Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации – H01L 31/024

МПК Раздел H H01 H01L H01L 31/00 H01L 31/024

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

H01L 31/024 ..приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации

Патенты в данной категории

	КРИОСТАТ ДЛЯ ПРИЕМНИКА ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой в рабочей камере и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с контейнером под сорбент, имеющим с баллоном общую стенку. Общая стенка снабжена отверстием для загрузки сорбента с возможностью его заглушки. В стенке корпуса напротив отверстия для загрузки сорбента выполнено отверстие для доступа к контейнеру под сорбент. К отверстию в стенке корпуса со стороны атмосферы герметично подсоединен штенгель для откачки газа при вакуумировании криостата и последующего его откусывания со спрессовыванием. Технический результат - снимает ограничение по времени нахождения криостата в открытом состоянии, на атмосфере, в процессе монтажа фотоприемного модуля; увеличивает время поддержания вакуума, при котором обеспечивается нормальная работа фотоприемника при одной и той же порции жидкого азота; повышает соотношение величины времени поддержания рабочего вакуума в криостате при многократном его использовании без вскрытия к величине количества жидкого азота одной и той же порции, повышая эффективность криостата. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.	2488192 патент выдан: опубликован: 20.07.2013
	ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Предлагаемое изобретение относится к охлаждаемым полупроводниковым приемникам инфракрасного (ИК) излучения. Техническим результатом при использовании предложенной конструкции является повышение надежности работы прибора после длительного срока хранения. Сущность: приемник инфракрасного излучения содержит снабженные микроохладителями основной криостат, в котором на охлаждаемом держателе расположен кристалл с фоточувствительными элементами, и дополнительный криостат, герметично соединенные между собой трубопроводом, снабженным клапаном, и заполненные газом, температура конденсации которого выше рабочей температуры прибора, причем хладопроизводительность микроохладителя дополнительного криостата выше хладопроизводительности микроохладителя основного криостата. В частном случае выполнения на охлаждаемой поверхности внутри дополнительного криостата расположен сорбент, например активированный уголь. Также в частном случае микроохладители могут быть выполнены дроссельными и подключены к одному источнику хладагента. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.	2262776 патент выдан: опубликован: 20.10.2005
	ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения электромагнитного излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам инфракрасного излучения. Техническим результатом при использовании изобретения являются повышение надежности, уменьшение теплопритоков и электрических наводок при работе приемника излучения, который достигается тем, что в приемнике инфракрасного излучения, содержащем криостат, внутри которого на охлаждаемом держателе расположены кристалл с фоточувствительными элементами и мультиплексор, к которому присоединены выводы управления, питания и сигнальные выводы, подключенные соответственно к блокам управления, питания и обработки сигнала, расположенные снаружи криостата, мультиплексор снабжен фотопреобразователями, к которым присоединены выводы управления, выполненные в виде волоконных световодов, подключенных к светодиодам, установленным в блоке управления. В частном случае выполнения приемника излучения световод может быть единичным, при этом его концы снабжены оптическим мультиплексором, подсоединенным к светодиодам, и оптическим демультиплексором, подсоединенным к фотопреобразователям. Стенка криостата в месте пересечения со световодами снабжена окном, выполненными, например, в виде оптического разъема. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.	2249797 патент выдан: опубликован: 10.04.2005

	ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам инфракрасного (ИК) излучения. Техническим результатом изобретения является улучшение фотоэлектрических параметров приемника за счет уменьшения вибрации и устранения электромагнитных наводок, который достигается тем, что в приемнике ИК излучения, содержащем криостат, выполненный в виде закрепленного в оправе и снабженного внешним и внутренним входными окнами вакуумированного сосуда Дьюара, и газовую криогенную машину, холодильный палец которой размещен в отверстии фланца, присоединенного к оправе, и установлен внутри криостата в полости, заполненной осушенным газом, причем кристалл с фоточувствительными элементами расположен в газонаполненной полости и установлен в непосредственной близости от холодного пальца. В частных случаях выполнения полость вокруг холодного пальца может быть дополнительно заполнена теплоизоляционным материалом, а кристалл с фоточувствительными элементами закреплен на внутреннем входном окне сосуда Дьюара или на теплоизоляционном материале. Между внешним и внутренним входными окнами вакуумированного сосуда Дьюара может быть расположена диафрагма, установленная на внутреннем входном окне. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.	2204812 патент выдан: опубликован: 20.05.2003
	ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности, к охлаждаемым полупроводниковым приемникам инфракрасного (ИК) излучения. Приемник ИК-излучения содержит закрепленный в оправе и снабженный внешним и внутренним входными окнами вакуумированный сосуд Дьюара, охлаждаемый держатель с расположенными на нем кристаллом с фоточувствительными элементами и диафрагму, причем основание держателя соединено с оправой, а полость вокруг держателя заполнена осушенным газом. Новым в предложенной конструкции является то, что диафрагма расположена между входными окнами сосуда Дьюара и установлена на внутреннем входном окне, которое размещено в непосредственной близости от кристалла с фоточувствительными элементами. В частном случае выполнения предложенной конструкции полость вокруг держателя может быть заполнена теплоизолирующим материалом. Техническим результатом при использовании предлагаемого изобретения является уменьшение времени выхода прибора на требуемый температурный режим. Уменьшение времени выхода происходит за счет уменьшения охлаждаемой массы сокращением длины внутренней стенки сосуда Дьюара и снижения теплопритока к охлаждаемым элементам путем исключения влияния диафрагмы и уменьшения теплопереноса в газонаполненном объеме. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.	2194254 патент выдан: опубликован: 10.12.2002
	МНОГОКАНАЛЬНОЕ ОХЛАЖДАЕМОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым фотоприемным устройствам, и может быть использовано в тепловизионных системах, устанавливаемых на стационарных или подвижных объектах. Сущность: устройство включает в себя фотоприемник, микрокриогенную систему охлаждения, которая содержит охладитель, выполненный с возможностью размещения в упомянутом фотоприемнике, газовую криогенную машину и многоэлементный фоторезистор с фоточувствительными элементами, держатель которого выполнен с возможностью охлаждения указанного многоэлементного фоторезистора, баллон, по меньшей мере, с одним окном, прозрачным для инфракрасного излучения, блок предварительного усиления и блок питания. Многоэлементный фоторезистор размещен в герметичной газонаполненной полости фотоприемника. Фотоприемник включает в себя обойму баллона, выполненную из материала с коэффициентом температурного расширения, по меньшей мере, близким коэффициенту температурного расширения материала баллона, и цоколь, которые вместе с держателем и баллоном образуют герметичную газонаполненную полость прибора. Цоколь установлен на фланце держателя и соединен с обоймой баллона с помощью кольца, выполненного из материала с коэффициентом температурного расширения, по меньшей мере, близким коэффициенту температурного расширения материала обоймы баллона. Трубопровод для подачи криоагента от газовой криогенной машины к охладителю представляет собой, по меньшей мере, частично металлический трубопровод, причем между газовой криогенной машиной и охладителем в трубопроводе установлена гальваническая развязка для разделения цепей заземления микрокриогенной системы и фотоприемника. Блок предварительного усиления состоит из многоканальных модулей предусилителей, при этом каждому фоточувствительному элементу соответствует, по меньшей мере, один канал блока предварительного усиления. Блок питания включает в себя источник питания фоторезистора и источник питания блока предварительного усиления, при этом источник питания фоторезистора подключен от источника питания предусилителей. Технический результат состоит в увеличении обнаружительной способности и помехоустойчивости устройства, повышении прочности конструкции в условиях резких колебаний температуры окружающей среды. 18 з.п.ф-лы, 3 ил.	2189666 патент выдан: опубликован: 20.09.2002
	ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения электромагнитного излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам излучения, например к кремниевым приемникам с засветкой с обратной стороны. Техническим результатом при использовании предлагаемого изобретения является расширение технических возможностей приемника, в том числе обеспечение надежности работы прибора в криостатах тепловизионных приборов. Сущность: в приемнике излучения, содержащем образующие герметичную полость основание, рамку и снабженный электрическими выводами кристалл с фоточувствительной ИС, основание состоит из двух или нескольких частей, к одной из которых прикреплены рамка и электрические выводы, а остальные соединены с этой частью герметично. В частном случае выполнения приемника одна из составных частей основания, не соединенных с рамкой и электрическими выводами, расположена в его центре и выполнена в виде круга. При этом часть основания, к которой прикреплены рамка и электрические выводы, может быть выполнена из вакуум-плотной керамики или сапфира, а остальные - из ковара. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.	2168243 патент выдан: опубликован: 27.05.2001
	ПРИЕМНИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам ИК излучения. В приемнике ИК излучения, содержащем сосуд Дьюара, образованный внешним цилиндром с входным окном и внутренним охлаждаемым цилиндром, на котором расположен кристалл фотоприемной матрицы (ФПМ), закрепленный на внутренней стороне верхней панели полого держателя с прямоугольным отверстием, держатель выполнен П-образной формы с отверстием на всю ширину верхней панели и установлен непосредственно на торцевую поверхность охлаждаемого цилиндра, причем верхняя панель удлинена по отношению к его боковым стенкам. Кроме того, кристалл ФПМ закреплен на держателе по двум противоположным краям отверстия на внутренней стороне верхней панели, что обеспечивает тепловой контакт в зоне наибольшей рассеивающей мощности в кристалле. При этом частными случаями выполнения может быть изготовление держателя из нитрида алюминия, сапфира или кремния. Изобретение позволит уменьшить охлаждаемую массу, обеспечит эффективный теплоотвод, а также упростит сборку и технологический монтаж тепловых контактов и сигнальных электрических выводов кристалла ФПМ. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.	2149365 патент выдан: опубликован: 20.05.2000
	ПРИЕМНИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам ИК излучения. Предложенная конструкция позволит уменьшить охлаждаемую массу, время выхода на рабочий режим, а также уменьшит трудоемкость сборки приемника излучения. Сущность: приемник ИК излучения содержит сосуд Дьюара, образованный внешним цилиндром с входным окном и внутренним охлаждаемым цилиндром, на котором расположен кристалл фотоприемной матрицы, закрепленный на держателе, выполненном в виде пластины, снабженной стойками, расположенными непосредственно на торцевой поверхности охлаждаемого цилиндра. Пластина может быть выполнена прямоугольной формы с размещением стоек по ее углам или круглой с размещением стоек симметрично на равных расстояниях друг от друга, а контактные группы сигнальных выводов расположены по периметру пластины, выполненной из кремния, нитрида алюминия или сапфира, причем кристалл ФПМ закреплен на пластине по двум противоположным сторонам. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.	2148875 патент выдан: опубликован: 10.05.2000
	ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ Использование: фоточувствительные приборы, предназначенные для обнаружения электромагнитного излучения, в частности охлаждаемые полупроводниковые ИК приемники излучения. Сущность изобретения: в приемнике излучения, содержащем герметично соединенные рамкой охлаждаемое основание и кристалл с фоточувствительной ИС, контактные площадки которой присоединены к столбиковым выводам, соединенным с внешними выводами, столбиковые выводы установлены непосредственно на основание, а рамка выполнена металлической. Между рамкой и основанием размещены тонкопленочные участки диэлектрического материала, а внешние выводы выполнены на основании в виде токопроводящих дорожек в месте пересечения с рамкой, проходящих под участками диэлектрического материала. В другом случае выполнения между рамкой и основанием расположен слой диэлектрического материала, граница которого с металлической рамкой имеет ступенчатый рельеф. Также тонкопленочные участки диэлектрического материала могут быть размещены между рамкой и кристаллом с фоточувствительной ИС, причем они могут быть расположены со смещением относительно диэлектрических участков между рамкой и основанием. Техническим результатом при использовании предлагаемого изобретения является увеличение теплопроводности между кристаллом с фоточувствительной ИС и основанием, уменьшение охлаждаемой массы и времени выхода на рабочий режим прибора и увеличение надежности работы приемника излучения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.	2138099 патент выдан: опубликован: 20.09.1999
	УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Использование: относится к ИК-технике, предназначено для охлаждения и стыковки фоточувствительных элементов с оптическими, механическими и электрическими системами аппаратуры и может быть использовано в криогенной технике. Сущность изобретения: устройство выполнено в корпусе с оптическими окнами, содержит оптоэлектронные элементы, теплоизолирующие от корпуса опоры гибридных линеек, гибкие теплоприводы и теплоизоляторы. Основания гибридных линеек оптоэлектронных элементов выполнены в виде параллелепипедов, имеющих каналы для размещения электроприводов и пазы для размещения гибких теплопроводов, закреплены на базовой плите с образованием -образных контуров плоскостного контакта и расположены по обе стороны колодца теплопровода системы охлаждения. Теплоотвод имеет фланец, соединенный с корпусом через герметичный сильфон из чередующихся торцевых шайб и тонкостенных коаксиально расположенных труб с экранно-вакуумной теплоизоляцией между ними, плоские наружные грани, к которым через прокладки из мягкого металла прижаты участки гибких теплопроводов и наружные цилиндрические шейки, которые скобами присоединены с возможностью перемещения вокруг и вдоль оси колодца к базовой плите. Теплоизолирующая опора плиты выполнена в виде диска, сопряженного с корпусом при помощи прижимных и отталкивающих винтов, и последовательно соединенных замкнутых рамок, вставленных друг в друга, с зазорами, заполненными экранно-вакуумной теплоизоляцией. 3 з.п. ф-лы. 4 ил.	2069919 патент выдан: опубликован: 27.11.1996
	ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к устройствам прямого преобразования солнечной энергии в электрическую, касается в основном конструкции фотоэлектрических преобразователей концентрированного излучения (КСИ) и может быть использовано в фотоэлектрических модулях и солнечных фотоэлектрических станциях наземного назначения. Сущность изобретения: в фотопреобразователь КСИ, содержащий солнечный элемент (СЭ) с контактной сеткой и шинами на освещаемой поверхности установленный на основании в охлаждаемом корпусе с патрубками для подачи теплоносителя и защитным стеклом, причем шины на освещаемой стороне продублированы пластинами дополнительных токосъемных шин, введен коллектор с полым электродом, общий для дублирующих пластин. Между СЭ и основанием размещен слой пористой меди, а коллектор выполнен с наклонными отражающими поверхностями. Основание с уплотнением разделяет корпус на два независимых объема, причем в СЭ, основании и дне корпуса выполнены отверстия, через уплотнения которых проходит полый электрод, электрически изолированный от них и теплоносителя, а объем над СЭ и полый электрод заполнены смесью диэлектрического теплоносителя с люминофором. При этом основание в месте уплотнения контактирует с электропроводящим корпусом и часть полого электрода между дном корпуса и токовыводящей шиной выполнена в виде сильфона. На основании может быть размещена батарея СЭ в промежутках, между которыми размещены коллекторы дублирующих шины пластин, причем все коллекторы объединены в общую электрическую цепь с полым электродом. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.	2031484 патент выдан: опубликован: 20.03.1995