Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...с потенциальными барьерами только p-i-n-типа – H01L 31/075

МПКРаздел HH01H01LH01L 31/00H01L 31/075
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
H01L 31/075 ...с потенциальными барьерами только p-i-n-типа

Патенты в данной категории

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для преобразования солнечной энергии. Сущность: термостойкий тонкопленочный фотоэлектрический преобразователь содержит p - i - n-структуру, электрод и слой блокирования диффузии, расположенный между полупроводником и по крайней мере одним электродом. Блокирующий слой формируют толщиной путем нанесения на n-слой кремния слоя металла VI B группы периодической таблицы элементов или сплава металлов, содержащего более 50 ат.% металла VI B группы, и отжига в течение 1,5 - 2 при 150 - 200°С. Преобразователь позволяет исключить снижение качества вследствие диффузии металла или металлического соединения из электрода в полупроводник. 2 с.п.ф-лы, 1 табл., 1 ил.
2024112
патент выдан:
опубликован: 30.11.1994
Наверх