Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...содержащие аморфные полупроводники – H01L 31/0376
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/0376 ...содержащие аморфные полупроводники
Патенты в данной категории
| ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ Изобретение относится к области измерения оптического излучения в ультрафиолетовой области спектра. Фотопреобразователь содержит корригирующий фильтр (1), расположенный непосредственно перед фотоприемной площадкой (7) и связанный с ней конструктивно, выполненную из монокристаллического кремния n-типа подложку со сформированным на одной ее стороне слоем (5) диоксида кремния, имеющим окно (6), соответствующее площади фотоприемной площадки (7). На поверхность слоя (5) с окном (6) нанесен слой (8) аморфного гидрогенизированного кремния, поверх которого нанесена барьерообразующая пленка (9), на которой вне области окна (6) расположен электрод (10), а на другой стороне подложки (4) сформирован многослойный электрод. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2172042 патент выдан: опубликован: 10.08.2001 |
|
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ГОРЯЧИХ БАЛЛИСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ
Использование: в средствах для преобразования энергии светового излучения в электрическую. Технический результат - увеличение тока короткого замыкания за счет дополнительной генерации электронно-дырочных пар благодаря созданию условий для ударной ионизации. Сущность: преобразователь содержит электроды 4, 5, контактирующие с ними первый и второй крайние фоточувствительные полупроводниковые слои 1, 3 противоположного типа проводимости и размещенный между ними полупроводниковый промежуточный транспортный элемент 2, с соблюдением соотношений Eg2 < Eg3, Eg1 < Eg3,  2d2 < 0,1, l2 > d2 совместно с одним из соотношений Ec1 - Ec2  0, Ev1 - Ev2 0, первое из которых используется при выполнении слоя 1 с проводимостью р-типа и слоя 3 - с проводимостью n-типа, а другое - при обратном сочетании названных типов проводимости. В этих соотношениях Eg1, Eg3, Eg2 - ширины запрещенных зон соответственно слоев 1 и 3 и слоя промежуточного элемента 2, Ec1 и Ec2 - энергии электронов на дне зоны проводимости слоя 1 и слоя промежуточного элемента 2 соответственно, Ev1 и Ev2 - энергии дырок у потолка валентной зоны тех же слоев соответственно; 2d2 - соответственно коэффициент поглощения света в материале слоя промежуточного элемента 2 и толщина этого слоя, l2 - длина свободного пробега носителей в нем. 1 с. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
2137257 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|
| ДАТЧИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ Использование: в качестве приемника излучения с избирательной чувствительностью в ИК-области при создании фоточувствительных устройств. Сущность изобретения: датчик содержит монокристаллическую кремниевую подложку p-типа проводимости с удельным сопротивлением более 20 Ом см, сформированный на ней слой из аморфного кремния n-типа проводимости толщиной от 1,6 до 2,0 мкм и омические контакты к ним. 2 ил. | 2083030 патент выдан: опубликован: 27.06.1997 |
|