Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .типы полупроводниковых приборов – H01L 29/66
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/66 .типы полупроводниковых приборов
Патенты в данной категории
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, помехоустойчивости и степени автоматизации проектирования в интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, расположенную над слоем разделительного диэлектрика и содержащую сток-истоковые области транзисторов первого типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, металлическую шину питания, соединенную с истоковыми областями транзисторов первого типа проводимости, металлическую шину нулевого потенциала, расположенную над истоковой областью транзистора второго типа проводимости и соединенную с ней, а также с полупроводниковой подложкой первого типа проводимости, введены поликремниевые затворы транзисторов первого и второго типов проводимости, расположенные параллельно шинам питания и нулевого потенциала и выполненные в виде буквы Г, две входные зоны, содержащие участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типов проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, две входные металлические шины, расположенные над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенные с поликремниевыми затворами транзисторов первого и второго типов проводимости, выходная зона, содержащая участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типа проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, выходную металлическую шину, расположенную над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенную со стоковыми областями транзисторов первого типа проводимости и стоковой областью транзистора второго типа проводимости, зона транзита, содержащая транзитную металлическую шину, причем, входные, выходная и транзитная зоны имеют одинаковые размеры. 2 ил., 1 табл. | 2094944 патент выдан: опубликован: 27.10.1997 |
|