Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .....биполярные плоскостные транзисторы – H01L 29/73
Патенты в данной категории
| УСТРОЙСТВО АККУМУЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОННОГО НАСОСА, СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИК - МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК
Изобретение относиться к источникам накопления электрического заряда и может быть использовано в качестве аккумулятора электрической энергии. Техническим результатом изобретения является: уменьшение размеров, упрощение технологии изготовления, увеличение объема накапливаемой энергии. Согласно изобретению устройство аккумулирования электрического заряда состоит из омического контакта эмиттера, полупроводникового слоя эмиттера, металлического слоя базы, полупроводникового слоя коллектора (в нем происходит накопление заряда), омического контакта коллектора. На базе данной структуры реализован электронный насос, то есть происходит накачка электронами одной полупроводниковой области из другой; тем самым достигается накопление заряда, зависящее от числа впрыснутых электронов. 1 ил. |
2292608 патент выдан: опубликован: 27.01.2007 |
|
| СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ЭМИТТЕРОМ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости над скрытым слоем, первый слой диэлектрика на эпитаксиальном слое с окнами, электрод эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, покрытый вторым слоем диэлектрика, и расположенный в области базы, область эмиттера второго типа проводимости в кремнии под электродом эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, пристеночный диэлектрик, изолирующий торцы электрода эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, покрытого вторым слоем диэлектрика, области пассивной базы первого типа проводимости, электрод из второго слоя поликристаллического кремния, размещенный над областью базы и электродом эмиттера и имеющий вскрытие над электродом эмиттера, достаточное для размещения контактного окна к электроду эмиттера в пассивирующем диэлектрике и металлического электрода в контактном окне, слой пассивирующего диэлектрика на поверхности структуры, контактные окна, металлические электроды. Скрытый слой размещен в области дополнительного второго скрытого слоя с концентрацией примеси второго типа проводимости, незначительно превышающей концентрацию примеси в подложке, в окнах первого диэлектрика на кремнии под электродом эмиттера из поликристаллического кремния расположен тонкий слой окисла кремния, имеющий частичное вскрытие под электродом эмиттера на расчетную величину, заполненное дополнительным третьим слоем поликристаллического кремния, который на торцах электрода эмиттера имеет прокисление в виде окисла кремния в качестве пристеночного диэлектрика. Также представлен способ изготовления данной структуры. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 12 ил. |
2279733 патент выдан: опубликован: 10.07.2006 |
|
| МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Предложен мощный СВЧ-транзистор, включающий в себя корпус с внутренним коллекторным электродом, разделенным на секции, с резисторами, смонтированными на нем и включенными последовательно между соседними секциями внутреннего коллекторного электрода, с внешним коллекторным электродом и коллекторным выводом, присоединенным к нему. Также содержит транзисторные кристаллы, смонтированные, по крайней мере, по одному в каждой секции внутреннего коллекторного электрода, согласующий конденсатор, смонтированный одним из электродов между внутренним и внешним коллекторными электродами транзистора на металлическом основании, соединенном с общим электродом транзистора. При этом другой электрод конденсатора, внешний коллекторный электрод и присоединенный к нему коллекторный вывод соосно разделены, по крайней мере, на две секции, между соседними секциями электрода конденсатора смонтированы и включены к ним последовательно резисторы. Такая конструкция мощного СВЧ-транзистора позволяет сохранить его высокую устойчивость к поперечным электромагнитным колебаниям при повышении величины выходной мощности. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2226307 патент выдан: опубликован: 27.03.2004 |
|
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР
Использование: изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов. Техническим результатом является обеспечение работы СВЧ транзистора в двух разнесенных диапазонах частот. Сущность изобретения: в мощном СВЧ транзисторе, содержащем одну или несколько транзисторных структур, выводы электродов каждой структуры соединены с входным и выходным электродами транзистора соответственно через входные и выходные согласующие LC-цепи, входные и выходные согласующие LC-цепи выполнены в виде трех каскадно соединенных звеньев, два внешних из которых являются звеньями типа фильтра нижних частот, а внутренние, соединенные с транзисторными структурными звеньями входных и выходных согласующих цепей выполнены в виде звеньев типа фильтра нижних частот, либо параллельно включенной индуктивности и/или параллельно включенной цепи, состоящей из индуктивности с последовательно включенным блокировочным конденсатором, при этом каждое звено каждой из согласующих LC-цепей выполнено в виде L или LC-элементов с обеспечением возможности синфазной работы их с соответствующими элементами соответствующих звеньев других согласующих LC-цепей, причем элементы звеньев каждой из согласующих LC-цепей выполнены с параметрами, удовлетворяющими условиям полного согласования с заданными внешними источником сигнала и нагрузкой на центральных частотах двух рабочих диапазонов частот и условиям достижения соотношения полос пропускания в каждом из рабочих диапазонов частот в пределах 0,3  f1/f23, где f1,f2 - полосы пропускания первого и второго рабочих диапазонов частот. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.
|
2089014 патент выдан: опубликован: 27.08.1997 |
|
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Использование: в полупроводниковой технике и в частности в конструкциях мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: в пространстве, заключенном между краем эмиттера и базовым контактом, создается сильнолегированная базовая область таким образом, что расстояние от края эмиттера до границы сильнолегированной базовой области уменьшается в направлении от общей эмиттерной шины к концу эмиттерного зубца. Структура транзистора содержит эмиттерную шину, эмиттерные зубцы, "плавающий эмиттер", располагающийся между базовым контактом и краем эмиттера и имеющий постоянную ширину вдоль эмиттерного зубца, высоколегированную базовую область, часть базовой области, имеющую обычный уровень легирования. 2 ил. | 2065643 патент выдан: опубликован: 20.08.1996 |
|
ТРАНЗИСТОР
Использование: интегральная микроэлектроника, конструкция сверхбыстродействующих транзисторов. Сущность изобретения: транзистор содержит коллектор из полупроводникового материала, базу из материала с металлической проводимостью и эмиттер, состоящий из проводящего материала и дополнительного слоя туннельнотонкого диэлектрика толщиной, отвечающей соотношению d больше или равно Ei/q  пр, где Ei - энергия ионизации материала коллектора (Дж), пр - напряженность поля при пробое диэлектрика (В/м), q - заряд электрона (кул). Дополнительный слой туннельнотонкого диэлектрика примыкает к базе, в качестве проводящего материала эмиттера используется металл или поликремний с концентрацией примеси 1020 -1021 см-3, а в качестве туннельнотонкого диэлектрика используется оксид кремния. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
2062531 патент выдан: опубликован: 20.06.1996 |
|
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ)
Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы транзистора, соответствующие второму и третьему электродам транзисторных структур и расположенные по обе стороны от фланца корпуса, причем второй вывод транзистора соединен рядом соединительных проводников с вторыми электродами транзисторных структур, полосковую линию, расположенную между третьим выводом транзистора и рядом полупроводниковых кристаллов и параллельно последнему, разделенную зазорами на равные отрезки, соединенные между собой резисторами, при этом каждый отрезок полосковой линии соединен соединительными проводниками с третьим выводом транзистора и с третьими электродами противолежащих транзисторных структур и выполнен длиной, меньшей половины длины волны электромагнитных колебаний в линии на верхней частоте рабочего диапазона, а каждый резистор выполнен с величиной сопротивления, равной (0,2 - 5)  XL, где XL - индуктивное сопротивление проводников, соединяющих отрезок линии с третьим выводом транзистора, на средней частоте рабочего диапазона. Во втором варианте мощный СВЧ-транзистор содержит две полосковые линии, расположенные по обе стороны от ряда полупроводниковых кристаллов параллельно ему. 2 с. и 1 з. п. ф-лы, 5 ил.
|
2054756 патент выдан: опубликован: 20.02.1996 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхности участков, обращенной к эмиттерному переходу, до коллекторного перехода и шириной его области объемного заряда. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2045111 патент выдан: опубликован: 27.09.1995 |
|