Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..отличающиеся концентрацией или распределением примесей – H01L 29/36

Изобретение относится к области наноэлектроники. Сущность изобретения: в туннельном полевом нанотранзисторе с изолированным затвором, реализующем эффективное управление туннельным электрическим током, протекающим между двумя металлическими или сильнолегированными полупроводниковыми электродами, разделенными туннельно-прозрачной для электронов диэлектрической прослойкой при приложении между последними напряжения смещения, управление потоком носителей заряда осуществляется посредством приложения напряжения смещения к электроду затвора над областью протекания туннельного тока и отделенного от электродов истока и стока диэлектрической прослойкой, имеющей толщину, сравнимую с толщиной туннельного перехода. Электрод затвора выполнен из сильнолегированного полупроводника противоположного типа проводимости по отношению к материалу истока и стока так, что при приложении к нему управляющего напряжения смещения не происходит протекания заметных туннельных токов между этим электродом и электродами истока и стока, то есть затвор нанотранзистора является изолированным. 1 ил.

Использование: в силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового элемента с катодом и анодом из полупроводниковой пластины сначала образуют на этой пластине стоповый слой, затем обрабатывают ее на стороне катода и только после этого уменьшают ее толщину, в результате чего от стопового слоя остается только концевая область отсечки. При этом стоповый слой легируют и уменьшают до концевой области отсечки таким образом, что становится возможной количественная оптимизация способа изготовления и тем самым получение утоненного полупроводникового элемента. При такой количественной оптимизации учитываются разные параметры и их соотношение между собой, в частности поверхностная концентрация легирующей примеси в концевой области отсечки, концентрация легирующей примеси на обращенной к аноду поверхности в концевой области отсечки, концентрация легирующей примеси базы, характеристическая длина спада или подъема профиля распределения легирующей примеси в концевой области отсечки и толщина образованной полупроводниковой пластиной базы между анодом и катодом. Техническим результатом изобретения является создание такого утоненного силового элемента, у которого будет оптимизирована толщина с учетом требуемой электрической прочности. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 7 ил.