Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору – H01L 29/82

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов, отличается расположением областей эмиттера и коллекторов. Области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга вдоль границы pn-перехода база-карман с низкой скоростью поверхностной рекомбинации, контакты к карману располагаются в кармане около границы pn-перехода база-карман напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами, контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции параллельной поверхности кристалла. 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: планарный биполярный магнитотранзистор содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Области эмиттера и коллекторов располагаются на большом расстоянии друг от друга вдоль вертикальной части pn-перехода база-карман и на небольшом расстоянии от границы области объемного заряда pn-перехода база-карман. Контакты к карману относительно перехода база-карман располагаются напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами и ограничивают протекание тока инжектированных носителей заряда напрямую между эмиттером и коллекторами. С каждой стороны от полоскового эмиттера расположены по два коллектора, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции, перпендикулярной поверхности кристалла. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке, отличается геометрией областей эмиттера и коллекторов. Расстояние между областями эмиттера и коллекторов выбирается переменной величины, ширина коллекторов увеличивается при увеличении расстояния от эмиттера до коллектора, коллекторы расположены попарно с каждой стороны эмиттера и имеют разные углы наклона между сторонами эмиттера и коллекторов, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Планарный магнитотранзисторный преобразователь в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла, и исключает чувствительность к магнитному полю, действующему параллельно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Полевой датчик Холла (ПДХ) относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использован в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. ПДХ содержит диэлектрическую подложку с расположенным на ней полупроводниковым каналом, выполненным из полупроводникового алмаза и имеющим два омических токоподводящих контакта на концах канала и два омических холловских противолежащих контакта на боковых поверхностях канала, внешняя поверхность которого покрыта слоем диэлектрика, на поверхности которого расположен электрод затвора. Изобретение позволяет создать высокочувствительный ПДХ с рабочей температурой до 500°С. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне. Сущность изобретения: в спиновом транзисторе, содержащем эмиттер, выполненный из ферромагнетика, базу, выполненную из оксидного соединения, и детектор, выполненный из монокристаллического широкозонного полупроводника, эмиттер выполнен из тонкопленочного композита состава (EuO)Fe при соотношении EuO:Fe=(4÷6):1. Использование в качестве эмиттера полевого транзистора ферромагнитного полупроводникового композита (EuO)Fe в контакте с широкозонным немагнитным полупроводником GaAs (InSb, GaN) позволяет создать комнатно-температурный спиновый транзистор, рабочие характеристики которого управляются внешним магнитным полем. При этом степень спиновой поляризации носителей тока в нем достигает значительной величины. 4 ил.

Изобретение относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур. Устройство микроэлектромеханических систем (МЭМС) содержит: подложку, электростатически смещаемый слой, электрод, размещенный поверх подложки, между электродом и смещаемым слоем расположен воздушный зазор, слой улавливания электрических зарядов, содержащий материал, способный улавливать как положительные, так и отрицательные заряды, прозрачный слой, сформированный между слоем улавливания электрических зарядов и электродом. Также предложены еще два варианта устройства МЭМС и два варианта способа изготовления МЭМС. Изобретение обеспечивает улучшенный характеристический (электромеханический) отклик. 5 н. и 18 з.п. ф-лы, 9 ил.

Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является уменьшение влияния токов подложки полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю, на соседние элементы интегральной схемы и уменьшение погрешности измерений из-за начального разбаланса токов коллекторов биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора. Сущность изобретения: полупроводниковый магнитный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, базовую область на поверхности подложки, имеющую малую концентрацию примеси, сильнолегированные области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов, с глубиной меньше глубины базовой области и расположенные внутри базовой области области сильнолегированных контактов к базе. Базовая область отделена от подложки диффузионным карманом, в котором так же, как в подложке, имеются сильнолегированные контакты, а контакты к подложке и эмиттер соединены электрически с подачей одинакового потенциала. 6 ил.

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат: уменьшение зависимости чувствительности биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в кармане, от состояния поверхности прибора. Сущность: в биполярном магниточувствительном транзисторе контакты к базе расположены между эмиттером и рабочими коллекторами. Легирование контактов к базе проводится на всю глубину и ширину кармана. Между контактами к базе и контактами к подложке введено электрическое соединение. 6 ил.