Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...униполярные приборы – H01L 29/76

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что подложка выполнена наноразмерной и является общим анодом нагрузочных диодов, на подложке расположены первая область второго типа проводимости, которая является коллектором первого переключающего транзистора и катодом первого нагрузочного диода, выполненная наноразмерной, вторая область второго типа проводимости, которая является коллектором второго переключающего транзистора и катодом второго нагрузочного диода, выполненная наноразмерной, первая и вторая области отделены друг от друга областью с диэлектрическими свойствами, на первой области второго типа проводимости расположена первая область первого типа проводимости, являющаяся базой первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, на второй области второго типа проводимости расположена вторая область первого типа проводимости, являющаяся базой второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, первая и вторая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами, на первой области первого типа проводимости расположена третья область второго типа проводимости, которая выполнена наноразмерной и является первым эмиттером первого переключающего транзистора, на второй области первого типа проводимости расположена четвертая область второго типа проводимости, выполненная наноразмерой, и является первым эмиттером второго переключающего транзистора, третья и четвертая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами, на первой области первого типа проводимости расположена пятая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, на второй области первого типа проводимости расположена шестая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, к которой подключена шина опорного напряжения. Технический результат - снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия устройства. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл - оксид - полупроводник. Сущность изобретения: устройство с коротким каналом для регулирования электрического тока содержит полупроводниковую подложку, в которой сформирован канал. Концентрация легирующих примесей канала значительно изменяется в вертикальном направлении и является, по существу, постоянной в продольном направлении. Электроды затвора, истока и стока выполнены на полупроводниковой подложке так, что длина канала меньше или равна 100 нм. По меньшей мере один из электродов истока и стока образует контакт в виде барьера Шотки. Предложен способ изготовления данного устройства. Техническим результатом изобретения является создание устройства с меньшей стоимостью, более высокими параметрами и лучшими допусками, чем позволяют современные технологии изготовления, сокращение паразитных биполярных воздействий, уменьшая тем самым вероятность “защелкивания”, обеспечение повышенной степени стойкости к радиации. 2 с. и 21 з.п. ф-лы, 11 ил.