Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...диоды – H01L 29/861

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, эти области окружены щелевой комбинированной изолирующей областью, включающей разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненной изолирующим слоем, смыкающейся с диэлектриком, расположенным в подложке, в едином цикле с щелевой комбинированной изолирующей областью выполнен щелевой контакт к области первого типа проводимости и к области второго типа проводимости, примыкающих к изолирующей области, включающие разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненных проводящим слоем, первый контактирует в донной части изолированного контакта с областью первого типа проводимости, второй контактирует в донной части изолированного контакта с областью второго типа проводимости, соответственно. Щелевые контакты к областям диода выполнены из легированного поликремния, полицида никеля и алюминия. Изобретение обеспечивает повышение плотности компоновки структур, увеличение их быстродействия и повышение выхода годных. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов с высоким пробивным напряжением, низким прямым напряжением, устойчивого при термоциклировании в широком диапазоне температур (от -180°C до +100°С), диэлектрическая изоляция которого защищена от воздействия щелочных металлов. Сущность изобретения: блокирующий диод для солнечных батарей космических аппаратов содержит кремниевый кристалл с планарным p-n-переходом, омический контакт к области p-типа проводимости между областью эмиттера и полевой обкладкой кремниевого кристалла, омический контакт к области n-типа проводимости между областью базы и полевой обкладкой кремниевого кристалла, первый и второй выводы, расположенные параллельно лицевой и тыльной плоскостям кремниевого кристалла, первый и второй компенсаторы, расположенные между первым и вторым выводами и кремниевым кристаллом. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна, системах сверхширокополосной локации. Сущность изобретения: в структуре импульсного лавинного S-диода на основе арсенида галлия, легированного железом, между слоями - и -типа дополнительно помещен слой -типа с высоким удельным сопротивлением. Дополнительный слой -типа с высоким удельным сопротивлением может быть получен легированием арсенида галлия n-типа примесью хрома. Техническим результатом изобретения является устранение влияния инжекции электронов на протекание тока при обратном смещении - -перехода до переключения диода и повышение напряжения переключения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10 ¹⁸ 1×10¹⁹ 1/см³, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где у - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,91 12,44 нм, выполненной из GaAs, отношение толщин слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,3 5 при соответствующем отношении молярных долей Аl, лежащем в пределах 1,6 2,5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 5 10 раз при амплитуде входного переменного напряжения U _вх 0,2 В. 3 ил.

Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10¹⁸ 1×10¹⁹ 1/см³, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,91 12,44 нм, выполненной из GaAs, отношение молярных долей Аl слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,6 2,5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 5 10 раз при амплитуде входного переменного напряжения U _ВХ 0,2 В. 3 ил.

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10¹⁸ 1×10¹⁹ 1/см³, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-y As, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,91 12,44 нм, выполненной из GaAs, отношение толщин слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,3 5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 5 10 раз при амплитуде входного переменного напряжения U _ВХ 0,2 В. 3 ил.

Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. Сущность изобретения: диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный на рабочий ток свыше 1000 А и рабочее напряжение не менее 1000 В содержит внутренний контакт, на котором закреплена непланарная полупроводниковая кремниевая структура трубчатой формы из сплошного слитка кремния, выращенного в направлении <111>, на которой закреплен трубчатой формы наружный контакт. Внутренний контакт выполнен в виде медной втулки с продольной внутренней полостью для прохождения хладагента или в виде гибкой спирали из меди, навитой виток к витку, на наружной поверхности которой пайкой закреплен бандаж в виде слоя из молибдена. Непланарная кремниевая полупроводниковая р⁺-р-n-n⁺ композиция представляет собой совокупность замкнутых симметричных полупроводниковых монокристаллических слоев, сформированных на основе полой подложки со стенками переменной толщины, методом диффузии. На поверхность торцов композиции по границам выхода р-n перехода произведено осаждение защитного слоя диэлектрика. На внешней поверхности непланарной структуры сформирована высоколегированная р⁺-область кремния путем напыления слоя алюминия для закрепления трубчатой формы наружного токоподводящего контакта. Непланарная полупроводниковая композиция и закрепленный на ней наружный токоподводящий контакт смонтированы между стеклокерамическими шайбами, закрепленными на бандаже. Изобретение обеспечивает повышение эксплуатационно-технических характеристик. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улучшенной термостабильностью, включающем последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости, низколегированный базовый слой второго типа проводимости и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением, в высоколегированный слой второго типа проводимости дополнительно введена область, концентрация легирующей примеси в которой меньше, чем в прилегающих к ее границам областях этого высоколегированного слоя, при этом максимальная концентрация легирующей примеси в части высоколегированного слоя второго типа проводимости между дополнительной областью и низколегированным базовым слоем второго типа проводимости должна быть не менее 5·10¹⁸ [см^-3], а концентрация легирующей примеси в пределах дополнительной области должна быть не менее 2·10¹⁵·(J_max/J_{max 0} ) [см^-3], где J_max [А/см²] - максимальная импульсная плотность прямого тока через диод, а J_{max 0} [А/см²]=1000. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковых ограничителей напряжения и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений, а также при конструировании и технологии создания названных приборов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание ограничителя напряжения, конструкция которого не предполагает использование дорогостоящего монокристаллического материала, проста в изготовлении. Заявленная конструкция ограничителя обеспечивает пробивное напряжение порядка 40÷40000 В и при обратном токе 10÷10000 А. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый ограничитель напряжения содержит кремниевую подложку с последовательно сформированным на ее поверхности, по крайней мере, одним изолирующим слоем, обеспечивающим изоляцию подложки, и слоем толщиной 0,1-10 мкм из поликристаллического кремнийсодержащего материала, в котором выполнены чередующиеся, последовательно соединенные области р-n+-р-n+...р или n ⁺-p-n⁺...n⁺ -p-n⁺ или p-n+...p-n+ типов проводимости, полученные легированием указанного слоя на всю толщину до концентрации легирующей примеси не менее 1·10¹⁶ и 5·10¹⁶ см^-3 соответственно в областях р и n+ типа проводимости, к крайним областям ограничителя подсоединены контакты. Предложены 2 варианта заявленного изобретения. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и увеличенной энергией лавинного пробоя. Техническим результатом изобретения является увеличение энергии лавинного пробоя высоковольтных импульсных ограничителей напряжения. Сущность изобретения: высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения содержит m одинаковых последовательно соединенных в виде столба низковольтных симметричных ограничителей напряжения, каждый из которых содержит базовую область данного типа проводимости и прилегающие к ней верхнюю и нижнюю эмиттерные области с типом проводимости, противоположным базовой области, и защищен от поверхностного пробоя фаской. К верхней эмиттерной области верхнего в столбе низковольтного ограничителя напряжения и нижней эмиттерной области нижнего низковольтного ограничителя изготовлены омические контакты. У каждого низковольтного ограничителя напряжения по периферии всех верхних и нижних эмиттерных областей изготовлены дополнительные диффузионные области с типом проводимости, противоположным типу проводимости базовой области, таким образом, что напряжение лавинообразования р-n-переходов этих областей (U_{BR 7,8}) и максимальное напряжение на р-n-переходе верхних и нижних эмиттерных областей в режиме лавинного пробоя (U_{BRSM 2,3}) связаны соотношением U_{BR 7,8}>U_{BRSM 2,3}, при этом дополнительные диффузионные области изготовлены таким образом, что размеры верхних и нижних эмиттерных областей у всех низковольтных симметричных ограничителей напряжения одинаковы и равны верхней эмиттерной области верхнего в столбе низковольтного ограничителя напряжения, а их центры расположены на одной оси симметрии. 1 табл., 4 ил.