Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV – H01L 31/0304

Согласно изобретению каскадный фотопреобразователь содержит эпитаксиальную структуру, тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, а так же антиотражающее покрытие, при этом эпитаксиальная структура включает последовательно выращиваемые методом MOC-гидридной эпитаксии на подложке p-Ge нуклеационный слой n-Ga_0,51In_0,49P толщиной 170÷180 нм, буферный слой Ga_0,99In_0,01 As толщиной не менее 0,5 мкм, нижний туннельный диод, включающий слой n-Al_0,53In_0,47P или n-AlGaInP толщиной 30÷50 нм, слой n⁺⁺-GaAs толщиной 20÷30 нм, p⁺⁺-AlGaAs слой толщиной 20÷30 нм, и широкозонный слой p-Al_0,53In_0,47P толщиной 20-50 нм или n-AlGaInP толщиной 30-50 нм, средний переход, включающий р⁺-слой тыльного потенциального барьера, осаждаемые при температуре 595÷605°С базовый p-Ga_0,99 In_0,01As и эмиттерный n-Ga_0,99In_0,01 As слои и слой широкозонного «окна» из n-AlGaAs или n-Ga_0,51In_0,49P толщиной 30÷120 нм, верхний туннельный диод, включающий слой n⁺⁺-Ga _0,51In_0,49P или n⁺⁺-GaAs толщиной 10÷20 нм и слой p⁺⁺-AlGaAs толщиной 10÷20 нм, верхний элемент, выращиваемый при температуре 720÷730°С и включающий р⁺-слой тыльного потенциального барьера, базовый p-слой толщиной 0,35÷0,70 мкм, эмиттерный n-слой, выполненные из Ga_0,51In_0,49P, и n-слой широкозонного окна, а также n⁺-контактный слой. Техническим результатом изобретения является создание каскадных фотопреобразователей, которые обеспечивают повышение токов короткого замыкания отдельных переходов, увеличение напряжения холостого хода и фактора заполнения ВАХ, а также повышение КПД. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 11 ил.

Солнечной элемент с расположенными между передним и задним контактом фотоактивными полупроводниковыми слоями, с интегральным защитным диодом (шунтирующим диодом) с противоположной солнечному элементу полярностью и с проходящим на передней стороне р-проводящим полупроводниковым слоем, причем защитный диод соединен с передним контактом. Чтобы обеспечить высокую стабильность защитного диода, в частности предотвратить миграцию атомов металла, предлагается, чтобы на р-проводящем полупроводниковом слое (36) защитного диода (32) проходил туннельный диод (38), который через n⁺ -слой может быть соединен с передним контактом (14). 10 з.п. ф-лы, 2 ил.