Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....полевые транзисторы – H01L 29/772

Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания. При этом процесс ведут с тозилгидразоном эфира -кетоуксусной кислоты общей формулы 1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной менее 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере, равную 0,1 мм, а на поверхности эпитаксиальной структуры последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерный слой из двуокиси гафния толщиной 1,0-4,0 нм, который в области затвора размещен под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN n-типа проводимости. Технический результат заключается в повышении выходной СВЧ-мощности, эффективном отводе тепла от активной области транзистора и минимизации утечек тока. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину 0,1-0,15 мм, а на поверхности эпитаксиальной структуры между истоком, затвором и стоком последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза, барьерный слой из двуокиси гафния и дополнительный барьерный слой из оксида алюминия. При этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN n-типа проводимости. Технический результат заключается в увеличении теплопереноса от активной области транзистора и минимизации утечек тока. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока n-канала, а сток p-канала - напротив истока n-канала. Истоки каналов соединены между собой с помощью проводника и дополнительной области с n⁺ -типом проводимости, на которой сформирован исток n-канала, а стоки каналов имеют отдельные выводы. В приборе может быть один затвор (трехэлектродный прибор - вариант 1) или два затвора (четырехэлектродный прибор - вариант 2), расположенных на другой (второй) боковой стороне каналов. Ток в каналах проходит в одном направлении и создает на переходе обратное напряжение, которое запирает каналы. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом затворы являются общими для соседних структур. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец. При этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Изобретение обеспечивает повышение надежности полупроводникового прибора и увеличение срока его службы, а также позволяет упростить изготовление прибора с высоким значением теплоотвода от активной части. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: в вертикальном полевом транзисторе, содержащем вывод истока, омический контакт к истоку, исток, вертикальные проводящие каналы, затвор, выполненный в виде металлической ленты, сток, первый и второй слои диэлектрика, расположенные с верхней и нижней поверхностей металлической ленты и прилегающие к боковым поверхностям вертикальных проводящих каналов, и подложку, на нижнюю поверхность стока последовательно нанесены слой омического контакта, контактный слой пластичного металла и демпфирующий слой пластичного металла, на нижнюю поверхность неперфорированного конца металлической ленты последовательно нанесены первый технологический слой, второй технологический слой и подставка для неперфорированного конца металлической ленты, подложка выполнена из теплопроводного диэлектрического материала, на верхнюю сторону подложки нанесены первая и вторая контактные площадки, которые гальванически соединены с нижними поверхностями соответственно демпфирующего слоя и металлической подставки, и все элементы транзистора, размещенные на диэлектрической подложке, за исключением вывода истока, окружены защитным диэлектрическим заполнением. Изобретение позволяет повысить выходную мощность транзистора и увеличить надежность и долговечность его работы. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки. Сущность изобретения: в транзисторе с ограничением тока, содержащем подложку, имеющую первую и вторую противолежащие поверхности, ДМОП-транзистор, расположенный на первой поверхности подложки, чередующиеся между собой области N-типа и Р-типа проводимости, расположенные на второй поверхности подложки, ячейки ДМОП-транзистора на первой поверхности подложки имеют форму полос, чередующиеся между собой области N-типа и Р-типа проводимости имеют форму полос на второй поверхности подложки, причем полосы на второй поверхности подложки расположены перпендикулярно относительно полос на первой поверхности подложки. При изготовлении транзистора формируют области N-типа и Р-типа проводимости на второй поверхности подложки с определенным соотношеним площадей. Техническим результатом изобретения является изготовление транзистора повышенной стойкости к короткому замыканию цепи нагрузки с заданным ограничением тока, увеличение точности воспроизводимости заданного токоограничения, увеличение выхода годных транзисторов в процентном соотношении, снижение себестоимости изготовления транзисторов. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора, включающая монокристаллическую подложку из AlN, темплетный слой AlN, канальный слой GaN и барьерный слой Al_xGa_1-xN, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим, соответственно, переходный слой Al_yGa_1-y N, буферный слой Al_zGa_1-z N, значение у на границе с темплетным слоем составляет 1, а на границе с буферным слоем равно значению z буферного слоя, при этом 0,3 x 0,5, a 0,1 z 0,5. В полупроводниковой гетероструктуре буферный слой на границе с канальным слоем может быть легирован Si на глубину 50-150Å. Изобретение обеспечивает увеличение проводимости канального слоя полупроводниковой гетероструктуры и, следовательно, увеличение рабочих токов и мощности полевых транзисторов. 1 з.п. ф-лы, 1 ил, 1 табл.