Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы – H01L 29/72

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной не более 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере равную 0,1 мм, а на поверхности гетероэпитаксиальной структуры, изготовленной из SiGe, последовательно размещены между истоком, затвором и стоком дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерные слои из двуокиси гафния и из оксида алюминия, при этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, а, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на барьерном канале. Технический результат изобретения заключается в получении высоких значений напряжения пробоя, уровня СВЧ-мощности, низких значений шумов, теплового сопротивления, токов утечки и потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из A1N, слой из поликристаллического алмаза, имеющий толщину, по меньшей мере, равную 0,1 мкм, нелегированный буферный слой из GaN, субколлекторный слой из GaN n+типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, базу из твердого раствора Al _уGa_1-уN, промежуточный слой из Al_у Ga_1-уN р+типа проводимости, эмиттер, включающий Al _xGa_1-xN n-типа проводимости, контактные слои, омические контакты и слои изолирующего диэлектрического покрытия из поликристаллического алмаза. Кроме того, составы слоев из Al_xGa_1-xN и Al_уGa_1-у N выполнены различающимися и с неодинаковой концентрацией легирующей примеси. Изобретение позволяет повысить выходную СВЧ-мощность, уменьшить значения емкости эмиттера, сопротивления базы, емкости коллектор-база, граничных состояний гетеропереходов и обеспечивает повышенные значения эффективности эмиттера, предельной частоты, а также обеспечивает эффективный отвод тепла от активной области транзистора. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, в слабо легированной области расположена базовая область, эти области окружены щелевой комбинированной изолирующей областью, включающей разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненной изолирующим слоем, смыкающейся с диэлектриком, расположенным под коллекторной областью, в едином цикле с щелевой комбинированной изолирующей областью в активной области транзисторной структуры выполнен щелевой коллекторный контакт, примыкающий к изолирующей области, включающий разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненный проводящим слоем, который контактирует в донной части изолированного контакта с коллекторной областью, в едином цикле к базовой и эмиттерной областям выполнены щелевые контакты, включающие разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненные проводящим слоем, которые контактируют в донной части изолированного контакта соответственно с базовой и эмиттерной областями. Причем базовый контакт примыкает к изолирующей области, а эмиттерный контакт к коллекторному контакту. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Техническим результатом изобретения является создание полупроводниковой структуры нанометрового размера, обладающей пониженной мощностью потребления, уменьшенной стоимостью и обладающей большей функциональностью. Сущность изобретения: в полупроводниковой структуре инвертора, содержащей подложку и полупроводниковые области первого и второго типа проводимости, на подложке расположена первая полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является стоком первого транзистора первого типа проводимости, к которой подключен контакт нулевого потенциала; вторая полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является истоком второго транзистора второго типа проводимости, к которой подключен контакт питания; на первой полупроводниковой области второго типа проводимости расположена первая полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является подзатворной областью первого транзистора первого типа проводимости, который имеет тонкий боковой окисел, на который подается входной сигнал, на первой полупроводниковой области первого типа проводимости расположена вторая полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является истоком первого транзистора первого типа проводимости, к которой подключен выходной контакт, на второй полупроводниковой области первого типа проводимости расположена третья полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является подзатворной областью второго транзистора второго типа проводимости, имеющего тонкий боковой окисел, на который подается входной сигнал, на третьей полупроводниковой области второго типа проводимости расположена третья полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является стоком второго транзистора второго типа проводимости, к которой подключен выходной контакт, транзисторы первого и второго типа проводимости разделены диэлектрическими областями. В качестве диэлектрика для области с диэлектрическими свойствами используются окислы или газы. 1 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на основе полупроводникового соединения, выполненном из полупроводниковой пластины с канальным и контактным слоями, включающем затвор, омические контакты истока и стока, а также воздушные мосты, омический контакт выполнен на основе тонкопленочной композиции Ge и Сu, расположенной на поверхности полупроводниковой пластины, с общей толщиной от 50 до 500 нм и с массовым содержание Gе в композиции, равным 20-45%. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС). Для этого ширина металлизированных полосок (МП), соединяющих отдельные ЭО с нижней обкладкой конденсатора, сужается по мере увеличения требуемого СС. Относительное уменьшение ширины МП не превышает отношение данного СС к минимальному. Это позволяет уменьшить площадь находящейся под потенциалом эмиттера металлизации поверхности подложки и за счет этого уменьшить паразитную проходную емкость «коллектор-эмиттер». 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек (ТЯ), причем некоторые из последних КП располагаются на металлизированных полосках (МП), ограниченных краем обкладки и перпендикулярными ему выемками. Для этого длины и ширины МП выбираются таким образом, чтобы за счет пропорциональных их отношению сопротивлений МП частично или полностью реализовать соответствующие стабилизирующие сопротивления (СС) между эмиттерными областями ТЯ и обкладкой конденсатора, обеспечивающие равномерный разогрев ТЯ в рабочем режиме. Это позволяет уменьшить площадь находящихся под потенциалом эмиттера конструкционных элементов ТЯ и тем самым уменьшить паразитную проходную емкость «коллектор-эмиттер». 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор содержит ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лент с металлизированными площадками в лентах имеются выемки. Длина или ширина хотя бы одной проводящей дорожки между выемками в хотя бы одной проводящей ленте отличаются от длин и ширин других проводящих дорожек между выемками, а индуктивности проводящих дорожек с отличающейся длиной и шириной между выемками от контакта с металлизированной площадкой до места соединения с проводящей лентой удовлетворяют определенному условию. Изобретение позволяет увеличить ширину полосы рабочих частот транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 1×10¹⁸-3×10¹⁸ 1/см ³ толщина слоя ямы составляет от 11 до 20 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой ВАХ, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 3×10¹⁸-5×10¹⁸ 1/см ³, толщина слоя ямы составляет от 10 до 19 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой вольт-амперной характеристики, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_y Ga_1-yAs, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 5×10¹⁸-7×10 ¹⁸ 1/см³ толщина слоя ямы составляет от 8 до 16 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой вольт-амперной характеристики, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 7×10¹⁸-10×10¹⁸ 1/см ³ толщина слоя ямы составляет от 6 до 14 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой вольт-амперной характеристики, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет повысить коэффициент усиления по мощности мощного ВЧ- и СВЧ-транзистора, транзисторные ячейки которого образуют ряд, разделенный посередине на две равные части, и в состав каждой транзисторной ячейки входит обособленная от других ячеек металлизированная площадка для соединения транзисторной ячейки с входным электродом посредством проволочного проводника. Для этого металлизированные площадки и проволочные проводники располагаются симметрично относительно середины ряда транзисторных ячеек. Это приводит к уменьшению потоков взаимоиндукции токов транзисторных ячеек, протекающих по проволочным проводникам, и за счет этого неоднородности индуктивностей входных контуров транзисторных ячеек, что обеспечивает более точное совпадение резонансных частот этих контуров с основной рабочей частотой транзистора. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет понизить коэффициент нелинейных искажений мощного ВЧ- и СВЧ-балансного транзистора, предназначенного для работы в двухтактных схемах усиления мощности и содержащего два идентичных ряда транзисторных ячеек, площадки контактной металлизации входных областей каждой из которых соединены проволочными проводниками с соответствующим данному ряду входным электродом. Для этого металлизированные площадки и проволочные проводники располагаются симметрично относительно оси симметрии корпуса. Это приводит к выравниванию потоков взаимоиндукции, наводимых рабочими токами ячеек во входных и выходных контурах другого ряда, и за счет этого позволяет добиться совпадения эквивалентных индуктивностей и входных сопротивлений обоих рядов транзисторных ячеек, что обеспечивает более точное совпадение частотных зависимостей коэффициентов усиления по мощности. 2 ил.

