Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках ,31/0272 – H01L 31/032

МПК Раздел H H01 H01L H01L 31/00 H01L 31/032

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

H01L 31/032 ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272

Патенты в данной категории

	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ, В ЧАСТНОСТИ, СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: изобретение относится к источникам энергии, использующим энергию солнечного света. Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности солнечного элемента. Сущность: солнечный элемент имеет по меньшей мере один полупроводниковый материал для подложки моно- или поликристаллической структуры. Полупроводниковый материал для подложки состоит, по меньшей мере частично, из пирита с химическим составом FeS₂, который очищают с целью достижения степени чистоты по меньшей мере 99,9999. Полупроводниковый материал для подложки обладает максимальным преимуществом, если его изготавливают по меньшей мере из одного слоя пирита, по меньшей мере из одного слоя бора и по меньшей мере из одного слоя фосфора (53). Также предложен способ изготовления этого солнечного элемента. 2 с. 17 з.п. ф-лы, 4 ил.	2219620 патент выдан: опубликован: 20.12.2003