Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ..отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей – H01L 31/036

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb). В планарном фотодиоде на антимониде индия, содержащем подложку n-типа проводимости с концентрацией легирующих атомов примеси не более 3·10 ¹⁵ см^-3 со сформированным в ней планарным р-n переходом, защитную пленку анодного окисла, пассивирующую диэлектрическую пленку и контактную систему, поверхность подложки имеет кристаллографическую ориентацию (111)А. Изобретение обеспечивает повышение пробивного напряжения планарного фотодиода обеспечивается за счет наименьшей плотности атомов сурьмы на поверхности с кристаллографической ориентацией (111)А. 1 ил.

Изобретение относится к изготовлению сапфировых подложек и к технологии их чистовой обработки. Предлагается сапфировая подложка, которая содержит плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в а-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и с-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,037 мкм/см², причем nTTV представляет собой изменение полной толщины, нормализованное относительно площади плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,0 см. Изобретение обеспечивает получение подложек высокого качества, имеющих большие площади поверхности. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил., 6 табл.

Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы. Сущность изобретения: представлен способ изготовления оптического прибора из части кристалла, имеющей структуру квантовой потенциальной ямы, включающий этап обработки части кристалла прибора плазменным травлением, с тем, чтобы создать протяженные дефекты, по меньшей мере, в части покрывающего слоя части кристалла прибора, как этап в технологии смешивания квантовых потенциальных ям, для последующего этапа термического отжига. Техническим результатом изобретения является разработка способа изготовления оптических приборов с усовершенствованным процессом смешивания квантовых ям. 21 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 табл.