Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: .конструктивные элементы – H01L 31/02

МПКРаздел HH01H01LH01L 31/00H01L 31/02
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/02 .конструктивные элементы

Патенты в данной категории

ФТОРПОЛИМЕРНЫЙ СОДЕРЖАЩИЙ ПОРОШКОВЫЙ НАПОЛНИТЕЛЬ ЗАЩИТНЫЙ ЛИСТ

Изобретение относится к технологии получения пленок, пригодных в качестве упаковочных материалов, в частности многослойных упаковочных пленок, содержащих порошковый наполнитель. Пленка имеет в качестве первого и третьего слоев фторполимер, отливаемый из смеси с водой или другим растворителем, и порошковый наполнитель. Второй слой выполнен из полиимида, поликарбоната, титана, стали или алюминия. Пленки используют в электронных устройствах, где электронный элемент и пленка упакованы вместе. Пленки обладают высокими защитными свойствами, такими как диэлектрическая прочность, защита от влаги, высокая непрозрачность, отражающая способность. 6 н. и 24 з.п. ф-лы, 8 пр.

2508202
патент выдан:
опубликован: 27.02.2014
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГИБКОГО МОДУЛЯ

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции, могут быть дополнительно использованы в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении. Заявленная конструкция фотоэлектрического гибкого модуля представляет собой последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижний армирующий слой, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соединенные между собой солнечные элементы, верхнюю скрепляющую пленку, верхний армирующий слой и верхнюю несущую пленку. Нижние и верхние несущие и скрепляющие пленки выполнены из прозрачного для солнечного света материала. В качестве армирующих слоев используют прозрачные для солнечного света перфорированные пленки из антиадгезивного материала или покрытые слоем антиадгезивного материала, перфорация в которых выполнена в виде регулярно расположенных отверстий. Технический результат - обеспечение обратимой (упругой) деформации плоскости фотоэлектрического модуля одновременно в двух и более направлениях. 3 ил.

2492553
патент выдан:
опубликован: 10.09.2013
ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОМ УСТРОЙСТВЕ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к микроэлектронике. Согласно изобретению предложен солнечный элемент, выполненный на стеклянной подложке, содержащей SiO2, Na2O, CaO с возможными добавками MgO, Al2O3, K 2O, при этом солнечный элемент содержит буферный слой из нитрида кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней; задний электрод, содержащий Мо, сформированный на буферном слое, находящийся в непосредственном контакте с ним; слой абсорбера, сформированный на заднем электроде, содержащем Мо; и фронтальный электрод. Также предложены электронное устройство и способ его изготовления. Изобретение обеспечивает возможность предотвращения или ослабления неконтролируемой миграции натрия в полупроводниковый слой (слои) солнечных элементов или других электронных устройств. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 2 ил.

2404484
патент выдан:
опубликован: 20.11.2010
ОХЛАЖДАЕМЫЙ МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ С ДИАФРАГМОЙ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИАФРАГМЫ

Охлаждаемый матричный фотоприемник ИК-излучения содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма согласно изобретению состоит из n-количества цилиндрических деталей (1) с дисковыми основаниями (2). Внутренние поверхности цилиндрических деталей и дисковые основания матированы и зачернены. Внешние поверхности цилиндрических деталей зеркально отполированы. На охлаждаемый держатель (4) приклеен растр (6). К растру приклеен фоточувствительный элемент (3). Детали с основаниями склеены между собой криостойким клеем (5). Диафрагма приклеена к растру. Также предложен способ изготовления диафрагмы, который заключается в том, что вытачивают n-количество цилиндрических деталей с дисковыми основаниями. Внешние поверхности деталей полируют, зеркально шлифуют и защищают герметиком, устойчивым к кислотам. В кислотном травителе проводят матирование и утоньшение внутренних поверхностей деталей и оснований. Осуществляют чернение внутренних поверхностей деталей и оснований. Удаляют герметик с внешних поверхностей деталей. Детали с основаниями склеивают между собой. Изобретение позволяет избежать наличия дополнительных паразитных фоновых шумов и низких значений полезного сигнала объекта излучения, а также увеличить пороговую чувствительность. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

2377694
патент выдан:
опубликован: 27.12.2009
ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО С МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИЕЙ И ЭЛЕКТРОДНАЯ РЕШЕТКА ДЛЯ ЭТОГО УСТРОЙСТВА

