Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой – H01L 29/94
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/94 ....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой
Патенты в данной категории
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ С ПАССИВИРУЮЩИМ СЛОЕМ Использование: в емкостных измерительных датчиках отпечатков пальцев. Компонент с пассивирующим слоем состоит по меньшей мере из двух пассивирующих двойных слоев, из которых самый верхний слой равномерной толщины нанесен на выровненную верхнюю плоскость расположенного под ним слоя. Пассивирующие двойные слои состоят из двух слоев различных диэлектрических материалов, например оксида кремния и нитрида кремния. Технический результат изобретения заключается в обеспечении надежного пассивирования, что в свою очередь позволяет сохранить функциональные возможности полупроводникового компонента неизменными. 3 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2195048 патент выдан: опубликован: 20.12.2002 |
|
| КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. Ячейка памяти согласно изобретению содержит первый транзисторный инвертор, имеющий первый вход и первый выход, и второй инвертор, имеющий второй вход и второй выход. Первый и второй транзисторы связаны с первым и вторым пересекающимися соединениями. Первое пересекающееся соединение соединяет первый вход со вторым выходом. Второе пересекающееся соединение соединяет второй вход с первым выходом. Два пересекающихся соединения содержат разные проводящие слои в процессе изготовления полупроводника. Данное изобретение выполняет пересечения в разных материалах на разных слоях устройства. Поэтому пересечения могут размещаться вертикально друг над другом, тем самым сокращая площадь ячейки памяти. Технический результат: снижение себестоимости за счет уменьшения размера элемента, повышение надежности ячейки памяти в запоминающих устройствах. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил. | 2156013 патент выдан: опубликован: 10.09.2000 |
|