Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..электроды – H01L 31/0224

Изобретение относится к фотогальваническому модулю (1), содержащему, по меньшей мере, два последовательно соединенных фотогальванических элемента (7, 7'), при этом каждый элемент (7, 7') имеет прямоугольную форму и содержит соответственно первый задний тонкослойный электрод (5, 5'), фотогальванический набор, по меньшей мере, из двух активных материалов (3) между задним электродом (5) и тонкослойным проводящим прозрачным электродом (ТС) (4), при этом указанный электрод ТС (4, 4') выполнен с возможностью отбора и передачи электрического тока (10, 10'), генерируемого фотогальваническим набором (3, 3'), при этом оба фотогальванических элемента (7, 7') последовательно соединены электрически электрической контактной полосой (6), проходящей вдоль стороны, заключенной между электродом ТС (4) первого элемента (7) и задним электродом (5') второго элемента (7'). Согласно изобретению локальная толщина (е) тонкослойного прозрачного электрода (4) элемента (7) уменьшается в зависимости от расстояния до указанной электрической контактной полосы (6). Объектами изобретения являются также способы нанесения и травления прозрачного проводящего слоя (ТС) для изготовления одновременно нескольких элементов (7, 7', 7" ) одного модуля (1). Изобретение обеспечивает значительное повышение производительности фотогальванических модулей без существенного увеличения сложности этих модулей и с применением простых способов изготовления. 8 н. и 10 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

Изобретение представляет собой высокоэффективный полупроводниковый фотодиод для детектирования ИК-излучения, который содержит содержит две сформированные на подложке мезы, поверхность одной из которых является чувствительной площадкой, а другой является контактной, тыльный и фронтальный омические контакты. Тыльный контакт выполнен сплошным и нанесен со стороны подложки, а фронтальный выполнен в виде мостика, причем продольная ось мостика сориентирована под углом 40-50° к кристаллическому направлению {110} подложки А³В⁵. Мостик электрически изолирован от мезы с контактной площадкой анодным окислом и нанесенным на него по меньшей мере еще одним слоем диэлектрика. Изобретение обеспечивает возможность увеличения эффективности фотодиода за счет одновременного увеличения быстродействия и обнаружительной способности прибора. 2 ил., 5 пр.

Пастообразный состав, используемый для формирования электрода (8) на тыльной поверхности кремниевой полупроводниковой подложки (1) p-типа, являющейся частью кристаллического кремниевого солнечного элемента, согласно изобретению пастообразный состав содержит порошок алюминия в качестве электропроводящего порошка, причем этот порошок алюминия включает чешуйчатые алюминиевые частицы, при этом среднее отношение размеров больше или равно 30 и меньше или равно 600, причем это отношение размеров представляет собой отношение среднего размера чешуйчатых алюминиевых частиц к средней толщине чешуйчатых алюминиевых частиц. Также предложен солнечный элемент, выполненный на основе этого пастообразного состава. Изобретение обеспечивает достижение эффекта поля на тыльной поверхности (ПТП), который эквивалентен или превышает традиционно достигаемый эффект ПТП, даже при использовании в случае, когда тонкий электродный слой тыльной поверхности формируют на толстой кремниевой полупроводниковой подложке, либо случае, когда тонкий электродный слой тыльной поверхности формируют на тонкой кремниевой полупроводниковой подложке, и, при использовании в случае, когда тонкий электродный слой тыльной поверхности формируют на тонкой кремниевой полупроводниковой подложке, не только способного обеспечить достижение эффекта ПТП, который эквивалентен или превышает традиционно достигаемый эффект ПТП, но и способного более сильно подавлять деформацию кремниевой полупроводниковой подложки после обжига. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.

Фотоэлектрический прибор согласно изобретению содержит переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку; электрически проводящую и по существу прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; при этом структура переднего электрода содержит по существу прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки, причем буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO). 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 4 ил.