Настоящее изобретение относится к устройствам и аппаратам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор, в котором адресация функциональных элементов осуществляется через первую электродную решетку с параллельными полосковыми электродами, контактирующими с одной стороной функциональных элементов, и через вторую электродную решетку с аналогичными электродами, которые ориентированы перпендикулярно электродам первой электродной решетки и контактируют с противоположной стороной функционального элемента. В результате образуется так называемое устройство с матричной адресацией. Предложено оптоэлектронное устройство с матричной адресацией, содержащее функциональную среду в виде активного материала (3), обладающего оптоэлектронными свойствами и находящегося в виде цельного слоя между первой и второй электродными решетками (ЕМ1, ЕМ2), каждая из которых содержит параллельные полосковые электроды (1, 2). Электроды (2) второй электродной решетки (ЕМ2) ориентированы под углом к электродам (1) первой электродной решетки (ЕМ1), а в объемных зонах активного материала (3), соответствующих взаимному наложению электродов (1) первой электродной решетки (ЕМ1) и электродов (2) второй электродной решетки (ЕМ2), находящихся в контакте с активным материалом (3), сформированы функциональные элементы (5) с образованием набора функциональных элементов с матричной адресацией. В зависимости от используемого активного материала эти функциональные элементы соответствуют оптически активным пикселам (5) дисплея или пикселам (5) фотоприемника. В каждой из электродных решеток (ЕМ1, ЕМ2) электроды (1, 2) расположены в виде плотной параллельной конфигурации и взаимно изолированы посредством тонкой пленки (6), толщина которой составляет лишь долю ширины электродов. Технический результат - повышение коэффициента заполнения активного материала (3) пикселами (5) до значения, близкого к 1, и достижение соответственно высокого разрешения. В результате может быть получен либо дисплей с высокой поверхностной яркостью и высоким разрешением, либо фотоприемник с высокой чувствительностью и высоким разрешением. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

2272336
патент выдан:
опубликован: 20.03.2006
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ

Фотоэлектрический модуль относится к разделу гелиоэнергетики, в частности, касается создания солнечных установок с концентраторами солнечного излучения для выработки электричества. Сущность: модуль представляет собой концентратор, выполненный в виде усеченного конуса, большее основание которого является поверхностью входа излучения, на меньшем основании установлен солнечный элемент (фотоэлектрический преобразователь), и базовая коническая отражающая поверхность имеет угол при вершине, образованной конической поверхностью и поверхностью параллельной поверхности входа излучения. На базовой конической поверхности расположен набор дополнительных конических отражающих поверхностей с различными углами при вершинах, установленных на бозовой поверхности, что увеличивает рабочую поврехность входа излучения, концентрацию излучения и мощность модуля. Конические поверхности могут быть выполнены из металла с внутренним отражающим слоем, поверхность входа излучения - из стекла, и пространство между ними может быть заполнено оптической прозрачной жидкости, имеющей возможность перетекать из верхней части концентратора в нижнюю часть. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
2106042
патент выдан:
опубликован: 27.02.1998
ИММЕРСИОННЫЙ ФОТОПРИЕМНИК ИК ДИАПАЗОНА

Изобретение относится к фотоприемникам и может быть использовано при конструировании и изготовлении приборов ИК техники спектральных диапазонов 3 - 5 и 8 - 14 мкм. Сущность изобретения: в конструкцию фотоприемника на основе CdxHg1-xTe с полусферической иммерсионной линзой (ИЛ) введена охлаждаемая диафрагма, установленная центрированно на его оптической оси со стороны сферической поверхности ИЛ в положении x1/R1 0, где R1 - радиус ИЛ; x1 - расстояние, отсчитываемое от вершины сферической поверхности ИЛ до диафрагмы. 1 з.п.ф-лы, 4 ил.
2071147
патент выдан:
опубликован: 27.12.1996
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩИХ ЧАСТИЦ

Использование: в технологии изготовления полупроводниковых детекторов низкоэнергетических частиц и частиц с малой ионизирующей способностью. Сущность изобретения: способ заключается в создании на поверхности кремниевой пластины p-типа слоя SiO2 с формированием на границе раздела встроенного положительного заряда с индуцированным в приповерхностной зоне p-кремния инверсным n-слоем и выполнении на полученной структуре пары омических контактов, один из которых осуществляют к инверсному n-слою посредством n+ -области с последующим напылением на n+ -область металла, а другой - напылением металла на p- область с тыльной стороны пластины. При этом вначале на поверхности пластины проводят формирование n+ -области путем ионной имплантации примеси и напыление на n+ -область металлического электрода контакта, которые осуществляют через маску, затем на ограниченную электродом зону наносят слой SiO2 . Причем нанесение последнего выполняют при температуре кристалла не выше 450°С, после чего проводят облучение полученной структуры дозой D рентгеновского излучения. Дозу D выбирают исходя из условия , где D - доза, L - толщина чувствительной зоны детекторов, мкм; r K = 1,12104 ; удельное сопротивление кремния, кОм. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
2035807
патент выдан:
опубликован: 20.05.1995
Наверх