Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......с плавающим затвором – H01L 29/788
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/788 ......с плавающим затвором
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЯЧЕЙКИ С ОТДЕЛЬНЫМ ТУННЕЛЬНЫМ ОКНОМ Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ). Технический результат: получение запоминающей ячейки с небольшой потребностью в площади и большим числом циклов программирования/стирания. 2 з.п.ф-лы, 6 ил. | 2225055 патент выдан: опубликован: 27.02.2004 |
|
| ТРЕХМЕРНАЯ НЕЙРОСТРУКТУРА Использование: в устройствах и структурах интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности в интегральных нейроподобных структурах нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, уменьшение межэлементных линий связи при высокой плотности трехмерной упаковки, малых мощностях потребления. Сущность изобретения: трехмерная нейроструктура содержит полупроводниковую подложку определенного типа проводимости с истоком, стоком и столбиком, боковая поверхность которого покрыта первым слоем - слоем диэлектрика, на противоположных сторонах которого размещены затворы, тип проводимости верхнего слоя подложки и столбика противоположен основанию подложки, а проводимость столбика близка к собственной проводимости полупроводника. Предлагается в трехмерной нейроструктуре затворы на боковых поверхностях столбика выполнять в виде плавающих затворов, на каждый из которых нанесен второй слой диэлектрика, на котором изготовлены изолированные друг от друга n входных контактов с соответствующими площадями и емкостями входных контактов относительно плавающего затвора, определяющими весовые значения и формирующими функцию взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающем затворе нейроструктуры и соответствующую пороговую функцию. В зависимости от условий функционирования структуры соответствующие входные контакты на правой и левой боковых поверхностях столбика могут быть соединены или разомкнуты, а сток структуры изготовлен как поглощающий контакт, выполненный в виде двух смежных разнородных контактов Шоттки n- и р-типа. 1 ил. | 2173006 патент выдан: опубликован: 27.08.2001 |
|
| ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМАЯ И ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ НАКОПИТЕЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка, которая образована только одним образованным переходом исток-канал-сток МОП-транзистором, в котором в полупроводниковой подложке (1) первого типа проводимости выполнены область стока (2) и область истока (3) второго типа проводимости с полярностью, противоположной первому типу проводимости, с находящимся на плавающем потенциале электродом затвора (4), который электрически изолирован от области стока (2) туннельным оксидом и от находящейся между областью стока и истока (2, 3) канальной области (9) оксидом затвора (5, 10) и протирается в направлении перехода исток-канал-сток по меньшей мере над частью канальной области (9) и частью области стока (2), и с управляющим электродом (7), который электрически изолирован оксидом связи (8) от электрода затвора (4). Для программирования накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое отрицательное напряжение, к электроду стока (D) - напряжения питания и к электроду истока (5) - нуль вольт. Для стирания накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое положительное напряжение и к электроду истока (s) - отрицательное напряжение, а электрод стока (D) оставляют неподключенным. Техническим результатом изобретения является снижение абсолютной величины высоких напряжений, что приводит к снижению затрат на изготовление частей схемы. 6 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2168242 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|