Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .....с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора – H01L 29/78

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ). Технический результат изобретения заключается в уменьшении суммарной планарной площади областей исток-контакт; в уменьшении электросопротивления контакта к карману, за счет сокращения пути протекания неосновных носителей из области кармана к области силицида, а также снижения контактного сопротивления силицида к высоколегированной области контакта к карману; в повышении радиационной стойкости за счет высоколегированной области контакта к карману, которая предотвращает возникновение проводящего канала донного паразитного транзистора в этой части кармана. Сущность изобретения: в транзисторе со структурой метал-окисел-полупроводник на подложке кремний на изоляторе, включающем области мелкощелевой изоляции, область кармана ретроградного профиля распределения примеси типа 2 глубиной на всю толщину слоя кремний на изоляторе, область поликремниевого затвора, легированного ионами примеси типа 2, области, слаболегированные примесью типа 1 (LDD), спейсер, область стока, сформированную с одной стороны затвора высоколегированными ионами примеси типа 1 глубиной на всю толщину слоя кремний на изоляторе, область истока, сформированную с другой стороны затвора высоколегированными ионами примеси типа 1 глубиной на часть толщины слоя кремний на изоляторе и область контакта к карману, сформированного примесью типа 2, электрически соединенной с истоком за счет силицида, область высоколегированного контакта к карману располагается под областью истока и имеет ширину, равную ширине истока, при этом электрическое соединение силицидом областей истока и контакта к карману осуществляется в канавке, сформированной в области истока глубиной, равной или превышающей глубину области истока, и шириной, равной ширине истока. 13 ил. 2 табл.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p⁺-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высокоомном p^--слое подложки, подзатворный диэлектрик и электроды затвора транзисторных ячеек на основе поликремния в виде узких продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок над p-карманами элементарных ячеек, металлические электроды стока, истока и шины, шунтирующие затворные зубцы транзисторных ячеек через примыкающие к ним ответвленные контактные площадки на лицевой стороне подложки и общий металлический электрод истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, под подзатворным диэлектриком ответвленных контактных площадок электродов затвора транзисторных ячеек размещены более высоколегированные по сравнению с p-карманами дополнительные n⁺-области, а ответвленные контактные площадки выполнены в виде двух смежных прямоугольных площадок, одна из которых непосредственно примыкает к затворным зубцам с длиной сторон, составляющих 0,8 1,0 от ширины затворных зубцов элементарных ячеек, а через вторую контактную площадку с длиной сторон большего размера затворные зубцы шунтируют металлическими шинами. Техническим результатом изобретения является создание транзистора с улучшенными частотными и энергетическими параметрами, с повышенной рентабельностью промышленного производства. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способам и структурам для формирования микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования буферной архитектуры включает формирование зародышевого слоя GaSb на подложке, формирование буферного слоя Ga(Al)AsSb на зародышевом слое GaSb, формирование нижнего барьерного слоя In_0.52Al_0.48As на буферном слое Ga(Al)AsSb и формирование переходного слоя In_xAl_1-x As на нижнем барьерном слое In_0.52Al_0.48 As. Изобретение обеспечивает изготовление структур с квантовыми ямами на основе InGaAs с малым числом дефектов и необходимым качеством. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V , в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока. Сущность изобретения: транзистор на основе полупроводникового соединения содержит полупроводниковую пластину, канальный и контактный слои, омические контакты истока и стока, выполненные на основе тонкопленочного соединения Ge и Cu, и затвор, в котором послойно на полупроводниковой пластине расположены тонкие пленки барьерообразующего металла, диффузионного барьера и проводника. В качестве материала проводника затвора используют тонкопленочное соединение Ge и Cu толщиной 10-1000 нм, с массовым содержанием Ge в диапазоне 20-45%. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO₂. В результате обеспечивается снижение напряжения (до 4В) и времени (до 10^-7с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для организации рентабельного промышленного выпуска данных изделий. Сущность изобретения: в СВЧ LDMOS - транзисторе, содержащем полупроводниковую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями первого типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки в высокоомном слое подложки с канальной областью первого типа проводимости, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями второго типа проводимости, подзатворный диэлектрик из термической двуокиси кремния и электрод затвора над канальной областью транзисторных ячеек, термическую двуокись кремния и межслойный диэлектрик над слаболегированной стоковой областью транзисторных ячеек, электроды истока и стока транзисторных ячеек на лицевой стороне подложки, полевые экранирующие электроды в промежутке между электродами стока и затвора, соединенные с одним из торцов электрода истока транзисторных ячеек за пределами электродов затвора, общий электрод истока транзисторной структуры на тыльной стороне подложки, полевые экранирующие электроды транзисторных ячеек выполнены из материала электрода затвора и размещены на границе раздела термическая двуокись кремния - межслойный диэлектрик, причем толщина термической двуокиси кремния над слаболегированной областью стока составляет (1,0-3,5) толщины подзатворного диэлектрика, а граница сопряжения подзатворного диэлектрика и слоя термической двуокиси кремния над слаболегированной стоковой областью расположена под электродом затвора. 1 ил., 2 табл.