Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....диоды Шотки – H01L 29/872

МПК Раздел H H01 H01L H01L 29/00 H01L 29/872

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них

H01L 29/872 ....диоды Шотки

Патенты в данной категории

	ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ШОТТКИ-pn ДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния включает сильнолегированную подложку из карбида кремния n-типа и эпитаксиальный слой из карбида кремния n-типа толщиной (10-13)мкм с концентрацией примеси (1-2)10¹⁵ см^-3, расположенный на ее верхней стороне. В эпитаксиальном слое созданы планарные р-n переходы с легированными бором р-областями с одинаковой глубиной залегания, часть которых расположена под никелевым Шоттки контактом, а остальные выполнены в виде покрытой слоем оксида кремния охранной структуры. Охранная структура состоит из основного р-n перехода и плавающих охранных колец. На обратной стороне подложки расположен никелевый омический контакт, а все упомянутые р-n переходы в области металлургической границы имеют диффузионный профиль распределения примесей, а отношение глубины их залегания к толщине эпитаксиального слоя удовлетворяет соотношению 0.08 h/d 0.20, где h - глубина залегания р-n переходов; d - толщина эпитаксиального слоя. Изобретение обеспечивает увеличение напряжения пробоя интегрированного карбидкремниевого Шоттки-рn диода при удешевлении прибора. 1 ил.	2390880 патент выдан: опубликован: 27.05.2010
	ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: микроэлектроника, конструкции и технология диодов Шотки. Сущность изобретения: высокотемпературный полупроводниковый прибор (ВПП) содержит полупроводниковую подложку 1, омический электрод 2 и многослойный выпрямляющий электрод 3, расположенный на подложке 1 и включающий барьерообразующий слой 4, связанный с подложкой 1 с образованием барьера Шотки, промежуточный слой 5 из материала на основе тугоплавкого металла и внешний слой 6 из благородного металла. Для повышения температурной и радиационной стойкости слой 4 изготовлен из хрома и связан с подложкой 1 с образованием переходной зоны 8 из карбида хрома, на внешнем слое 6 сформирован выходной контакт 7, при этом подложка 1 выполнена из SiC n⁺-типа с гомоэпитаксиальным n-слоем 10, легированным азотом до уровня от 7 10¹⁵ до 1 10¹⁸см^-3, расположенным по месту формирования барьера Шотки, а на подложку 3 нанесен защитный герметизирующий слой 11. В способе изготовления ВПП используют в качестве подложки структуру n-n⁺ SiC с эпитаксиальным n-слоем, легированным азотом до уровня от 7 10¹⁵ до 10¹⁸см^-3, а в качестве барьерообразующего металла используют Сr, многослойный выпрямляющий электрод формируют в едином технологическом цикле магнетронным распылением, после микропрофилирования на поверхности многослойного выпрямляющего электрода и n-слоя подложки наносят защитный диэлектрический слой, в окне которого формируют выходной контакт из благородного металла, а высокотемпературный отжиг производят после нанесения металла омического электрода и по окончании формирования выходного контакта. Техническим результатом изобретения является повышение надежности работы прибора в экспериментальных условиях температуры и радиации. 2 c. и 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 ил.	2166221 патент выдан: опубликован: 27.04.2001
	ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ШОТТКИ (ВАРИАНТЫ) Использование: в электронной промышленности. Сущность изобретения: первый вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки омический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния, на внешней поверхности которого выращена кремниевая подложка n⁺ типа цилиндрической формы, на внешней поверхности которой сформирован активный кремниевый слой n типа цилиндрической формы, поверх которого нанесен многослойный металлический контакт в виде двух цилиндрических слоев заданной длины, выполненных из разных металлов, формирующий непланарный электрический барьер Шоттки цилиндрической формы, при этом удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в паре больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока через барьер Шоттки. Второй вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки кремниевая n⁺ типа подложка выращена в виде полого цилиндра. Третий вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки кремниевая подложка n⁺ типа выращена в виде сплошного цилиндра заданной длины. Технический результат: исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой деградации и повышение уровня стабильности электрических параметров выпрямительных диодов с барьером Шоттки. 3 с. и 6 з.п.ф-лы, 3 ил.	2165661 патент выдан: опубликован: 20.04.2001

	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора In_xGa_1-x As (0x0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил.	2105385 патент выдан: опубликован: 20.02.1998