Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..отличающиеся материалом кристалла – H01L 31/0256

Изобретение относится к технологии оптоэлектроники и может быть использовано для получения полифункциональных пленочных инвертированных фотонных кристаллов с запрещенной зоной в видимой и ИК-области спектра, и пригоден для производства оптоэлектронных (электрооптических и магнитооптических) приборов на основе инвертированных фотонных кристаллов. Способ получения полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опала предусматривает использование в качестве темплата прямые фотонные кристаллы на основе полистирола. В качестве материалов, составляющих фотонный кристалл со структурой инвертированного опала, используются соединения с комбинированными оптическими, электрическими и магнитными свойствами Zn₂SiO₄, LiFe₅O₈, BaFe₁₂O₁₉, BaTiO₃, SrTiO ₃, MgAl₂O₄ и Y₃Al ₅O₁₂. Способ обеспечивает получение полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опала с низкой концентрацией дефектов (порядка одного на 2 мкм²) и обладающих фотонной запрещенной зоной в видимой и ближней ИК-области спектра. 3 ил.

В фотопреобразователе (ФП), содержащем рабочие слои: лицевого и тыльного металлических электродов, заключенный между ними p-n - переход, состоящий из полупроводникового слоя первого типа проводимости и полупроводникового слоя второго противоположного первому типа проводимости, подложку, для нанесения указанных слоев выполняют в виде геометрического тела длиной L с двумя торцами А и Б, в сечении, перпендикулярном длине L, представляющем собой плоскую фигуру площадью S произвольной формы. При этом рабочие слои наносят на поверхность геометрического тела вдоль измерения L и, как вариант исполнения, на один из торцов А или Б, а при наличии полости внутри геометрического тела - на внутреннюю поверхность полости. Также дополнительно вводят отражающий слой, расположенный таким образом, что электромагнитные волны достигают его, предварительно пройдя все остальные, указанные рабочие слои. Технический результат - увеличение КПД ФП. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для регистрации (измерения) электромагнитного излучения и бесконтрастного измерения температуры с помощью монокристалла карбида кремния. Технический результат изобретения: эксплуатационная надежность за счет высокостабильной работы при высоких температурах и большой скорости нарастания температуры. Сущность: монокристалл SiC толщиной по меньшей мере 200 мкм применяют для регистрации электромагнитного излучения с длиной волны приблизительно 10 мкм. В основе предложенных систем и способа регистрации электромагнитного излучения лежит механизм акустического поглощения. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил.