Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей – H01L 31/0352

Изобретение относится к гелиотехнике, может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию и касается солнечного модуля, включающего концентратор, в фокусе которого расположен фотовольтаический преобразователь солнечной энергии, с контактами подключения батарей накопителей электрической и тепловой энергии и системой жидкостно-проточного теплосъема, при этом фотовольтаический преобразователь выполнен в виде полой трубки из теплопроводящего материала, на внешней поверхности которой нанесена полупроводниковая структура и внутри которой циркулирует теплоноситель, а также комбинированной солнечно-энергетической установки, включающей указанные выше солнечные модули. Технический результат заключается в минимизации эксплуатационных затрат и снижении веса и габаритов конструкции. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится с фотоэлектрическому элементу, включающему в себя, по меньшей мере, первый переход между парой полупроводниковых областей (4-9). По меньшей мере, одна из этой пары полупроводниковых областей включает в себя, по меньшей мере, часть сверхрешетки, содержащей первый материал с распределенными в нем образованиями второго материала. Образования имеют достаточно малые размеры, так что эффективная ширина запрещенной зоны сверхрешетки по меньшей мере частично определяется этими размерами. Между полупроводниковыми областями предусмотрен поглощающий слой (24-26), и этот поглощающий слой содержит материал, предназначенный для поглощения излучения с возбуждением в результате этого носителей заряда, и имеет такую толщину, что уровни возбуждения определяются самим этим материалом. По меньшей мере, одна из эффективных энергетических зон сверхрешетки и один из уровней возбуждения материала поглощающего слоя выбирают для согласования соответственно, по меньшей мере, одного из уровней возбуждения материала поглощающего слоя и эффективной энергетической зоны сверхрешетки. Изобретение обеспечивает относительно эффективное преобразование солнечной энергии при заданных затратах на производство. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов. Фотопреобразователь содержит подложку с областями р- и n-типа проводимости, образующими р-n-переход, и соединенные с р-n-переходом полосковые омические контакты на лицевой поверхности. При этом фотопреобразователь содержит в приповерхностном слое со стороны лицевой поверхности совокупность параллельно соединенных р-n-переходов, суммарная площадь которых меньше площади лицевой поверхности, а расстояние между соседними р-n-переходами меньше толщины подложки. Предлагаемое изобретение обеспечивает повышение напряжения холостого хода фотопреобразователя. 2 ил.