Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...с потенциальными барьерами только типа Шотки – H01L 31/07

Использование: энергетика, радио-, электронная промышленность, приборостроение, где используются автономные маломощные источники питания. В способе изготовления солнечного элемента с барьером Шотки, включающем осаждение на проводящую подложку или любую подложку с проводящим слоем базового слоя полупроводникового материала, рекристаллизацию указанного полупроводникового материала указанного базового слоя для повышения среднего размера зерна, осаждение активного слоя полупроводникового материала поверх указанного базового слоя и формирование поверх указанного активного слоя внешнего слоя, при этом внешний слой включает в себя массив малоразмерных проводниковых кластеров (или нитей), каждый из которых находится в электрическом контакте с указанным активным слоем и изолирован от другого прозрачным диэлектрическим материалом, а поверх него формируют многослойную периодическую структуру чередующихся слоев металл/оксид. Способ согласно изобретению позволяет изготавливать солнечные элементы с большими КПД и термической стабильностью. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.