Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток – H01L 29/86
Патенты в данной категории
ОГРАНИЧИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ УЧАСТКОМ ДИНАМИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к полупроводниковым ограничителям напряжения, и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений. Сущность изобретения: в ограничителе напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, содержащем многослойную кремниевую структуру, слои которой образуют последовательно расположенные р-n переходы, и контакты, структура содержит не менее пяти слоев, в которых время жизни носителей имеет значение из интервала |
2484553 патент выдан: опубликован: 10.06.2013 |
|
ТРАНЗИСТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ КЛЮЧ НА ИСТОЧНИКЕ ПИТАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
Изобретение относится к переключающим устройствам и может быть использовано в электротехнике для замыкания и размыкания электрической цепи переменного тока в заданные промежутки времени. Сущность изобретения: транзисторный биполярный ключ на источнике питания переменного тока содержит биполярный транзистор, нагрузочный резистор, первый контакт которого подключен к эмиттеру биполярного транзистора, а второй контакт подсоединен к первому входу источника питания, коллектор биполярного транзистора подключен ко второму входу источника питания. Эмиттер введенного в устройство фототранзистора соединен с базой биполярного транзистора. У введенного в устройство подстроечного резистора подвижный контакт подключен к коллектору фототранзистора, первый неподвижный контакт подключен ко второму контакту нагрузочного резистора и к первому входу источника питания, второй неподвижный контакт подключен к коллектору биполярного транзистора и ко второму входу источника питания. Обеспечивается возможность коммутации цепей переменного тока на одном транзисторе, причем ключевой режим при таком включении поддерживается автоматически при различных значениях переменного синусоидального напряжения. 2 ил. |
2465686 патент выдан: опубликован: 27.10.2012 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕРЫВАТЕЛЬ ТОКА Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и может быть использовано для генерирования мощных наносекундных импульсов высокого напряжения в схемах с индуктивным накопителем и прерывателем тока. Технический результат изобретения заключается в уменьшении времени обрыва обратного тока и увеличении коэффициента перенапряжения при формировании импульса. Сущность: полупроводниковый прерыватель тока образован набором последовательно соединенных полупроводниковых структур, каждая из которых содержит сильнолегированные р+- и n+-области, расположенные по краям структуры, слаболегированную n-область и р-область с умеренным легированием, расположенные внутри структуры и образующие р-n-переход, глубина залегания р-n-перехода в структурах 180-200 мкм. 1 табл., 5 ил. | 2156014 патент выдан: опубликован: 10.09.2000 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Использование: микроэлектроника. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть выполнены управляемые напряжением линии передачи. Полупроводниковый прибор содержит низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), на другой поверхности которого сформирован полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости (1) с омическим контактом, на поверхности которого выполнен слой (2) из полупроводника или (и) металла, образующий с (1) p - n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя (1) ограничен условием полного обеднения слоя (1) либо его части основными носителями заряда до пробоя р - n-перехода либо (и) барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения![]() где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1); y - координата, отсчитываемая от металлургической границы р - n-перехода или барьера Шоттки вдоль толщины слоя (1); q - элементарный заряд; Ni(x,y,z)-профиль распределения примеси в слое (1); d(x, z) - толщина слоя (1); z, х - координаты на поверхности пленки; ![]() |
2139599 патент выдан: опубликован: 10.10.1999 |
|
СПОСОБ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР КЛЮЧЕВОГО ТИПА (ВАРИАНТЫ)
Использование: полупроводниковая техника, способы переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа. Сущность изобретения: в способе переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа импульс управления, совпадающий с полярностью рабочего напряжения, подают на полупроводниковую структуру до момента ее переключения, причем скорость нарастания импульса управления удовлетворяет соотношению dU/dt > 2E0W/![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
2113744 патент выдан: опубликован: 20.06.1998 |
|
ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ Использование: создание твердотельных полупроводниковых приборов для аппаратуры связи, радиоэлектронной аппаратуры и в медицине. Сущность изобретения: генератор электромагнитных колебаний СВЧ- и КВЧ-диапазонов, в котором активный элемент -преобразователь энергии источника постоянного напряжения в электромагнитные колебания содержит резонансно-туннельную структуру с участком отрицательной дифференциальной проводимости на ее вольт-амперной характеристике. Резонансно-туннельная структура расположена на проводящей подложке и содержит область резонансной проводимости. К ней и к проводящей подложке через омические контакты подсоединен источник постоянного напряжения. Пассивная цепь генератора - резонатор колебаний в виде проводящего слоя подложки. Кратчайшее расстояние между контактом к проводящему слою подложки и областью резонансной проводимости больше, чем отношение проводимости проводящего слоя подложки к абсолютному значению отношения разности плотности токов к разности напряжений в точках экстремума вольт-амперной характеристики области с резонансной проводимостью. 1 ил. | 2113743 патент выдан: опубликован: 20.06.1998 |
|
СВЧ-ДИОД С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ Использование: в полупроводниковой электронике, в частности, в приборах с балочными и объемными выводами при создании смесительных, детекторных и других СВЧ-диодов и диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения: в слое эластичного диэлектрика, расположенного под анодными и катодными выводами и являющимся несущей основой диода, убирается его центральная часть, покрывающая анод и прилегающие к нему области анодного и катодного выводов. Слой диэлектрика принимает форму рамки, опирающейся на балочные выводы и скрепленной с ними, за счет чего сохраняется прочность конструкции. 2 ил. | 2061980 патент выдан: опубликован: 10.06.1996 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Использование: изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ- и КВЧ-диапазонов, в частности к разработке приборов, предназначенных для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств. Сущность изобретения: устройство содержит слаболегированную область первого типа проводимости, в которой расположены две сильнолегированных области первого типа проводимости и одна сильнолегированная область второго типа проводимости. Сильнолегированная область второго типа проводимости отделена от слаболегированной области сильнолегированым и легированным слоями первого типа проводимости. Сильнолегированная область второго типа проводимости соединена с одной из сильнолегированных областей первого типа проводимости металлическим проводником, отделенном от слаболегированной области слоем диэлектрики. 4 ил. | 2024997 патент выдан: опубликован: 15.12.1994 |
|