Фронтальный контакт, используемый в фотоэлектрическом устройстве, согласно изобретению включающем в себя активную полупроводниковую пленку, причем фронтальный контакт содержит переднюю стеклянную подложку; первую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО); и вторую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО), имеющую высокую работу выхода, причем работа выхода второй ТСО-пленки выше, чем у первой ТСО-пленки; причем первая ТСО-пленка находится между стеклянной подложкой и второй ТСО-пленкой, при этом вторая ТСО-пленка, имеющая высокую работу выхода, располагается по существу сплошным слоем над первой ТСО-пленкой и контактирует с ней таким образом, что вторая ТСО-пленка находится между первой ТСО-пленкой и самым верхним участком полупроводниковой пленки фотоэлектрического устройства и контактирует с ними; и причем первая ТСО-пленка является более проводящей, чем вторая ТСО-пленка. Также предложены фотоэлектрическое устройство и способ его получения. Изобретение обеспечивает возможность получения улучшенного фронтального контакта для фотоэлектрического устройства, который уменьшает потенциальный барьер для дырок, извлекаемых из устройства фронтальным контактом. 3 н. 18 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см². Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя. Затем проводят очистку свободной от маски поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя, последовательное напыление слоя эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, слоя никеля толщиной 10-20 нм и слоя серебра, последующее удаление фоторезиста и отжиг контакта. Изобретение обеспечивает возможность формирования многослойного контакта в ходе одного процесса напыления слоев контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия, что позволяет упросить весь процесс изготовления контакта. 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Фотоэлектрический прибор согласно изобретению выполнен не основе аморфного кремния, содержит переднюю стеклянную подложку, активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний, электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой и задний электрод. Активная полупроводниковая пленка расположена между передним электродом и задним электродом. Передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO). Также предложен еще один вариант выполнения фотоэлектрического прибора и способ изготовления фотоэлектрических приборов. Изобретение обеспечивает стабилизацию оптических и/или электрических свойств фотоэлектрического прибора. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано в гироскопах, акселерометрах и других приборах, имеющих системы пространственной ориентации. Приемник излучения содержит выполненный из керамического материала корпус с герметично присоединенным к нему входным окном. Внутри корпуса на металлизированном дне закреплен кристалл с фоточувствительными элементами, соединенный с контактной площадкой. Контактная площадка выполнена в стенке корпуса в виде металлизированной ступеньки, а электрические выводы, проходящие сквозь толщу керамического корпуса, выполнены в виде токопроводящих дорожек. Изобретение обеспечивает увеличение прочности конструкции приемника излучения, что обеспечивает повышение надежности в процессе эксплуатации. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к материалам для изготовления электропроводящих слоев методом трафаретной печати. Технический результат изобретения: улучшение электрофизических параметров, в частности КПД солнечных элементов. Сущность: для изготовления кремниевых солнечных элементов используется алюминиевая паста, содержащая порошок алюминия, стеклофритту и органическое связующее, причем паста содержит порошок алюминия из частиц сферической и чешуйчатой формы размером не более 20 мкм в соотношении от 3:1 до 100:1 соответственно и стеклофритту на основе свинцово-борсиликатного стекла с температурой размягчения 280-400°С. 2 табл.

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую, в частности к конструкциям контактов на полупроводниковом фотоэлектрическом преобразователе (ФЭП) различной конфигурации. Технический результат изобретения: повышение механической прочности соединений в конструкции контактов, что позволяет повысить срок службы фотоэлектрического преобразователя, а также повышение долговечности толстопленочного контакта, снижение трудоемкости его изготовления, а также повышение эффективности фотоэлектрического преобразователя. Сущность: контакт согласно изобретению выполнен на тонкой полупроводниковой пластине из кремния и имеет узкие токопроводящие проводники, выполненные в виде токосборных полос, пересекаемых под углом 90° двумя более широкими токопроводящими проводниками в виде токосъемных полос, расположенных симметрично по обе стороны от продольной оси. Металлическое покрытие наносится на 95-98% от площади поверхности узких токосборных полос. Металлическое покрытие на узких токосборных полосах может быть расположено на расстоянии 0-3 мм от краев широких токосъемных полос, т.е. непосредственно у краев широких токосъемных полос. Также предложен способ изготовления этого толстопленочного контакта кремниевого фотоэлектрического преобразователя 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.