Использование: изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является возможность создания широкополосного мощного биполярного СВЧ-транзистора с повышенным значением коэффициента полезного действия. Сущность изобретения: в мощном биполярном СВЧ-транзисторе, содержащем транзисторные кристаллы, расположенные на коллекторном электроде, по крайней мере, один разделительный конденсатор, расположенный на коллекторном электроде, соединен проволоками с базовым электродом транзисторных кристаллов, по крайней мере, один согласующий конденсатор во входной цепи транзистора соединен проволоками с эмиттерным электродом транзисторных кристаллов. В первом варианте разделительный конденсатор соединен через индуктивность обратной связи с эмиттерным электродом транзисторных кристаллов. Во втором варианте разделительный конденсатор соединен через индуктивность обратной связи с согласующим конденсатором во входной цепи транзистора. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства. Техническим результатом изобретения является уменьшение размеров элемента, упрощение изготовления, увеличение объема хранимой информации и облегчение доступа к ней вследствие возможности создания как планарных, так и объемных матриц, увеличение времени хранения информации, увеличение количества циклов перезаписи. Сущность изобретения: элемент памяти на основе структуры полупроводник-металл-полупроводник состоит из следующих слоев: омический контакт эмиттера, полупроводниковый слой эмиттера, металлический слой базы, полупроводниковый слой коллектора, омический контакт коллектора, причем в области перехода база-коллектор имеется область с высокой дефектной ситуацией, которая представляет собой энергетические ловушки, на которых происходит захват и осаждение электронов. Эти процессы и определяют механизм записи в данном элементе. 2 ил.

