Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..покрытия – H01L 31/0216

Использование: для изготовления тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении тонкопленочного солнечного элемента, имеющего верхний слой и подстилающий слой, осуществляют осаждение подстилающего слоя, имеющего шероховатую поверхность, и осаждение верхнего слоя поверх подстилающего слоя с помощью химического осаждения из газовой фазы, так чтобы верхний слой имел более шероховатую поверхность, чем подстилающий слой, где подстилающий слой содержит смесь оксидов по меньшей мере двух материалов, выбранных из кремния, титана, циркония, олова, алюминия, фосфора и их смесей, или где подстилающий слой содержит оксид титана в анатазной модификации с толщиной в диапазоне от 20 нм до 25 нм. Технический результат: обеспечение возможности создания солнечного элемента, обладающего усовершенствованными характеристиками светорассеяния. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 табл., 1 ил.

Изобретение относится к проводящим пастам, применяемым для формирования металлических контактов на поверхности субстратов в фотогальванических элементах. Проводящая паста содержит стеклянную фритту, проводящий материал, органическую среду и один или более металлоорганических компонентов, которые образуют оксиды металлов при обжиге. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилат металла и алкоксид металла, где металл - бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. При нанесении на просветляющее покрытие на субстрате проводящая паста способна проникать через покрытие с формированием омического контакта с субстратом. Описан также фотогальванический элемент, содержащий полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие и линии проводящей сетки, сформированные из указанной проводящей пасты. Предложенная проводящая паста обеспечивает повышение эффективности фотогальванического элемента, улучшает адгезию и омический контакт между металлическими элементами и субстратом через просветляющие покрытия. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

Вертикально интегрированное оптоэлектронное устройство служит для высокоскоростной передачи данных путем прямой или непрямой модуляции интенсивности испускаемого света. Прибор включает в себя по меньшей мере один многослойный интерференционный отражатель и по меньшей мере один резонатор. В одном варианте осуществления изобретения отражатель работает в качестве модулирующего элемента под управлением приложенного напряжения. Край стоп-зоны подвергается настройке электрооптическими методами благодаря квантово-ограниченному эффекту Штарка вблизи резонансной моды, что создает модуляцию коэффициента пропускания отражателя и, таким образом, производит непрямую модуляцию интенсивности света. В другом варианте осуществления изобретения профиль оптического поля в резонаторе является функцией смещения длины волны стоп-зоны, и устройство работает в качестве излучателя света с настраиваемой длиной волны. В другом варианте осуществления изобретения в отражателе создаются две или более периодичности в распределении коэффициента преломления, что позволяет подавлять паразитные оптические моды и способствует высокоскоростной прямой модуляции интенсивности света, испускаемого устройством. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 34 ил.

Изобретение относится к солнечным элементам с просветляющим покрытием. Технический результат изобретения заключается в уменьшении отражения света от стеклянной подложки. На стеклянную подложку наносят фотоэлектрический слой и просветляющее покрытие, обращенное в сторону падающего света. Для формирования просветляющего покрытия используют пламенный пиролиз. Поверхность просветляющего покрытия имеет шероховатость, которая определяется возвышениями "d" пиков относительно соседних впадин и зазором "g" между соседними пиками или между соседними впадинами. Средняя величина "d" возвышения составляет примерно 5-60 нм, а среднее разделяющее расстояние "g" составляет примерно 10-80 нм. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил.

Согласно изобретению фотоэлектрическое устройство, содержащее: лицевую стеклянную подложку; полупроводниковую пленку, включающую слои р-, n- и i-типа; пленку на основании по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО), расположенную между, по крайней мере, лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой, и промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой пленкой (абсорбером), где промежуточная пленка является полупроводником и характеризуется коэффициентом преломления (n), большим, чем коэффициент преломления пленки на основе ТСО, и меньшим, чем коэффициент преломления полупроводниковой пленки. Также предложен еще один вариант фотоэлектрического устройства и способ изготовления фотоэлектрического устройства. Изобретение обеспечивает возможность снизить оптическое отражение солнечного излучения от границы раздела ТСО/абсорбер, тем самым увеличивая количество излучения, которое проникает в абсорбер и которое может быть преобразовано в электрическую энергию, увеличить количество излучения, захваченного внутри абсорбера, снизить встречную диффузию элементов между ТСО лицевого контакта и абсорбирующей полупроводниковой пленкой и/или сформировать буферный слой высокого сопротивления (HRBL) между лицевым контактом ТСО и пленкой абсорбера. 3 н. и 24 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изделие с покрытием, пригодное для использования в качестве компонента солнечного элемента, содержащее прозрачную диэлектрическую подложку, прозрачный электропроводящий слой оксида металла, нанесенный на диэлектрическую подложку и имеющий коэффициент преломления менее 2,0, оптимизирующий светопропускание промежуточный слой, нанесенный поверх проводящего слоя оксида металла и имеющий коэффициент преломления от 2,3 до 3,5, и слой кремния, нанесенный на оптимизирующий светопропускание промежуточный слой и имеющий коэффициент преломления по меньшей мере 4,5. Также предложены способ изготовления изделия с покрытием, пригодного для использования в качестве компонента солнечного элемента, и прозрачное стеклянное изделие с покрытием, пригодное для использования в качестве компонента солнечного элемента. Изобретение обеспечивает возможность повысить КПД солнечных элементов и конкурентоспособность в отношении стоимости генерируемой электрической энергии по сравнению с традиционными средствами за счет создания структуры солнечного элемента, сочетающей высокую электропроводность с хорошей прозрачностью для солнечного излучения. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 4 табл.

Предусмотрено покрытое изделие (например, солнечный элемент), которое включает в себя усовершенствованное просветляющее покрытие. Просветляющее покрытие включает в себя градиентный основной слой с переменным значением показателя преломления, предусмотренный непосредственно на стеклянной подложке и контактирующий с ней, при этом градиентный слой содержит смесь оксида кремния и оксида титана, причем больше оксида титана предусмотрено в дальней части градиентного слоя, удаленной от стеклянной подложки, чем в ближней части градиентного слоя, более близкой к стеклянной подложке; просветляющее покрытие также содержит слой, содержащий оксид кремния, расположенный поверх градиентного слоя. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности солнечного элемента. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.