Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ...содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик  ,31/062 – H01L 31/078

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида, который осажден на прозрачной несущей подложке, контактный слой из легированного аморфного кремния первого типа и имеющий толщину, самое большее 10 нм, первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, который имеет запрещенную зону, которая больше, чем запрещенная зона материала указанного контактного слоя, второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью и третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа. Также предложены фотоэлектрическая преобразующая панель, содержащая по меньшей мере один фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента. Изобретение обеспечивает высокую эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую, возможность создания дешевых солнечных элементов, а также использование для их создания кремния. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил.