Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......гетеротранзисторы – H01L 29/737

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Биполярный транзистор, изготовленный на основе гетероэпитаксиальных структур, включает сапфировую подложку, на которой последовательно размещены буферный слой из нелегированного GaN, субколлекторный слой из сильнолегированного GaN n⁺-типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, база, содержащая два слоя из твердого раствора In_xGa_1-xN р⁺ -типа проводимости, эмиттер, содержащий два слоя из Al_y Ga_1-yN n-типа проводимости, контактные слои и омические контакты. При этом биполярный транзистор выполнен с изменяющимся составом твердых растворов Al_yGa_1-yN и In_xGa_1-xN слоев базы и эмиттера, а также с изменяющейся концентрацией легирующих базу и эмиттер примесей. Технический результат заключается в повышении технических характеристик устройства, в частности уменьшении значения емкости эмиттера, сопротивления базы, емкости коллектор-база, обеспечении повышения эффективности эмиттера и предельной частоты. 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из нелегированного кремния, субколлекторный слой из сильнолегированного кремния n-типа проводимости, поверх которого сформирован коллектор из кремния n-типа проводимости, тонкая база из SiGe р-типа проводимости, эмиттер из кремния n-типа проводимости, контактные слои на основе кремния n-типа проводимости и омические контакты. При этом биполярный транзистор в области базы выполнен с обеспечением двойного ускоряющего дрейфового поля за счет плавного изменения содержания Ge вдоль базы с уменьшением его содержания от области коллектора к области эмиттера и за счет плавного изменения концентрации легирующей примеси вдоль базы с увеличением ее от области коллектора к области эмиттера. Техническим результатом изобретения является упрощение способа изготовления транзистора, а также повышение выхода годных и надежных транзисторов с высокими граничными частотами, низким коэффициентом шума, высоким коэффициентом усиления и КПД. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p⁺-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-область, диффузионную p⁺-типа эмиттерную область и металлические контакты к активным областям, выполнена структура p-n-p СВЧ-транзистора, коллекторная и базовая области которой выполнены из соединений галлия и мышьяка на основе p ⁺ монокристаллической подложки коллектора, последовательных эпитаксиальных слоев p⁺-p-p^--типа коллектора, эпитаксиального i-слоя с проводимостью, близкой к собственной, n-типа, n-типа тонких эпитаксиальных слоев базовой области, а эмиттерная область выполнена из последовательного гетерофазного эпитаксиального р-р⁺-типа эмиттера на основе соединений алюминия, галлия, мышьяка. Техническим результатом изобретения является резкое повышение рабочих напряжений в 5÷10 раз, рабочих токов и выходной мощности - в несколько раз, увеличение граничной частоты, коэффициента усиления по току в 1,5÷3 раза, области безопасной работы в статическом и динамическом режимах. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникающих в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетероструктуре InAlAs/InGaAs, включающей монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, сверхрешетку AlGaAs/GaAs, буферный слой GaAs, метаморфный буфер In_xAl_1-xAs толщиной 1.0÷1.5 мкм с линейным увеличением содержания InAs х по толщине от x ₁ до х₄, где x₁~0, х₄ 0.75, инверсный слой In_xAl_1-xAs с плавным уменьшением содержания InAs х по толщине от х₄ до х_4', где х₄-х_4'=0.03÷0.08, залечивающий слой с однородным составом In_x4'Al _1-x4'As, активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs (более 70%), согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, внутрь метаморфного буфера на равных расстояниях друг от друга и от границ буфера вводятся два инверсных слоя с плавным уменьшением содержания InAs х по толщине на х=0.03÷0.06, за каждым из которых следует залечивающий слой с составом, совпадающим с финальным составом инверсного слоя. 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникших в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетероструктуре, включающей монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, сверхрешетку Al_0.4Ga _0.6As/GaAs, метаморфный буфер In_xAl_1-х As с линейным увеличением содержания InAs х по толщине (x=x ₁ х₄, где x₁~0, х₄ 0.75), инверсный слой In_xAl_1-хAs с плавным либо скачкообразным уменьшением содержания InAs х по толщине (х=х₄ х₄', где х₄'-х₄ =0.05÷0.1, х_4'>0.7), залечивающий слой с однородным составом In_xAl_1-xAs, активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs, согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, внутрь метаморфного буфера вводятся две механически напряженные сверхрешетки In _{(x2+ x)}Al_{1-(x2- x)}As/In_{(x2- x)}Ga_{1-(x2- x)}As и In_{(x3+ x)}Al_{1-(x3+ x)}As/In_{(x3- x)}Ga_{1-(x3- x)}As, симметрично рассогласованные на х=0.05÷0.10 относительно текущего состава метаморфного буфера в данных точках, которые делят метаморфный буфер на три части, в каждой из которых содержание InAs х по толщине увеличивается соответственно от x₁ до х₂, от х₂ до х₃ и от х₃ до х₄, где 0.4<х ₂<0.6, а 0.6<х₃<0.75. 3 ил.