало, выполняющее функцию нагрузки, и выход токового зеркала с входом соответствующего КМОП инвертора согласования уровня сигналов токомагнитных датчиков и входных напряжений на соответствующих входах схемы сравнения, содержащей RS-триггер и выходной каскад, один из выходов RS-триггера соединен с выходным КМОП каскадом. Это упрощает реализацию схемо-технического решения датчика градиента магнитного поля. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является создание интегральной схемы магнитотранзисторного датчика для получения выходного сигнала интегрального токомагнитного датчика на основе биполярного двухколлекторного магнитотранзистора в виде разности токов коллекторов и в цифровом виде. Сущность изобретения: интегральный магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом на основе биполярного магнитотранзистора изготавливается на подложке кремния и состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора с базой в кармане и сопротивлений нагрузки двух коллекторов, которые выполнены в виде цепочки сопротивлений. К узлам цепочки с помощью МОП ключей присоединяется сопротивление перемычки, образуя «И-лестницу». Схема содержит компараторы, сравнивающие напряжение на коллекторах, логические элементы, которые запускают счетчик тактовых импульсов, счетчик, дешифраторы, преобразующие цифровой код в код места соединения сопротивления перемычки с узлами цепочек сопротивлений нагрузки коллекторов. При равенстве потенциалов коллекторов код на выходе счетчика дает цифровое значение величины разности тока коллекторов, соответствующих величине магнитной индукции. С выхода компаратора получается сигнал, указывающий направление вектора магнитной индукции. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке, отличается геометрией областей эмиттера и коллекторов. Расстояние между областями эмиттера и коллекторов выбирается переменной величины, ширина коллекторов увеличивается при увеличении расстояния от эмиттера до коллектора, коллекторы расположены попарно с каждой стороны эмиттера и имеют разные углы наклона между сторонами эмиттера и коллекторов, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Планарный магнитотранзисторный преобразователь в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла, и исключает чувствительность к магнитному полю, действующему параллельно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Полевой датчик Холла (ПДХ) относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использован в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. ПДХ содержит диэлектрическую подложку с расположенным на ней полупроводниковым каналом, выполненным из полупроводникового алмаза и имеющим два омических токоподводящих контакта на концах канала и два омических холловских противолежащих контакта на боковых поверхностях канала, внешняя поверхность которого покрыта слоем диэлектрика, на поверхности которого расположен электрод затвора. Изобретение позволяет создать высокочувствительный ПДХ с рабочей температурой до 500°С. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора на монокристаллической подложке кремния состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора и сопротивлений нагрузки коллекторов, смещения базы и кармана. В токомагнитном датчике размеры электродов эмиттера и коллекторов имеют отношение к расстоянию между ними более трех единиц, коллекторы соединяются через сопротивления с контактной площадкой одного полюса источника напряжения питания и с контактами к базовой области, ток смещения задается через контакты к карману через сопротивление, подключенное к той же контактной площадке одного полюса источника напряжения питания, контакты к подложке и эмиттер соединены электрически с подачей потенциала от контактной площадки второго полюса источника напряжения питания, сопротивления выполнены в составе датчика. Техническим результатом изобретения является уменьшение начального разбаланса - разницы напряжения на коллекторах двухколлекторного латерального магнитотранзистора при отсутствии магнитного поля - и уменьшение погрешности измерений, возникающей из-за невоспроизводимого начального разбаланса напряжения коллекторов биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора. 9 ил.

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат изобретения: уменьшение влияния токов подложки полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю на соседние элементы интегральной схемы и уменьшение погрешности измерений из-за начального разбаланса токов коллекторов биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора. Сущность: токомагнитный датчик со светодиодным индикатором состоит из полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю, нагрузочных и усилительных МОП транзисторов. Базовая область полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю, отделена от подложки диффузионным карманом, в котором располагаются контакты вне базовой области, в подложке формируются сильнолегированные области контактов, контакты к подложке и эмиттер соединены электрически с подачей одинакового потенциала. Нагрузочные и усилительные МОП транзисторы располагаются в отдельном кармане и передают сигнал с латерального биполярного магниточувствительного двухколлекторного транзистора на светодиодный индикатор. 7 ил.