Использование: в полупроводниковой электронике в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе, содержащем основание с электродами и полупроводниковую подложку с транзисторными ячейками, каждая из которых включает в себя область коллектора, области эмиттера и базы, контактирующие каждая со своей расположенной на поверхности подложки металлизированной площадкой, одна из которых соединена с электродом общего вывода и балластный резистор, контактирующий своими противоположными сторонами с областью эмиттера и металлизированной площадкой эмиттера, согласно изобретению хотя бы одна из площадок или один из балластных резисторов, как минимум, одной ячейки имеет выемки в форме канавок глубиной не менее толщины их металлизации. При этом суммарная площадь выемок в балластном резисторе и контактных площадках металлизации эмиттерных и базовых областей хотя бы одного транзисторного модуля, предназначенных для уменьшения паразитной емкости площадок, увеличивается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи, отношение суммарных площадей резисторов и контактных площадок данного транзисторного модуля и любого другого не превосходит половины квадрата отношения соответствующих индуктивностей выходных цепей. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности значений резонансных частот выходных цепей отдельных транзисторных ячеек за счет компенсации различия индуктивностей выходных цепей соответствующим различиям значений емкостей выходных цепей, а также увеличение коэффициента усиления по мощности транзистора. 3 ил.

Использование: в полупроводниковой электронике, в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная СВЧ транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника. В балластном резисторе имеются фрагменты из материала с относительно более высоким удельным сопротивлением. Требуемое значение сопротивления резистора и заданный закон изменения сопротивления по ширине резистора реализуются за счет подбора количества, геометрических параметров и распределения фрагментов по ширине резистора. Дополнительное условие на средние длины и проводимости участков резистора обеспечивает уменьшение длины балластного резистора и тем самым уменьшение площади транзисторной структуры. Техническим результатом изобретения является уменьшение проходной емкости “коллектор-эмиттер” и полной коллекторной емкости транзистора и длины балластного резистора, увеличение коэффициента усиления по мощности и уменьшение площади транзисторной структуры. 1 ил.

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является возможность создания трехвыводного усилительного СВЧ-транзистора с малой внутренней обратной связью без теплопроводящего керамического кристаллодержателя из дорогостоящей бериллиевой керамики. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе, содержащем транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - коллекторном выводе, входной эмиттерный и выходной базовый выводы, соединенные проводниками с соответствующими электродами транзисторных структур, базовые электроды транзисторных структур дополнительно соединяют со стороны эмиттерного вывода через отрезок полосковой линии шириной W и разделительный конденсатор с коллекторным выводом, причем максимальное удаление hmax эмиттерных проводников от отрезка полосковой линии должно удовлетворять соотношению hmax0.2W. 1 ил.